Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5988) > Сторінка 93 з 100

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 100  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BTA316-600ET,127 BTA316-600ET,127 WeEn Semiconductors BTA316-600ET.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
10+ 37.69 грн
25+ 33.03 грн
27+ 30.32 грн
73+ 28.65 грн
500+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors bta316-600et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 150A
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BTA316B-600B,118 BTA316B-600B,118 WeEn Semiconductors bta316b-600b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BTA316B-600C,118 BTA316B-600C,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.92 грн
8+ 47.57 грн
22+ 37.69 грн
59+ 35.61 грн
400+ 34.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-600CTJ WeEn Semiconductors bta316b-600ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 150A
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BTA316B-600E,118 BTA316B-600E,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.92 грн
8+ 44.92 грн
22+ 37.69 грн
59+ 35.61 грн
500+ 34.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-800B,118 BTA316B-800B,118 WeEn Semiconductors bta316b-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BTA316B-800C,118 BTA316B-800C,118 WeEn Semiconductors BTA316B-800C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.42 грн
8+ 45.62 грн
21+ 39.22 грн
57+ 37.07 грн
500+ 35.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-800E,118 BTA316B-800E,118 WeEn Semiconductors bta316b-800e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BT150-500R,127 BT150-500R,127 WeEn Semiconductors BT150-500R.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 4A
Load current: 2.5A
Gate current: 15µA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 35A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
17+ 20.58 грн
25+ 16.62 грн
57+ 14.33 грн
156+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
BT155K-1200TQ BT155K-1200TQ WeEn Semiconductors BT155K-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT1259,TO3P; THT; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Turn-on time: 2µs
Load current: 50A
Max. load current: 79A
Case: SOT1259; TO3P
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.27 грн
5+ 128.65 грн
8+ 106.4 грн
21+ 100.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SMBJ26AJ WeEn Semiconductors SMBJ Series.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
товар відсутній
BT151X-500C,127 BT151X-500C,127 WeEn Semiconductors Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товар відсутній
BT151X-500R,127 BT151X-500R,127 WeEn Semiconductors bt151x-500r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
товар відсутній
BTA216-600BT,127 WeEn Semiconductors Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600D,127 BTA216-600D,127 WeEn Semiconductors bta216-600d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600E,127 BTA216-600E,127 WeEn Semiconductors bta216-600d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600F,127 BTA216-600F,127 WeEn Semiconductors BTA216-600F.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 25mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BYW29E-100,127 BYW29E-100,127 WeEn Semiconductors BYW29E-100.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.895V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.42 грн
12+ 29.21 грн
25+ 25.73 грн
36+ 22.39 грн
100+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29E-150,127 BYW29E-150,127 WeEn Semiconductors BYW29E-150.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.8V
Heatsink thickness: 1.15...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.42 грн
12+ 30.6 грн
25+ 27.82 грн
39+ 20.72 грн
107+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29E-200,127 BYW29E-200,127 WeEn Semiconductors BYW29E-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.8V
Heatsink thickness: 1.15...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.67 грн
11+ 31.99 грн
25+ 25.73 грн
37+ 21.84 грн
102+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
BYW29ED-200,118 BYW29ED-200,118 WeEn Semiconductors BYW29ED-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 25ns; DPAK; Ufmax: 0.8V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Case: DPAK
Max. forward voltage: 0.8V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.77 грн
12+ 29.35 грн
25+ 25.38 грн
42+ 19.33 грн
115+ 18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
BYW29EX-200,127 BYW29EX-200,127 WeEn Semiconductors BYW29EX-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 0.8V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.42 грн
14+ 25.73 грн
25+ 20.86 грн
46+ 17.87 грн
125+ 16.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYV410-600,127 BYV410-600,127 WeEn Semiconductors BYV410-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 132A; SOT78,TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Case: SOT78; TO220AB
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 132A
товар відсутній
BYC10B-600,118 BYC10B-600,118 WeEn Semiconductors BYC10B-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; 55ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.4V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 71A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.67 грн
9+ 40.89 грн
25+ 33.03 грн
27+ 29.83 грн
74+ 28.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
MURS360BJ MURS360BJ WeEn Semiconductors MURS360B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Mounting: SMD
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: SMB
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 0.88V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NXPSC206506Q NXPSC206506Q WeEn Semiconductors nxpsc20650.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
товар відсутній
NXPSC20650W-AQ NXPSC20650W-AQ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf NXPSC20650W-A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
товар відсутній
