Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (484) > Сторінка 1 з 9

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP0504GMT XP0504GMT YAGEO XSEMI XP0504GMT.pdf Description: MOSFET N CH 40V 23.6A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.6A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP0504GMT XP0504GMT YAGEO XSemi XP0504GMT-3450493.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT YAGEO XSEMI XP10A250YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10A250 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT YAGEO XSemi XP10A250YT-3367853.pdf MOSFETs Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.77 грн
10+94.16 грн
100+55.97 грн
500+44.79 грн
1000+41.17 грн
3000+39.13 грн
6000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT YAGEO XSEMI XP10A250YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10A250 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.44 грн
13+70.83 грн
100+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT YAGEO XSEMI XP10A250YT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT YAGEO XSEMI XP10A250YT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.58 грн
10+92.83 грн
100+62.50 грн
500+46.43 грн
1000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M YAGEO XSemi XP10C150M.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 100V/-1
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.75 грн
10+39.65 грн
100+22.36 грн
500+17.08 грн
1000+15.75 грн
3000+13.15 грн
6000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M YAGEO XSEMI XP10C150M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M YAGEO XSEMI XP10C150M.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M YAGEO XSEMI XP10C150M.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+65.85 грн
100+45.40 грн
500+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M YAGEO XSEMI XP10C150M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.96 грн
14+64.12 грн
100+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N011LM XP10N011LM YAGEO XSEMI XP10N011LM.pdf Description: MOSFET N CH 100V 11A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N024H XP10N024H YAGEO XSEMI XP10N024H.pdf Description: MOSFET N CH 100V 25.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.90 грн
10+140.89 грн
100+99.29 грн
500+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+172.21 грн
10+118.34 грн
100+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT YAGEO XSemi XP10N3R5XT.pdf MOSFETs N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.49 грн
10+142.14 грн
100+87.39 грн
500+77.15 грн
1000+75.18 грн
3000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT YAGEO XSEMI XP10N3R8IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.29 грн
10+136.00 грн
100+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT YAGEO XSEMI XP10N3R8IT.pdf Description: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.76 грн
50+148.74 грн
100+135.22 грн
500+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT YAGEO XSemi XP10N3R8IT.pdf MOSFETs N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.58 грн
10+142.14 грн
100+118.88 грн
500+111.79 грн
1000+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P XP10N3R8P YAGEO XSEMI XP10N3R8P.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.81 грн
50+130.72 грн
100+118.10 грн
500+90.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P XP10N3R8P YAGEO XSemi XP10N3R8P-3367834.pdf MOSFETs N-CH 100V 130 A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P XP10N3R8P YAGEO XSEMI XP10N3R8P.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 3880 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3880µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+216.37 грн
10+100.68 грн
100+83.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8S XP10N3R8S YAGEO XSEMI XP10N3R8S.pdf Description: MOSFET N CH 100V 132A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H YAGEO XSEMI XP10NA011H.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.42 грн
10+54.21 грн
100+35.67 грн
500+26.01 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H YAGEO XSEMI XP10NA011H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.28 грн
10+169.56 грн
100+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H YAGEO XSemi XP10NA011H.pdf MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-252
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.33 грн
10+172.92 грн
100+107.85 грн
500+95.26 грн
1000+91.32 грн
3000+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H YAGEO XSEMI XP10NA011H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H YAGEO XSEMI XP10NA011H.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011J XP10NA011J YAGEO XSEMI XP10NA011J.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.86 грн
80+35.83 грн
160+31.91 грн
560+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011J XP10NA011J YAGEO XSEMI XP10NA011J.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.65 грн
10+96.26 грн
100+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011J XP10NA011J YAGEO XSemi XP10NA011J.pdf MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-251
на замовлення 7862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.20 грн
10+69.98 грн
80+59.75 грн
560+58.89 грн
1040+53.53 грн
2560+52.35 грн
5040+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011MT XP10NA011MT YAGEO XSEMI XP10NA011MT.pdf Description: MOSFET N CH 100V 15.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+419.49 грн
10+288.79 грн
100+220.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.15 грн
10+319.33 грн
100+238.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL YAGEO XSemi XP10NA1R5TL.pdf MOSFETs N-CH 100V 300 A TOLL
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.67 грн
10+346.75 грн
100+229.88 грн
1000+207.84 грн
2000+207.05 грн
4000+183.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R2LMT XP10NA8R2LMT YAGEO XSEMI XP10NA8R2LMT.pdf Description: MOSFET N CH 100V 17.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4H XP10NA8R4H YAGEO XSEMI XP10NA8R4H.pdf Description: MOSFET N CH 100V 66A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4IT XP10NA8R4IT YAGEO XSemi XP10NA8R4IT.pdf MOSFETs N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.55 грн
