Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6184) > Сторінка 91 з 104
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BTA208S-800E,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mAtariffCode: 85413000 euEccn: NLR Bauform - Triac: TO-252 (DPAK) rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 25mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt RMS-Durchlassstrom: 8A SVHC: To Be Advised Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BTA208 productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BTA208S-800E,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mAtariffCode: 85413000 euEccn: NLR Bauform - Triac: TO-252 (DPAK) rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 25mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt RMS-Durchlassstrom: 8A SVHC: To Be Advised Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BTA208 productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WNSC2D04650DJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WNSC2D04650DJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WNSC6D16650CW6Q | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ACT108W-600E,135 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mAtariffCode: 85413000 euEccn: NLR Bauform - Triac: SOT-223 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 25mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V isCanonical: N MSL: - RMS-Durchlassstrom: 800mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 36810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WNSC6D16650B6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WNSC6D16650B6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WMSC008H12B2P6T | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 272W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2 Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT137S-600D,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mAtariffCode: 85413000 euEccn: NLR Bauform - Triac: SOT-428 rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V isCanonical: N RMS-Durchlassstrom: 8A SVHC: To Be Advised Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BYV32EB-200,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-404 Durchlassstoßstrom: 137A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 25ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32 productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MUR860J | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 200A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 93ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MUR860J | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 200A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 93ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MUR860J | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 200A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 93ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT1308W-600D,115 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mAtariffCode: 85413000 euEccn: NLR Bauform - Triac: SC-73 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt RMS-Durchlassstrom: 800mA SVHC: To Be Advised Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT131-600EQP | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT131-600EQP - Triac, 600 V, 1 A, TO-92, 700 mV, 12.5 A, 10 mAtariffCode: 85413000 euEccn: NLR Bauform - Triac: TO-92 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 12.5A Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V isCanonical: Y RMS-Durchlassstrom: 1A SVHC: To Be Advised Zündspannung, max.: 700mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 7964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT131-600,116 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT131-600,116 - Triac, 600 V, 1 A, TO-92, 1 V, 12.5 A, 5 mAtariffCode: 85413000 euEccn: NLR Bauform - Triac: TO-92 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 5mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 12.5A Spitzen-Durchlassspannung: 1.2V isCanonical: Y MSL: - RMS-Durchlassstrom: 1A SVHC: To Be Advised Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 7920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BTA16-600BQ | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 16A; Igt: 50/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Gate current: 50/70mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 418 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA16-800BQ | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 16A; Igt: 50/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 16A Gate current: 50/70mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 555 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA408X-1000C0TQ | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 1kV; 8A; Igt: 35mA; TO220FP; tube; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com Mounting: THT Max. forward impulse current: 90A Gate current: 35mA Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate Max. off-state voltage: 1kV Max. load current: 8A Kind of package: tube Case: TO220FP Typ of triac: standard |
на замовлення 351 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT152-800R,127 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD/THT thyristorsDescription: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT Type of thyristor: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 20A Load current: 13A Gate current: 3mA Case: TO220AB Mounting: THT Max. forward impulse current: 200A Turn-on time: 2µs Kind of package: tube |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT169D,112 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD/THT thyristorsDescription: Thyristor: standard; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT Type of thyristor: standard Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.8A Load current: 0.5A Gate current: 50mA Case: TO92 Mounting: THT Max. forward impulse current: 8A Turn-on time: 2µs Kind of package: bulk Manufacturer standard package: 1000pcs. |
на замовлення 5202 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Mounting: THT Collector-emitter voltage: 400V Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 8...40 Kind of package: tube Case: TO220AB Collector current: 12A |
на замовлення 598 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PHE13009/DG,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Mounting: THT Collector-emitter voltage: 400V Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Heatsink thickness: max. 1.3mm Type of transistor: NPN Current gain: 8...40 Kind of package: tube Case: TO220AB Collector current: 12A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MAC97A6,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 400V; 0.6A; Igt: 5/7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 8A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Gate current: 5/7mA Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MAC97A6,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 400V; 0.6A; Igt: 5/7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Gate current: 5/7mA Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 1023 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA204-800B,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 4A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 4A Gate current: 50mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 25A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 531 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT151-500R,127 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD/THT thyristorsDescription: Thyristor: standard; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT Gate current: 2mA Max. off-state voltage: 500V Turn-on time: 2µs Load current: 7.5A Max. load current: 12A Kind of package: tube Case: TO220AB Type of thyristor: standard Mounting: THT Max. forward impulse current: 120A |