NXPSC20650W6Q NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors nxpsc20650w.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Technology: SiC
Case: SOT1293; TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A x2
товар відсутній
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A x2
товар відсутній
WNSC5D20650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650X6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D20650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.8V
товар відсутній
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
товар відсутній
NXPLQSC20650W6Q NXPLQSC20650W6Q WeEn Semiconductors Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 48A
товар відсутній
BTA212-800B,127 BTA212-800B,127 WeEn Semiconductors PHGLS23360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bta212-600b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.17 грн
9+ 40.33 грн
10+ 36.23 грн
28+ 29.69 грн
75+ 28.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800B,127 BTA312-800B,127 WeEn Semiconductors bta312-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.18 грн
9+ 43.12 грн
25+ 38.74 грн
27+ 30.74 грн
72+ 29.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800C,127 BTA312-800C,127 WeEn Semiconductors bta312-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312-800CT,127 BTA312-800CT,127 WeEn Semiconductors bta312-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
9+ 40.13 грн
10+ 35.26 грн
26+ 31.43 грн
30+ 31.36 грн
71+ 29.69 грн
100+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800E,127 BTA312-800E,127 WeEn Semiconductors bta312-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312-800ET,127 BTA312-800ET,127 WeEn Semiconductors bta312-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA212B-800B,118 BTA212B-800B,118 WeEn Semiconductors BTA212B-x00B_ser.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
9+ 38.94 грн
25+ 32.82 грн
68+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212B-800E,118 BTA212B-800E,118 WeEn Semiconductors BTA212B-800E.PDF Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
10+ 37.69 грн
25+ 33.03 грн
26+ 31.71 грн
70+ 29.97 грн
100+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212X-800B,127 BTA212X-800B,127 WeEn Semiconductors BTA212X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
10+ 37.69 грн
25+ 33.03 грн
29+ 28.51 грн
78+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212X-800E,127 WeEn Semiconductors BTA212X-x00X_ser.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312B-800B,118 BTA312B-800B,118 WeEn Semiconductors bta312b-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.92 грн
8+ 44.92 грн
22+ 37.07 грн
60+ 35.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA312B-800C,118 BTA312B-800C,118 WeEn Semiconductors bta312b-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.92 грн
8+ 44.99 грн
10+ 39.71 грн
22+ 37 грн
30+ 35.68 грн
60+ 34.98 грн
100+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA312B-800E,118 BTA312B-800E,118 WeEn Semiconductors bta312b-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.68 грн
10+ 36.02 грн
25+ 32.48 грн
31+ 26.5 грн
84+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312B-800ET,118 BTA312B-800ET,118 WeEn Semiconductors bta312b-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
10+ 37.69 грн
25+ 33.66 грн
29+ 28.51 грн
78+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312X-800B,127 BTA312X-800B,127 WeEn Semiconductors bta312x-800b.pdf PHGLS29888-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.68 грн
9+ 38.74 грн
11+ 34.15 грн
27+ 30.53 грн
73+ 28.86 грн
100+ 28.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYV72EW-200,127 BYV72EW-200,127 WeEn Semiconductors byv72ew-200.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 185A; TO247-3; 28ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 28ns
Max. forward impulse current: 185A
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.2V
Mounting: THT
Load current: 15A x2
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.32 грн
16+ 52.16 грн
43+ 49.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUJ302A,127 BUJ302A,127 WeEn Semiconductors PHGLS22628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
11+ 33.38 грн
13+ 26.98 грн
30+ 24.27 грн
41+ 19.82 грн
112+ 18.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors buj302ad.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.43 грн
11+ 33.38 грн
13+ 26.98 грн
30+ 24.27 грн
44+ 18.71 грн
119+ 17.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUJ302AX,127 BUJ302AX,127 WeEn Semiconductors buj302ax.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA225B-800B,118 BTA225B-800B,118 WeEn Semiconductors BTA225B-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.13 грн
6+ 66.07 грн
17+ 47.98 грн
47+ 45.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
BTA225B-800BTJ BTA225B-800BTJ WeEn Semiconductors bta225b-800bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NCR100Q-6MX WeEn Semiconductors NCR100Q-6M_0.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 800mA; 510mA; Igt: 100uA; SOT89; SMD; Ifsm: 9A
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT89
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.51A
Gate current: 100µA
Max. forward impulse current: 9A
товар відсутній
NCR100W-10LX WeEn Semiconductors ncr100w-10l.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 800mA; Igt: 50uA; SOT223; SMD; Ifsm: 11A
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT223
Max. off-state voltage: 850V
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Max. forward impulse current: 11A
товар відсутній
NCR100W-12LX WeEn Semiconductors ncr100w-12l.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1kV; Ifmax: 1.1A; 800mA; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT223
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Max. forward impulse current: 11A
товар відсутній
BTA312-600D,127 BTA312-600D,127 WeEn Semiconductors BTA312-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA316-600ET,127 BTA316-600ET.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316-600ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
