Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (584) > Сторінка 10 з 10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP70T03GJ XP70T03GJ YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB YAGEO XSEMI XP83T03GJB.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB YAGEO XSEMI XP83T03GJB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB YAGEO XSemi XP83T03GJB-3367897.pdf MOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S
на замовлення 7972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+80.29 грн
10+40.87 грн
80+32.11 грн
560+27.13 грн
2560+24.72 грн
5040+22.96 грн
10000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.26 грн
10+225.80 грн
50+176.70 грн
100+150.99 грн
500+133.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSemi XP8NA1R2TL.pdf MOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+369.44 грн
10+201.00 грн
100+155.04 грн
500+133.10 грн
2000+114.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSemi XP8NA2R2CXT.pdf MOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+201.36 грн
10+97.56 грн
100+76.06 грн
500+60.99 грн
1000+59.02 грн
3000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.11 грн
10+178.85 грн
100+128.59 грн
500+102.15 грн
1000+95.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.02 грн
13+23.77 грн
100+16.10 грн
500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSemi XP9452GG-3435612.pdf MOSFETs N-CH 20V 4A S OT-89
на замовлення 987 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+35.75 грн
12+26.24 грн
100+15.50 грн
500+12.14 грн
1000+10.82 грн
2000+8.63 грн
10000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.38 грн
10+89.43 грн
100+69.57 грн
500+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSemi XP9561GH.pdf MOSFETs P-CH -40V -45 A TO-252
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+106.65 грн
10+65.94 грн
100+38.03 грн
500+30.06 грн
1000+27.13 грн
3000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI YAGEO XSEMI XP9561GI.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI YAGEO XSemi XP9561GI-3435692.pdf MOSFETs P-CH -40V -36 A TO-220CFM
на замовлення 408 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+97.27 грн
10+55.59 грн
100+43.66 грн
500+35.18 грн
1000+30.06 грн
2500+29.84 грн
5000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI YAGEO XSEMI XP9561GI.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.76 грн
50+49.82 грн
100+44.46 грн
500+32.87 грн
1000+30.02 грн
2000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GM XP9561GM YAGEO XSEMI XP9561GM.pdf Description: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSEMI XP9565BGH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.33 грн
10+52.36 грн
100+40.71 грн
500+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSEMI XP9565BGH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSEMI XP9565BGH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSemi XP9565BGH.pdf MOSFET P-CH -40V -17 A TO-252
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+72.18 грн
10+58.79 грн
100+39.78 грн
500+33.71 грн
1000+27.50 грн
3000+25.82 грн
6000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSEMI XP9565BGH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM YAGEO XSemi XP9565GEM_HF-3367915.pdf MOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+98.97 грн
10+80.57 грн
100+54.12 грн
500+45.93 грн
1000+39.20 грн
3000+33.28 грн
9000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM YAGEO XSEMI XP9565GEM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM YAGEO XSEMI XP9565GEM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH YAGEO XSEMI XP9575GH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH YAGEO XSemi XP9575GH_HF-3367843.pdf MOSFET P-CH -60V -15 A TO-252
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+278.15 грн
10+229.60 грн
25+188.68 грн
100+161.62 грн
250+152.12 грн
500+143.34 грн
1000+122.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH YAGEO XSEMI XP9575GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH YAGEO XSEMI XP9575GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH YAGEO XSEMI XP9575GH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9926GM XP9926GM YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP70T03GJ
XP70T03GJ
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB.pdf
XP83T03GJB
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB.pdf
XP83T03GJB
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB-3367897.pdf
XP83T03GJB
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S
на замовлення 7972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.29 грн
10+40.87 грн
80+32.11 грн
560+27.13 грн
2560+24.72 грн
5040+22.96 грн
10000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+353.26 грн
10+225.80 грн
50+176.70 грн
100+150.99 грн
500+133.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+369.44 грн
10+201.00 грн
100+155.04 грн
500+133.10 грн
2000+114.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.36 грн
10+97.56 грн
100+76.06 грн
500+60.99 грн
1000+59.02 грн
3000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.11 грн
10+178.85 грн
100+128.59 грн
500+102.15 грн
1000+95.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
13+23.77 грн
100+16.10 грн
500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG-3435612.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 4A S OT-89
на замовлення 987 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.75 грн
12+26.24 грн
100+15.50 грн
500+12.14 грн
1000+10.82 грн
2000+8.63 грн
10000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.38 грн
10+89.43 грн
100+69.57 грн
500+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -40V -45 A TO-252
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.65 грн
10+65.94 грн
100+38.03 грн
500+30.06 грн
1000+27.13 грн
3000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI.pdf
XP9561GI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI-3435692.pdf
XP9561GI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -40V -36 A TO-220CFM
на замовлення 408 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.27 грн
10+55.59 грн
100+43.66 грн
500+35.18 грн
1000+30.06 грн
2500+29.84 грн
5000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI.pdf
XP9561GI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.76 грн
50+49.82 грн
100+44.46 грн
500+32.87 грн
1000+30.02 грн
2000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GM XP9561GM.pdf
XP9561GM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.33 грн
10+52.36 грн
100+40.71 грн
500+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -40V -17 A TO-252
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.18 грн
10+58.79 грн
100+39.78 грн
500+33.71 грн
1000+27.50 грн
3000+25.82 грн
6000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM_HF-3367915.pdf
XP9565GEM
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.97 грн
10+80.57 грн
100+54.12 грн
500+45.93 грн
1000+39.20 грн
3000+33.28 грн
9000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM.pdf
XP9565GEM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM.pdf
XP9565GEM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH.pdf
XP9575GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH_HF-3367843.pdf
XP9575GH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -60V -15 A TO-252
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.15 грн
10+229.60 грн
25+188.68 грн
100+161.62 грн
250+152.12 грн
500+143.34 грн
1000+122.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH.pdf
XP9575GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH.pdf
XP9575GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH.pdf
XP9575GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9926GM
XP9926GM
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.