на замовлення 3062 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT151-500RT,127 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD/THT thyristorsDescription: Thyristor: standard; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT Gate current: 2mA Max. off-state voltage: 500V Turn-on time: 2µs Load current: 8A Max. load current: 12.5A Kind of package: tube Case: TO220AB Type of thyristor: standard Mounting: THT Max. forward impulse current: 120A |
на замовлення 2556 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA41-800BQ | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 40A; Igt: 50/70mA; SOT1292,TO3P; tube; Ifsm: 400A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 40A Gate current: 50/70mA Case: SOT1292; TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.4kA Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT137-600,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Gate current: 35/70mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 741 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT137-600/L01,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Gate current: 35/70mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT137-600D,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 8A; Igt: 5/10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Gate current: 5/10mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT137-600E,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Gate current: 10/25mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT137-600E/DG | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Gate current: 10/25mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT137-600E/L01,127 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 600V; 4A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 25A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Gate current: 10/25mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 25A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT137-600G,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 8A; Igt: 50/100mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Gate current: 50/100mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT137-600G0TQ | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 500V; 8A; Igt: 50/100mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 500V Max. load current: 8A Gate current: 50/100mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: high temperature |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BTA416Y-600C,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 16A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Gate current: 35mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate |
на замовлення 789 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA41-600BQ | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 40A; Igt: 50/70mA; SOT1292,TO3P; tube; Ifsm: 400A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 40A Gate current: 50/70mA Case: SOT1292; TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.4kA Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA410Y-600CT,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 10A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 10A Gate current: 35mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA410Y-600ET,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 10A; Igt: 10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 10A Gate current: 10mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BTA410Y-800BT,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 10A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 10A Gate current: 50mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BTA410Y-800CT,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 10A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 10A Gate current: 35mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BTA412Y-600B,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 12A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 12A Gate current: 50mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 140A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 774 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA412Y-600C,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 12A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 12A Gate current: 35mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 140A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 970 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA412Y-600ETQ | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 12A; Igt: 10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 12A Gate current: 10mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 140A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BTA412Y-800B,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 12A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 12A Gate current: 50mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 140A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 462 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BTA412Y-800C,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 12A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 12A Gate current: 35mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 140A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BT139X-600,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 16A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Case: TO220FP Gate current: 35/70mA Max. forward impulse current: 155A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 726 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
Z0107MA,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 8A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Gate current: 5/7mA Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 2548 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
Z0107MA,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8.5A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Gate current: 7mA Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 8.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
Z0107MN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 8.5A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Gate current: 5/7mA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
Z0107MN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Gate current: 5/7mA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 3022 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
Z0107NA,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8.5A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Gate current: 7mA Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 8.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
Z0107NA0,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 13.8A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Gate current: 7mA Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 13.8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
Z0107NA0QP | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 13.8A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Gate current: 7mA Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 13.8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
Z0107NN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 8.5A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Gate current: 7mA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
