Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (463) > Сторінка 7 з 8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSEMI XP60SL115DR.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL115D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.78 грн
10+285.55 грн
100+165.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSEMI XP60SL115DR.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.14 грн
50+176.81 грн
100+160.92 грн
500+124.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSemi XP60SL115DR-3367891.pdf MOSFETs N-CH 600V 28A TO-262
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.58 грн
10+291.88 грн
50+161.11 грн
100+147.14 грн
500+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.58 грн
10+72.57 грн
100+48.52 грн
500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
11+75.18 грн
100+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSemi XP60SL600DH-3367867.pdf MOSFETs N-CH 600V 7A TO-252
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.18 грн
10+104.06 грн
3000+69.82 грн
6000+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSemi XP65AN1K2IT-3367904.pdf MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.34 грн
10+86.30 грн
100+67.90 грн
500+55.62 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.96 грн
50+62.23 грн
100+56.53 грн
500+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.90 грн
10+86.65 грн
100+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSemi XP65SL190DI-3367838.pdf MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.76 грн
10+152.29 грн
100+120.65 грн
500+114.03 грн
1000+106.67 грн
2500+105.20 грн
5000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSEMI XP65SL190DI.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.95 грн
10+198.89 грн
100+153.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSEMI XP65SL190DI.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.70 грн
50+140.18 грн
100+127.08 грн
500+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DH XP65SL380DH YAGEO XSEMI XP65SL380DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DH XP65SL380DH YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.13 грн
10+127.92 грн
100+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DH XP65SL380DH YAGEO XSemi XP65SL380DH-3367863.pdf MOSFETs N-CH 650V 10A TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.42 грн
10+142.13 грн
100+87.55 грн
500+71.29 грн
1000+70.63 грн
3000+67.02 грн
6000+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSEMI XP6677GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSEMI XP6677GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.99 грн
12+69.32 грн
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSemi XP6677GH_HF-3367796.pdf MOSFET P-CH -40V -60 A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.57 грн
10+175.13 грн
100+122.12 грн
250+112.56 грн
500+102.26 грн
1000+86.81 грн
3000+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSEMI XP6677GH-HF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSEMI XP6677GH-HF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.16 грн
10+158.40 грн
100+126.10 грн
500+100.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6932MT XP6932MT YAGEO XSEMI XP6932MT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 14.2A 8PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.78W (Ta), 2.08W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 28A (Tc), 22.9A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1712pF @ 15V, 3920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 14A, 10V, 2.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6A100M XP6A100M YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI XP6N090N.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
12+26.06 грн
100+18.09 грн
500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI 4018017.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.01 грн
500+17.93 грн
1000+13.30 грн
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI XP6N090N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.14 грн
61+13.53 грн
118+7.01 грн
500+5.52 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI XP6N090N.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSemi XP6NA1R4CXT-3367909.pdf MOSFETs N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.50 грн
10+181.90 грн
100+113.30 грн
250+112.56 грн
500+93.43 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.86 грн
10+492.68 грн
100+410.56 грн
500+339.97 грн
1000+305.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.79 грн
10+178.26 грн
100+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSemi XP6NA1R7CMT-3367831.pdf MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.38 грн
10+122.67 грн
100+75.04 грн
500+60.62 грн
1000+56.06 грн
3000+54.00 грн
6000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.31 грн
10+120.49 грн
100+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.39 грн
10+101.39 грн
100+72.22 грн
500+55.64 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI XP6NA2R4IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0024 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.54 грн
10+113.89 грн
100+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI XP6NA2R4IT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.89 грн
50+483.14 грн
100+432.29 грн
500+357.96 грн
1000+322.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSemi XP6NA2R4IT-3367901.pdf MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.90 грн
10+567.69 грн
25+448.03 грн
100+411.98 грн
250+386.97 грн
500+363.43 грн
1000+327.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSemi XP6NA3R0H-3367892.pdf MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.36 грн
10+112.52 грн
100+67.61 грн
500+54.73 грн
1000+53.85 грн
3000+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSEMI XP6NA3R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.98 грн
10+110.59 грн
100+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSEMI XP6NA3R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSEMI XP6NA3R5IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0035 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.85 грн
10+103.16 грн
100+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSEMI XP6NA3R5IT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.56 грн
50+295.73 грн
100+253.48 грн
500+211.45 грн
1000+181.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSemi XP6NA3R5IT-3367870.pdf MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.56 грн
10+342.64 грн
25+281.77 грн
100+241.30 грн
250+228.06 грн
500+214.08 грн
1000+183.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSEMI XP6NA6R5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.15 грн
10+105.64 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSEMI XP6NA6R5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSemi XP6NA6R5H-3367833.pdf MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.50 грн
10+107.45 грн
100+64.74 грн
500+52.31 грн
1000+51.50 грн
3000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P025H XP6P025H YAGEO XSEMI XP6P025H.pdf Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSemi XP6P250N-3367902.pdf MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.66 грн
10+34.60 грн
100+20.30 грн
500+15.89 грн
1000+13.98 грн
3000+9.71 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.46 грн
26+32.60 грн
100+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+72.88 грн
100+56.71 грн
500+45.11 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSemi XP70SL1K4AH-3367914.pdf MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.73 грн
10+80.20 грн
100+47.82 грн
500+38.26 грн
1000+37.52 грн
3000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.96 грн
10+127.67 грн
100+101.63 грн
500+80.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.97 грн
11+81.95 грн
100+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR.pdf