10+ 37.69 грн
25+ 33.03 грн
27+ 30.32 грн
73+ 28.65 грн
500+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA316-600ET/DGQ bta316-600et.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 150A
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BTA316B-600B,118 bta316b-600b.pdf
BTA316B-600B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BTA316B-600C,118 BTA316B-600C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316B-600C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.92 грн
8+ 47.57 грн
22+ 37.69 грн
59+ 35.61 грн
400+ 34.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-600CTJ bta316b-600ct.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 150A
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BTA316B-600E,118 BTA316B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316B-600E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.6kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.92 грн
8+ 44.92 грн
22+ 37.69 грн
59+ 35.61 грн
500+ 34.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-800B,118 bta316b-800b.pdf
BTA316B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 50mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BTA316B-800C,118 BTA316B-800C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316B-800C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Max. load current: 16A
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.42 грн
8+ 45.62 грн
21+ 39.22 грн
57+ 37.07 грн
500+ 35.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA316B-800E,118 bta316b-800e.pdf
BTA316B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 3Q; Hi-Com
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 140A
Type of thyristor: triac
Gate current: 10mA
Max. load current: 16A
товар відсутній
BT150-500R,127 BT150-500R.pdf _ween_psg2020.pdf
BT150-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 4A; 2.5A; Igt: 15uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 4A
Load current: 2.5A
Gate current: 15µA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 35A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
17+ 20.58 грн
25+ 16.62 грн
57+ 14.33 грн
156+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
BT155K-1200TQ BT155K-1200T.pdf _ween_psg2020.pdf
BT155K-1200TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 50mA; SOT1259,TO3P; THT; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.65kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Turn-on time: 2µs
Load current: 50A
Max. load current: 79A
Case: SOT1259; TO3P
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+157.27 грн
5+ 128.65 грн
8+ 106.4 грн
21+ 100.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SMBJ26AJ SMBJ Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
товар відсутній
BT151X-500C,127
BT151X-500C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товар відсутній
BT151X-500R,127 bt151x-500r.pdf
BT151X-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
товар відсутній
BTA216-600BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600D,127 bta216-600d.pdf
BTA216-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600E,127 bta216-600d.pdf
BTA216-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA216-600F,127 BTA216-600F.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA216-600F,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 25mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BYW29E-100,127 BYW29E-100.pdf
BYW29E-100,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.895V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.42 грн
12+ 29.21 грн
25+ 25.73 грн
36+ 22.39 грн
100+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29E-150,127 BYW29E-150.pdf _ween_psg2020.pdf
BYW29E-150,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.8V
Heatsink thickness: 1.15...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.42 грн
12+ 30.6 грн
25+ 27.82 грн
39+ 20.72 грн
107+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYW29E-200,127 BYW29E-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYW29E-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.8V
Heatsink thickness: 1.15...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.67 грн
11+ 31.99 грн
25+ 25.73 грн
37+ 21.84 грн
102+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
BYW29ED-200,118 BYW29ED-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYW29ED-200,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 25ns; DPAK; Ufmax: 0.8V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Case: DPAK
Max. forward voltage: 0.8V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.77 грн
12+ 29.35 грн
25+ 25.38 грн
42+ 19.33 грн
115+ 18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
BYW29EX-200,127 BYW29EX-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYW29EX-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 88A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 0.8V
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.42 грн
14+ 25.73 грн
25+ 20.86 грн
46+ 17.87 грн
125+ 16.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYV410-600,127 BYV410-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BYV410-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 132A; SOT78,TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Case: SOT78; TO220AB
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 132A
товар відсутній
BYC10B-600,118 BYC10B-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BYC10B-600,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; 55ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.4V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 71A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.67 грн
9+ 40.89 грн
25+ 33.03 грн
27+ 29.83 грн
74+ 28.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
MURS360BJ MURS360B.pdf _ween_psg2020.pdf
MURS360BJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Mounting: SMD
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: SMB
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 0.88V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NXPSC206506Q nxpsc20650.pdf
