Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5686) > Сторінка 92 з 95

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 87 88 89 90 91 92 93 94 95  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTA225B-800B,118 BTA225B-800B,118 WeEn Semiconductors BTA225B-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.79 грн
10+86.02 грн
100+71.82 грн
500+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA225-800B,127 BTA225-800B,127 WeEn Semiconductors BTA225-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.29 грн
10+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA203-800CTEP BTA203-800CTEP WeEn Semiconductors BTA203-800CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 3A; TO92; Igt: 30mA; Ifsm: 27A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 3A
Case: TO92
Gate current: 30mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 27A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA225-600B,127 BTA225-600B,127 WeEn Semiconductors BTA225-600B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 190A
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.34 грн
10+71.82 грн
50+65.14 грн
100+62.64 грн
250+58.46 грн
500+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/DGQ BTA206X-800CT/DGQ WeEn Semiconductors BTA206x-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 6A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 66A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 6A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 66A
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.45 грн
10+43.26 грн
50+32.82 грн
100+29.23 грн
250+25.64 грн
500+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT155K-1200TQ BT155K-1200TQ WeEn Semiconductors BT155K-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT1259,TO3P; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: SOT1259; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.99 грн
5+138.64 грн
30+125.28 грн
120+116.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BT155W-1200TQ BT155W-1200TQ WeEn Semiconductors BT155W-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT429,TO247-3; THT
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: SOT429; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.42 грн
10+173.72 грн
30+147.83 грн
120+123.61 грн
240+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT155Z-1200TQ BT155Z-1200TQ WeEn Semiconductors BT155Z-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT1292,TOP3I; THT
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: SOT1292; TOP3I
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.56 грн
5+165.36 грн
25+157.85 грн
90+133.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BT155W-1200T-AQ BT155W-1200T-AQ WeEn Semiconductors BT155W-1200T-AQ.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 3mA; SOT429,TO247-3; THT
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 3mA
Case: SOT429; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
Application: automotive industry
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.52 грн
10+221.32 грн
25+202.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT158W-1200TQ BT158W-1200TQ WeEn Semiconductors BT158W-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 126A; 80A; Igt: 70mA; SOT429,TO247-3; THT
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 126A
Load current: 80A
Gate current: 70mA
Case: SOT429; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 1.1kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+441.61 грн
10+276.44 грн
30+237.19 грн
90+234.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT150S-600R,118 BT150S-600R,118 WeEn Semiconductors bt150s-600r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; DPAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Load current: 2.5A
Gate current: 15µA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 35A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJ WNS30H100CBJ WeEn Semiconductors WNS30H100CB.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.33 грн
10+61.89 грн
100+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CQ WNS30H100CQ WeEn Semiconductors WNS30H100C.PDF Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.67V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.07 грн
13+32.91 грн
50+23.30 грн
100+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BT148-400R,127 BT148-400R,127 WeEn Semiconductors BT148-400R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; SIP3,SOT82; THT; tube
Mounting: THT
Case: SIP3; SOT82
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 15µA
Load current: 2.5A
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 35A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Kind of package: tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.07 грн
13+32.82 грн
50+26.56 грн
100+24.22 грн
500+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BT148-500R,127 BT148-500R,127 WeEn Semiconductors BT148-500R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; SIP3,SOT82; THT; tube
Mounting: THT
Case: SIP3; SOT82
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 15µA
Load current: 2.5A
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 35A
Max. off-state voltage: 500V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-800.127 BT138-800.127 WeEn Semiconductors BT138-800.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 95A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506Q NXPSC206506Q WeEn Semiconductors nxpsc20650.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQ NXPSC20650W-AQ WeEn Semiconductors NXPSC20650W-A.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6Q NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors nxpsc20650w.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D20650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.46 грн
10+136.97 грн
100+116.09 грн
500+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6Q NXPLQSC20650W6Q WeEn Semiconductors nxplqsc20650w.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.85V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 155A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT102H-600D,118 ACT102H-600D,118 WeEn Semiconductors ACT102H-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: AC switch; 600V; Ifmax: 0.2A; Igt: 5mA; SO8; SMD
Type of thyristor: AC switch
Max. load current: 0.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 5mA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: internally triggered
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.39 грн
35+12.28 грн
36+11.69 грн
38+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-800E,412 BTA2008-800E,412 WeEn Semiconductors PHGLS25737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 0.8A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-1000D,126 WeEn Semiconductors bta2008-1000d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 0.8A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 9.9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 5mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9.9A
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-1000DNML WeEn Semiconductors bta2008-1000dn.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 0.8A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 5mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-600D,412 WeEn Semiconductors bta2008-600d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 5mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-600E,412 BTA2008-600E,412 WeEn Semiconductors PHGLS25735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-800D,412 WeEn Semiconductors PHGLS25736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 5mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137X-600/DG,127 WeEn Semiconductors BT137X-600.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800BTQ BTA425Z-800BTQ WeEn Semiconductors BTA425Z-800BT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; SOT1292,TO3P; Igt: 50mA; Ifsm: 250A; 3Q,Hi-Com
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.56 грн
10+126.95 грн
30+104.40 грн