XP60SL115DR
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL115D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+312.78 грн
10+285.55 грн
100+165.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR.pdf
XP60SL115DR
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.14 грн
50+176.81 грн
100+160.92 грн
500+124.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR-3367891.pdf
XP60SL115DR
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 28A TO-262
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.58 грн
10+291.88 грн
50+161.11 грн
100+147.14 грн
500+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.58 грн
10+72.57 грн
100+48.52 грн
500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.11 грн
11+75.18 грн
100+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH-3367867.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 7A TO-252
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.18 грн
10+104.06 грн
3000+69.82 грн
6000+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT-3367904.pdf
XP65AN1K2IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.34 грн
10+86.30 грн
100+67.90 грн
500+55.62 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT.pdf
XP65AN1K2IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.96 грн
50+62.23 грн
100+56.53 грн
500+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT.pdf
XP65AN1K2IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.90 грн
10+86.65 грн
100+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI-3367838.pdf
XP65SL190DI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.76 грн
10+152.29 грн
100+120.65 грн
500+114.03 грн
1000+106.67 грн
2500+105.20 грн
5000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI.pdf
XP65SL190DI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.95 грн
10+198.89 грн
100+153.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI.pdf
XP65SL190DI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.70 грн
50+140.18 грн
100+127.08 грн
500+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DH XP65SL380DH.pdf
XP65SL380DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DH
XP65SL380DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.13 грн
10+127.92 грн
100+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DH XP65SL380DH-3367863.pdf
XP65SL380DH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 10A TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.42 грн
10+142.13 грн
100+87.55 грн
500+71.29 грн
1000+70.63 грн
3000+67.02 грн
6000+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH.pdf
XP6677GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH.pdf
XP6677GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.99 грн
12+69.32 грн
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH_HF-3367796.pdf
XP6677GH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -40V -60 A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.57 грн
10+175.13 грн
100+122.12 грн
250+112.56 грн
500+102.26 грн
1000+86.81 грн
3000+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH-HF.pdf
XP6677GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GH XP6677GH-HF.pdf
XP6677GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.16 грн
10+158.40 грн
100+126.10 грн
500+100.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6932MT XP6932MT.pdf
XP6932MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14.2A 8PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.78W (Ta), 2.08W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 28A (Tc), 22.9A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1712pF @ 15V, 3920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 14A, 10V, 2.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6A100M
XP6A100M
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090N XP6N090N.pdf
XP6N090N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
12+26.06 грн
100+18.09 грн
500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090N 4018017.pdf
XP6N090N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.01 грн
500+17.93 грн
1000+13.30 грн
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090N XP6N090N.pdf
XP6N090N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.14 грн
61+13.53 грн
118+7.01 грн
500+5.52 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090N XP6N090N.pdf
XP6N090N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT-3367909.pdf
XP6NA1R4CXT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.50 грн
10+181.90 грн
100+113.30 грн
250+112.56 грн
500+93.43 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.86 грн
10+492.68 грн
100+410.56 грн
500+339.97 грн
1000+305.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.79 грн
10+178.26 грн
100+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT-3367831.pdf
XP6NA1R7CMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.38 грн
10+122.67 грн
100+75.04 грн
500+60.62 грн
1000+56.06 грн
3000+54.00 грн
6000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.31 грн
10+120.49 грн
100+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.39 грн
10+101.39 грн
100+72.22 грн
500+55.64 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT.pdf
XP6NA2R4IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0024 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.54 грн
10+113.89 грн
100+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT.pdf
XP6NA2R4IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.89 грн
50+483.14 грн
100+432.29 грн
500+357.96 грн
1000+322.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT-3367901.pdf
XP6NA2R4IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.90 грн
10+567.69 грн
25+448.03 грн
100+411.98 грн
250+386.97 грн
500+363.43 грн
1000+327.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H-3367892.pdf
XP6NA3R0H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.36 грн
10+112.52 грн
100+67.61 грн
500+54.73 грн
1000+53.85 грн
3000+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.98 грн
10+110.59 грн
100+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT.pdf
XP6NA3R5IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0035 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.85 грн
10+103.16 грн
100+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT.pdf
XP6NA3R5IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.56 грн
50+295.73 грн
100+253.48 грн
500+211.45 грн
1000+181.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT-3367870.pdf
XP6NA3R5IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.56 грн
10+342.64 грн
25+281.77 грн
100+241.30 грн
250+228.06 грн
500+214.08 грн
1000+183.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H.pdf
XP6NA6R5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.15 грн
10+105.64 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H.pdf
XP6NA6R5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H-3367833.pdf
XP6NA6R5H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.50 грн
10+107.45 грн
100+64.74 грн
500+52.31 грн
1000+51.50 грн
3000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P025H XP6P025H.pdf
XP6P025H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N-3367902.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.66 грн
10+34.60 грн
100+20.30 грн
500+15.89 грн
1000+13.98 грн
3000+9.71 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.46 грн
26+32.60 грн
100+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.31 грн
10+72.88 грн
100+56.71 грн
500+45.11 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH-3367914.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.73 грн
10+80.20 грн
100+47.82 грн
500+38.26 грн
1000+37.52 грн
3000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.96 грн
10+127.67 грн
100+101.63 грн
500+80.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.97 грн
11+81.95 грн
100+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]