10+84.11 грн
100+55.11 грн
500+48.65 грн
1000+48.02 грн
10000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4IT XP10NA8R4IT YAGEO XSEMI XP10NA8R4IT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.29 грн
50+72.15 грн
100+65.85 грн
500+53.88 грн
1000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4IT XP10NA8R4IT YAGEO XSEMI XP10NA8R4IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA8R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 8400 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA8R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.76 грн
11+82.57 грн
100+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4MT XP10NA8R4MT YAGEO XSEMI XP10NA8R4MT.pdf Description: MOSFET N CH 100V 17.8A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.8A (Ta), 66.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NB6R9CST XP10NB6R9CST YAGEO XSEMI XP10NB6R9CST.pdf Description: MOSFET N CH 100V 20A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4768 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P135YT XP10P135YT YAGEO XSEMI XP10P135YT.pdf Description: MOSFET P CH -100V -3.4A PMPAK3X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N YAGEO XSEMI XP10P500N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10P500N_ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N YAGEO XSEMI XP10P500N.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N YAGEO XSEMI XP10P500N.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+84.31 грн
10+55.52 грн
100+37.48 грн
500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N YAGEO XSemi XP10P500N-3367845.pdf MOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.42 грн
10+105.02 грн
100+71.25 грн
500+60.38 грн
1000+51.57 грн
3000+43.77 грн
9000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N YAGEO XSEMI XP10P500N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10P500N_ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.13 грн
16+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN010CMT XP10TN010CMT YAGEO XSEMI XP10TN010CMT.pdf Description: MOSFET N CH 100V 17A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT YAGEO XSEMI XP10TN028YT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT YAGEO XSEMI XP10TN028YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.81 грн
24+37.71 грн
100+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT YAGEO XSEMI XP10TN028YT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.57 грн
10+44.69 грн
100+29.95 грн
500+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT YAGEO XSEMI XP10TN028YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT YAGEO XSemi XP10TN028YT-3367854.pdf MOSFET N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.82 грн
10+167.49 грн
100+116.51 грн
250+107.85 грн
500+97.62 грн
1000+88.96 грн
3000+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H YAGEO XSEMI XP10TN135H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP0504GMT XP0504GMT.pdf
XP0504GMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 40V 23.6A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.6A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP0504GMT XP0504GMT-3450493.pdf
XP0504GMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT.pdf
XP10A250YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10A250 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT-3367853.pdf
XP10A250YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.77 грн
10+94.16 грн
100+55.97 грн
500+44.79 грн
1000+41.17 грн
3000+39.13 грн
6000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT.pdf
XP10A250YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10A250 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.44 грн
13+70.83 грн
100+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT.pdf
XP10A250YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT.pdf
XP10A250YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.58 грн
10+92.83 грн
100+62.50 грн
500+46.43 грн
1000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M.pdf
XP10C150M
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 100V/-1
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.75 грн
10+39.65 грн
100+22.36 грн
500+17.08 грн
1000+15.75 грн
3000+13.15 грн
6000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M.pdf
XP10C150M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M.pdf
XP10C150M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M.pdf
XP10C150M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.08 грн
10+65.85 грн
100+45.40 грн
500+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M.pdf
XP10C150M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.96 грн
14+64.12 грн
100+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N011LM XP10N011LM.pdf
XP10N011LM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 11A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N024H XP10N024H.pdf
XP10N024H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 25.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.90 грн
10+140.89 грн
100+99.29 грн
500+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+172.21 грн
10+118.34 грн
100+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.49 грн
10+142.14 грн
100+87.39 грн
500+77.15 грн
1000+75.18 грн
3000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT.pdf
XP10N3R8IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.29 грн
10+136.00 грн
100+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT.pdf
XP10N3R8IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.76 грн
50+148.74 грн
100+135.22 грн
500+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT.pdf
XP10N3R8IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.58 грн
10+142.14 грн
100+118.88 грн
500+111.79 грн
1000+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P XP10N3R8P.pdf
XP10N3R8P
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.81 грн
50+130.72 грн
100+118.10 грн