NXPSC206506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
товар відсутній
NXPSC20650W-AQ _ween_psg2020.pdf NXPSC20650W-A.pdf
NXPSC20650W-AQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
товар відсутній
NXPSC20650W6Q nxpsc20650w.pdf
NXPSC20650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf
WNSC2D20650CJQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Technology: SiC
Case: SOT1293; TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A x2
товар відсутній
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW.pdf
WNSC2D20650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A x2
товар відсутній
WNSC5D20650X6Q WNSC5D20650X6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.8V
товар відсутній
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650W.pdf
WNSC6D20650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
товар відсутній
NXPLQSC20650W6Q
NXPLQSC20650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 48A
товар відсутній
BTA212-800B,127 PHGLS23360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bta212-600b.pdf
BTA212-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.17 грн
9+ 40.33 грн
10+ 36.23 грн
28+ 29.69 грн
75+ 28.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800B,127 bta312-800b.pdf
BTA312-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+50.18 грн
9+ 43.12 грн
25+ 38.74 грн
27+ 30.74 грн
72+ 29.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800C,127 bta312-800c.pdf
BTA312-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312-800CT,127 bta312-800ct.pdf
BTA312-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
9+ 40.13 грн
10+ 35.26 грн
26+ 31.43 грн
30+ 31.36 грн
71+ 29.69 грн
100+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312-800E,127 bta312-600e.pdf
BTA312-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312-800ET,127 bta312-800et.pdf
BTA312-800ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA212B-800B,118 BTA212B-x00B_ser.pdf
BTA212B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
9+ 38.94 грн
25+ 32.82 грн
68+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212B-800E,118 BTA212B-800E.PDF
BTA212B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
10+ 37.69 грн
25+ 33.03 грн
26+ 31.71 грн
70+ 29.97 грн
100+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212X-800B,127 BTA212X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA212X-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
10+ 37.69 грн
25+ 33.03 грн
29+ 28.51 грн
78+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA212X-800E,127 BTA212X-x00X_ser.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA312B-800B,118 bta312b-800b.pdf
BTA312B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.92 грн
8+ 44.92 грн
22+ 37.07 грн
60+ 35.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA312B-800C,118 bta312b-800c.pdf
BTA312B-800C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.92 грн
8+ 44.99 грн
10+ 39.71 грн
22+ 37 грн
30+ 35.68 грн
60+ 34.98 грн
100+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
BTA312B-800E,118 bta312b-600e.pdf
BTA312B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.68 грн
10+ 36.02 грн
25+ 32.48 грн
31+ 26.5 грн
84+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312B-800ET,118 bta312b-800et.pdf
BTA312B-800ET,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
10+ 37.69 грн
25+ 33.66 грн
29+ 28.51 грн
78+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA312X-800B,127 bta312x-800b.pdf PHGLS29888-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTA312X-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+48.68 грн
9+ 38.74 грн
11+ 34.15 грн
27+ 30.53 грн
73+ 28.86 грн
100+ 28.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
BYV72EW-200,127 byv72ew-200.pdf
BYV72EW-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 185A; TO247-3; 28ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 28ns
Max. forward impulse current: 185A
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.2V
Mounting: THT
Load current: 15A x2
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.32 грн
16+ 52.16 грн
43+ 49.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUJ302A,127 PHGLS22628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BUJ302A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
11+ 33.38 грн
13+ 26.98 грн
30+ 24.27 грн
41+ 19.82 грн
112+ 18.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUJ302AD,118 buj302ad.pdf
BUJ302AD,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
11+ 33.38 грн
13+ 26.98 грн
30+ 24.27 грн
44+ 18.71 грн
119+ 17.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUJ302AX,127 buj302ax.pdf
BUJ302AX,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA225B-800B,118 BTA225B-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA225B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+86.13 грн
6+ 66.07 грн
17+ 47.98 грн
47+ 45.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
BTA225B-800BTJ bta225b-800bt.pdf
BTA225B-800BTJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NCR100Q-6MX NCR100Q-6M_0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 800mA; 510mA; Igt: 100uA; SOT89; SMD; Ifsm: 9A
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT89
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.51A
Gate current: 100µA
Max. forward impulse current: 9A
товар відсутній
NCR100W-10LX ncr100w-10l.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 800mA; Igt: 50uA; SOT223; SMD; Ifsm: 11A
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT223
Max. off-state voltage: 850V
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Max. forward impulse current: 11A
товар відсутній
NCR100W-12LX ncr100w-12l.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1kV; Ifmax: 1.1A; 800mA; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Case: SOT223
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Max. forward impulse current: 11A
товар відсутній
BTA312-600D,127 BTA312-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 100  [ Наступна Сторінка >> ]