150+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Y-800BTQ BTA425Y-800BTQ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 250A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.21 грн
10+80.18 грн
25+73.50 грн
50+69.32 грн
100+64.31 грн
250+59.30 грн
500+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425X-800BTQ BTA425X-800BTQ WeEn Semiconductors BTA425X-800BT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 250A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.35 грн
7+64.31 грн
25+56.79 грн
100+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420X-800BT,127 BTA420X-800BT,127 WeEn Semiconductors bta420x-800bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.42 грн
10+73.33 грн
50+57.71 грн
100+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BT300S-600R,118 WeEn Semiconductors bt300s-600r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 2mA; DPAK; SMD; reel,tape; 2us
Kind of package: reel; tape
Load current: 5A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 65A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 2mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC10-600,127 BYC10-600,127 WeEn Semiconductors byc10-600.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 65A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 19ns
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.55 грн
10+52.28 грн
25+45.10 грн
50+40.59 грн
100+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420-800CT,127 BTA420-800CT,127 WeEn Semiconductors bta420-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420X-800CT,127 BTA420X-800CT,127 WeEn Semiconductors bta420x-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420-800BT,127 WeEn Semiconductors bta420-800bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420X-800CT/L02Q WeEn Semiconductors bta420x-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420Y-800BT,127 WeEn Semiconductors bta420y-800bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 220A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 220A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420Y-800CT,127 BTA420Y-800CT,127 WeEn Semiconductors BTA420Y-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800.127 BT137-800.127 WeEn Semiconductors BT137-800.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURS360BJ MURS360BJ WeEn Semiconductors MURS360B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.08 грн
25+17.29 грн
100+12.86 грн
500+9.86 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BT137X-800.127 BT137X-800.127 WeEn Semiconductors BT137X-800.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DQ.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DTLJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800E,127 BTA316X-800E,127 WeEn Semiconductors bta316x-800e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.34 грн
10+56.88 грн
100+46.27 грн
500+39.17 грн
1000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316B-800E,118 BTA316B-800E,118 WeEn Semiconductors bta316b-800e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.06 грн
9+52.03 грн
10+46.10 грн
30+41.42 грн
100+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316B-600E,118 BTA316B-600E,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.15 грн
10+52.70 грн
100+42.18 грн
500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600C,127 BTA316-600C,127 WeEn Semiconductors BTA316-600C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.56 грн
10+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600BT,127 BTA316-600BT,127 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf BTA316-600BT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600E,127 BTA316-600E,127 WeEn Semiconductors BTA316-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800C,127 BTA316X-800C,127 WeEn Semiconductors BTA316X-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-800CTQ WeEn Semiconductors BTA316-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors BTA316-600ET.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA225B-800B,118 BTA225B-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA225B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.79 грн
10+86.02 грн
100+71.82 грн
500+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA225-800B,127 BTA225-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA225-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.29 грн
10+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA203-800CTEP BTA203-800CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA203-800CTEP
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 3A; TO92; Igt: 30mA; Ifsm: 27A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 3A
Case: TO92
Gate current: 30mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 27A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA225-600B,127 BTA225-600B.pdf
BTA225-600B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 190A
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.34 грн
10+71.82 грн
50+65.14 грн
100+62.64 грн
250+58.46 грн
500+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/DGQ BTA206x-800CT.pdf
BTA206X-800CT/DGQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 6A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 66A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 6A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 66A
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.45 грн
10+43.26 грн
50+32.82 грн
100+29.23 грн
250+25.64 грн
500+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT155K-1200TQ BT155K-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf
BT155K-1200TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT1259,TO3P; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: SOT1259; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.99 грн
5+138.64 грн
30+125.28 грн
120+116.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BT155W-1200TQ BT155W-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf
BT155W-1200TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT429,TO247-3; THT
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: SOT429; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.42 грн
10+173.72 грн
30+147.83 грн
120+123.61 грн
240+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT155Z-1200TQ BT155Z-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf
BT155Z-1200TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT1292,TOP3I; THT
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 50mA
Case: SOT1292; TOP3I
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+218.56 грн
5+165.36 грн
25+157.85 грн
90+133.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BT155W-1200T-AQ BT155W-1200T-AQ.pdf _ween_psg2020.pdf
BT155W-1200T-AQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 3mA; SOT429,TO247-3; THT
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Gate current: 3mA
Case: SOT429; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Turn-on time: 2µs
Application: automotive industry
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.52 грн
10+221.32 грн
25+202.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT158W-1200TQ BT158W-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf
BT158W-1200TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 126A; 80A; Igt: 70mA; SOT429,TO247-3; THT
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 126A
Load current: 80A
Gate current: 70mA
Case: SOT429; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 1.1kA
Turn-on time: 2µs
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.61 грн
10+276.44 грн
30+237.19 грн
90+234.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT150S-600R,118 bt150s-600r.pdf
BT150S-600R,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; DPAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Load current: 2.5A
Gate current: 15µA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 35A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6Q WNSC2D201200CW6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJ WNS30H100CB.pdf
WNS30H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.33 грн
10+61.89 грн