Z0107NN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Gate current: 5/7mA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 3421 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BT137-800,127 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 8A Gate current: 35/70mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BTA208S-800E,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTA208S-800E,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WNSC2D04650DJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WNSC2D04650DJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WNSC6D16650CW6Q |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ACT108W-600E,135 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 36810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WNSC6D16650B6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WNSC6D16650B6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WMSC008H12B2P6T |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BT137S-600D,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
RMS-Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BYV32EB-200,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-404
Durchlassstoßstrom: 137A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-404
Durchlassstoßstrom: 137A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MUR860J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MUR860J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MUR860J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BT1308W-600D,115 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
RMS-Durchlassstrom: 800mA
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BT131-600EQP |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT131-600EQP - Triac, 600 V, 1 A, TO-92, 700 mV, 12.5 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-92
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 12.5A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
isCanonical: Y
RMS-Durchlassstrom: 1A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 700mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT131-600EQP - Triac, 600 V, 1 A, TO-92, 700 mV, 12.5 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-92
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 12.5A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
isCanonical: Y
RMS-Durchlassstrom: 1A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 700mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BT131-600,116 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT131-600,116 - Triac, 600 V, 1 A, TO-92, 1 V, 12.5 A, 5 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-92
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 12.5A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.2V
isCanonical: Y
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 1A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT131-600,116 - Triac, 600 V, 1 A, TO-92, 1 V, 12.5 A, 5 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: TO-92
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 12.5A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.2V
isCanonical: Y
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 1A
SVHC: To Be Advised
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTA16-600BQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; Igt: 50/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 50/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; Igt: 50/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 50/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 90.25 грн |
| 10+ | 74.24 грн |
| 50+ | 63.74 грн |
| 100+ | 59.09 грн |
| BTA16-800BQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 50/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 50/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 50/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 50/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 89.34 грн |
| 10+ | 58.92 грн |
| 100+ | 45.80 грн |
| 500+ | 37.75 грн |
| BTA408X-1000C0TQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; Igt: 35mA; TO220FP; tube; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 90A
Gate current: 35mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Typ of triac: standard
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; Igt: 35mA; TO220FP; tube; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 90A
Gate current: 35mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Typ of triac: standard
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 57.43 грн |
| 12+ | 37.25 грн |
| 25+ | 32.76 грн |
| 100+ | 29.71 грн |
| BT152-800R,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
Kind of package: tube
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
Kind of package: tube
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 143.13 грн |
| 10+ | 86.01 грн |
| 50+ | 65.86 грн |
| 100+ | 59.26 грн |
| 250+ | 52.15 грн |
| 500+ | 47.83 грн |
| 1000+ | 44.10 грн |
| 1250+ | 43.09 грн |
| BT169D,112 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
Kind of package: bulk
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
Kind of package: bulk
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 5202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 28.26 грн |
| 20+ | 21.84 грн |
| 22+ | 19.98 грн |
| 50+ | 16.34 грн |
| 100+ | 14.90 грн |
| 500+ | 11.85 грн |
| 1000+ | 10.75 грн |
| 5000+ | 8.30 грн |
| PHE13009,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 74.75 грн |
| 10+ | 50.71 грн |
| 50+ | 43.85 грн |
| 100+ | 40.63 грн |
| 250+ | 35.13 грн |
| 500+ | 31.41 грн |
| PHE13009/DG,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MAC97A6,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; Igt: 5/7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Gate current: 5/7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; Igt: 5/7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Gate current: 5/7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MAC97A6,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; Igt: 5/7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Gate current: 5/7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; Igt: 5/7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Gate current: 5/7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 32.82 грн |
| 24+ | 18.28 грн |
| 28+ | 15.41 грн |
| 100+ | 12.11 грн |
| 500+ | 9.40 грн |
| 1000+ | 8.38 грн |
| BTA204-800B,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Gate current: 50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Gate current: 50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 26.44 грн |
| 20+ | 22.18 грн |
| 22+ | 19.98 грн |
| 30+ | 17.69 грн |
| 100+ | 17.35 грн |
| BT151-500R,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT
Gate current: 2mA
Max. off-state voltage: 500V
Turn-on time: 2µs
Load current: 7.5A
Max. load current: 12A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT
Gate current: 2mA
Max. off-state voltage: 500V
Turn-on time: 2µs
Load current: 7.5A
Max. load current: 12A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 85.69 грн |
| 13+ | 34.03 грн |
| 20+ | 26.50 грн |
| 50+ | 21.33 грн |
| 100+ | 19.81 грн |
| BT151-500RT,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT
Gate current: 2mA
Max. off-state voltage: 500V
Turn-on time: 2µs
Load current: 8A
Max. load current: 12.5A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT
Gate current: 2mA
Max. off-state voltage: 500V
Turn-on time: 2µs
Load current: 8A
Max. load current: 12.5A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 51.05 грн |
| 14+ | 30.98 грн |
| 25+ | 24.89 грн |
| 100+ | 22.35 грн |
| BTA41-800BQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; Igt: 50/70mA; SOT1292,TO3P; tube; Ifsm: 400A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Gate current: 50/70mA
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; Igt: 50/70mA; SOT1292,TO3P; tube; Ifsm: 400A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Gate current: 50/70mA
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 329.10 грн |