500+90.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P XP10N3R8P-3367834.pdf
XP10N3R8P
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 130 A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P XP10N3R8P.pdf
XP10N3R8P
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 3880 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3880µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+216.37 грн
10+100.68 грн
100+83.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8S XP10N3R8S.pdf
XP10N3R8S
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 132A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H.pdf
XP10NA011H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.42 грн
10+54.21 грн
100+35.67 грн
500+26.01 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H.pdf
XP10NA011H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.28 грн
10+169.56 грн
100+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H.pdf
XP10NA011H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-252
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.33 грн
10+172.92 грн
100+107.85 грн
500+95.26 грн
1000+91.32 грн
3000+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H.pdf
XP10NA011H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011H XP10NA011H.pdf
XP10NA011H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011J XP10NA011J.pdf
XP10NA011J
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.86 грн
80+35.83 грн
160+31.91 грн
560+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011J XP10NA011J.pdf
XP10NA011J
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.65 грн
10+96.26 грн
100+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011J XP10NA011J.pdf
XP10NA011J
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-251
на замовлення 7862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.20 грн
10+69.98 грн
80+59.75 грн
560+58.89 грн
1040+53.53 грн
2560+52.35 грн
5040+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA011MT XP10NA011MT.pdf
XP10NA011MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 15.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL.pdf
XP10NA1R5TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+419.49 грн
10+288.79 грн
100+220.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL.pdf
XP10NA1R5TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL.pdf
XP10NA1R5TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.15 грн
10+319.33 грн
100+238.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL.pdf
XP10NA1R5TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+220.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL.pdf
XP10NA1R5TL
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 300 A TOLL
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.67 грн
10+346.75 грн
100+229.88 грн
1000+207.84 грн
2000+207.05 грн
4000+183.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R2LMT XP10NA8R2LMT.pdf
XP10NA8R2LMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 17.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4H XP10NA8R4H.pdf
XP10NA8R4H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 66A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4IT XP10NA8R4IT.pdf
XP10NA8R4IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.55 грн
10+84.11 грн
100+55.11 грн
500+48.65 грн
1000+48.02 грн
10000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4IT XP10NA8R4IT.pdf
XP10NA8R4IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.29 грн
50+72.15 грн
100+65.85 грн
500+53.88 грн
1000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4IT XP10NA8R4IT.pdf
XP10NA8R4IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA8R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 8400 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA8R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.76 грн
11+82.57 грн
100+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA8R4MT XP10NA8R4MT.pdf
XP10NA8R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 17.8A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.8A (Ta), 66.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NB6R9CST XP10NB6R9CST.pdf
XP10NB6R9CST
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 20A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4768 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P135YT XP10P135YT.pdf
XP10P135YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -100V -3.4A PMPAK3X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N.pdf
XP10P500N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10P500N_ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N.pdf
XP10P500N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N.pdf
XP10P500N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.31 грн
10+55.52 грн
100+37.48 грн
500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N-3367845.pdf
XP10P500N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.42 грн
10+105.02 грн
100+71.25 грн
500+60.38 грн
1000+51.57 грн
3000+43.77 грн
9000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10P500N XP10P500N.pdf
XP10P500N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10P500N_ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.13 грн
16+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN010CMT XP10TN010CMT.pdf
XP10TN010CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 100V 17A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT.pdf
XP10TN028YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT.pdf
XP10TN028YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.81 грн
24+37.71 грн
100+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT.pdf
XP10TN028YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.57 грн
10+44.69 грн
100+29.95 грн
500+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT.pdf
XP10TN028YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT-3367854.pdf
XP10TN028YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.82 грн
10+167.49 грн
100+116.51 грн
250+107.85 грн
500+97.62 грн
1000+88.96 грн
3000+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H.pdf
XP10TN135H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]