100+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CQ WNS30H100C.PDF
WNS30H100CQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.67V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.07 грн
13+32.91 грн
50+23.30 грн
100+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BT148-400R,127 BT148-400R.pdf
BT148-400R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; SIP3,SOT82; THT; tube
Mounting: THT
Case: SIP3; SOT82
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 15µA
Load current: 2.5A
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 35A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Kind of package: tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+44.07 грн
13+32.82 грн
50+26.56 грн
100+24.22 грн
500+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BT148-500R,127 BT148-500R.pdf
BT148-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; SIP3,SOT82; THT; tube
Mounting: THT
Case: SIP3; SOT82
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 15µA
Load current: 2.5A
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 35A
Max. off-state voltage: 500V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-800.127 BT138-800.pdf _ween_psg2020.pdf
BT138-800.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 95A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506Q nxpsc20650.pdf
NXPSC206506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQ NXPSC20650W-A.pdf _ween_psg2020.pdf
NXPSC20650W-AQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6Q nxpsc20650w.pdf
NXPSC20650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+210.46 грн
10+136.97 грн
100+116.09 грн
500+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC20650W6Q nxplqsc20650w.pdf
NXPLQSC20650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.85V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf
WNSC2D20650CJQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW.pdf
WNSC2D20650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650W.pdf
WNSC6D20650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 155A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT102H-600D,118 ACT102H-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
ACT102H-600D,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: AC switch; 600V; Ifmax: 0.2A; Igt: 5mA; SO8; SMD
Type of thyristor: AC switch
Max. load current: 0.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 5mA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: internally triggered
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.39 грн
35+12.28 грн
36+11.69 грн
38+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-800E,412 PHGLS25737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTA2008-800E,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 0.8A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-1000D,126 bta2008-1000d.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 0.8A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 9.9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 5mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9.9A
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-1000DNML bta2008-1000dn.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 0.8A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 5mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-600D,412 bta2008-600d.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 5mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-600E,412 PHGLS25735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTA2008-600E,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008-800D,412 PHGLS25736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 9A; 3Q,Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Case: TO92
Type of thyristor: triac
Gate current: 5mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137X-600/DG,127 BT137X-600.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800BTQ BTA425Z-800BT.pdf
BTA425Z-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; SOT1292,TO3P; Igt: 50mA; Ifsm: 250A; 3Q,Hi-Com
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+209.56 грн
10+126.95 грн
30+104.40 грн
150+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Y-800BTQ _ween_psg2020.pdf
BTA425Y-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 250A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.21 грн
10+80.18 грн
25+73.50 грн
50+69.32 грн
100+64.31 грн
250+59.30 грн
500+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425X-800BTQ BTA425X-800BT.pdf
BTA425X-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 250A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.35 грн
7+64.31 грн
25+56.79 грн
100+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420X-800BT,127 bta420x-800bt.pdf
BTA420X-800BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.42 грн
10+73.33 грн
50+57.71 грн
100+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BT300S-600R,118 bt300s-600r.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 2mA; DPAK; SMD; reel,tape; 2us
Kind of package: reel; tape
Load current: 5A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 65A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 2mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC10-600,127 byc10-600.pdf
BYC10-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 65A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 19ns
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.55 грн
10+52.28 грн
25+45.10 грн
50+40.59 грн
100+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420-800CT,127 bta420-800ct.pdf
BTA420-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420X-800CT,127 bta420x-800ct.pdf
BTA420X-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420-800BT,127 bta420-800bt.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420X-800CT/L02Q bta420x-800ct.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420Y-800BT,127 bta420y-800bt.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 220A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 220A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA420Y-800CT,127 BTA420Y-800CT.pdf
BTA420Y-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 20A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 200A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-800.127 BT137-800.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-800.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURS360BJ MURS360B.pdf _ween_psg2020.pdf
MURS360BJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.08 грн
25+17.29 грн
100+12.86 грн
500+9.86 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BT137X-800.127 BT137X-800.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137X-800.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DQ WSJM65R099DQ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTLJ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800E,127 bta316x-800e.pdf
BTA316X-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.34 грн
10+56.88 грн
100+46.27 грн
500+39.17 грн
1000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316B-800E,118 bta316b-800e.pdf
BTA316B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.06 грн
9+52.03 грн
10+46.10 грн
30+41.42 грн
100+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316B-600E,118 BTA316B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316B-600E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.15 грн
10+52.70 грн
100+42.18 грн
500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600C,127 BTA316-600C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.56 грн
10+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600BT,127 _ween_psg2020.pdf BTA316-600BT.pdf
BTA316-600BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600E,127 BTA316-600E.pdf
BTA316-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800C,127 BTA316X-800C.pdf
BTA316X-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-800CTQ BTA316-800CT.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600ET/DGQ BTA316-600ET.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 87 88 89 90 91 92 93 94 95  [ Наступна Сторінка >> ]