| 3+ | 285.27 грн |
| 10+ | 242.95 грн |
| 30+ | 196.39 грн |
| 450+ | 159.14 грн |
| BT137-600,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 35/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 35/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 85.69 грн |
| 10+ | 52.31 грн |
| 25+ | 44.95 грн |
| 50+ | 40.04 грн |
| 100+ | 35.72 грн |
| 500+ | 27.43 грн |
| BT137-600/L01,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 35/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 35/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BT137-600D,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 5/10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 5/10mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 5/10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 5/10mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 85.69 грн |
| 10+ | 52.48 грн |
| 50+ | 39.96 грн |
| 100+ | 35.64 грн |
| 500+ | 27.43 грн |
| 1000+ | 24.55 грн |
| BT137-600E,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BT137-600E/DG |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BT137-600E/L01,127 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 25A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; Igt: 10/25mA; TO220AB; tube; Ifsm: 25A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 10/25mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BT137-600G,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 50/100mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 50/100mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; Igt: 50/100mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Gate current: 50/100mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 64.73 грн |
| 10+ | 44.02 грн |
| 100+ | 31.07 грн |
| 500+ | 24.63 грн |
| BT137-600G0TQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; Igt: 50/100mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Gate current: 50/100mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; Igt: 50/100mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Gate current: 50/100mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTA416Y-600C,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 101.19 грн |
| 10+ | 66.54 грн |
| 50+ | 56.46 грн |
| 100+ | 53.16 грн |
| 500+ | 45.12 грн |
| BTA41-600BQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; Igt: 50/70mA; SOT1292,TO3P; tube; Ifsm: 400A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Gate current: 50/70mA
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; Igt: 50/70mA; SOT1292,TO3P; tube; Ifsm: 400A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Gate current: 50/70mA
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 311.78 грн |
| 10+ | 197.24 грн |
| 30+ | 165.07 грн |
| 60+ | 148.99 грн |
| 90+ | 140.52 грн |
| 150+ | 131.21 грн |
| 450+ | 129.52 грн |
| BTA410Y-600CT,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 38.29 грн |
| 14+ | 32.34 грн |
| 25+ | 28.95 грн |
| 100+ | 27.00 грн |
| BTA410Y-600ET,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; Igt: 10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Gate current: 10mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; Igt: 10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Gate current: 10mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTA410Y-800BT,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Gate current: 50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Gate current: 50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTA410Y-800CT,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTA412Y-600B,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Gate current: 50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Gate current: 50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 53.79 грн |
| 10+ | 44.87 грн |
| 25+ | 39.62 грн |
| 100+ | 37.42 грн |
| BTA412Y-600C,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 60.17 грн |
| 9+ | 49.94 грн |
| 10+ | 44.19 грн |
| 30+ | 39.70 грн |
| 100+ | 36.99 грн |
| BTA412Y-600ETQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; Igt: 10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Gate current: 10mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; Igt: 10mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Gate current: 10mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTA412Y-800B,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Gate current: 50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; Igt: 50mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Gate current: 50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 120.33 грн |
| 10+ | 73.31 грн |
| 50+ | 57.14 грн |
| 100+ | 51.13 грн |
| 250+ | 43.68 грн |
| BTA412Y-800C,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BT139X-600,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 726 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 79.31 грн |
| 10+ | 58.16 грн |
| 50+ | 46.39 грн |
| 100+ | 42.07 грн |
| 500+ | 33.44 грн |
| Z0107MA,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Gate current: 5/7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Gate current: 5/7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 36.47 грн |
| 27+ | 15.75 грн |
| 46+ | 9.40 грн |
| 100+ | 8.47 грн |
| 500+ | 7.45 грн |
| 2000+ | 6.77 грн |
| Z0107MA,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Z0107MN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 8.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Gate current: 5/7mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 8.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Gate current: 5/7mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 45.58 грн |
| 14+ | 31.15 грн |
| 50+ | 21.67 грн |
| 100+ | 18.45 грн |
| 250+ | 14.98 грн |
| 500+ | 12.95 грн |
| 1000+ | 11.34 грн |
| Z0107MN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Gate current: 5/7mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Gate current: 5/7mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 44.67 грн |
| 16+ | 27.77 грн |
| 100+ | 16.59 грн |
| 500+ | 11.94 грн |
| 1000+ | 10.58 грн |
| 2000+ | 9.48 грн |
| Z0107NA,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 8.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Z0107NA0,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 13.8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; bulk; Ifsm: 13.8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Z0107NA0QP |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 13.8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; TO92; reel,tape; Ifsm: 13.8A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Z0107NN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 8.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 8.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 7mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 31.91 грн |
| 21+ | 20.99 грн |
| 100+ | 13.04 грн |
| 500+ | 9.73 грн |
| 1000+ | 8.80 грн |
| Z0107NN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 5/7mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; Igt: 5/7mA; SOT223; reel,tape; Ifsm: 12.5A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Gate current: 5/7mA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 3421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 29.17 грн |
| 17+ | 25.23 грн |
| 19+ | 23.28 грн |
| 100+ | 15.41 грн |
| 500+ | 11.34 грн |
| 1000+ | 10.07 грн |
| 2000+ | 9.06 грн |
| BT137-800,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Gate current: 35/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 65A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Gate current: 35/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 83.87 грн |
| 10+ | 51.13 грн |
| 50+ | 39.45 грн |
| 100+ | 35.38 грн |



























