Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (584) > Сторінка 8 з 10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP60SA115DP XP60SA115DP YAGEO XSemi XP60SA115DP.pdf MOSFETs N-MOS 600V 28A 115mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DIN XP60SA180DIN YAGEO XSemi XP60SA180DIN.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DIT XP60SA180DIT YAGEO XSemi XP60SA180DIT.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DP XP60SA180DP YAGEO XSemi XP60SA180DP.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DR XP60SA180DR YAGEO XSemi XP60SA180DR.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA190DDT8 XP60SA190DDT8 YAGEO XSemi XP60SA190DDT8.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 190mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSEMI XP60SA290DH Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSEMI XP60SA290DH Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.21 грн
10+99.45 грн
50+75.34 грн
100+63.40 грн
500+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSemi XP60SA290DH.pdf MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+174.91 грн
10+83.93 грн
100+65.38 грн
500+52.00 грн
1000+49.29 грн
3000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSEMI XP60SA290DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSEMI XP60SA290DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DIT XP60SA290DIT YAGEO XSEMI XP60SA290DIT.pdf Description: MOSFET N CH 600V 13.3A TO-220CF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DIT XP60SA290DIT YAGEO XSemi XP60SA290DIT.pdf MOSFETs N-MOS, 600V, 13.3A, 290mO, TO-220CFM-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DS XP60SA290DS YAGEO XSemi XP60SA290DS.pdf MOSFETs N-MOS 600V 13.3A 290mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DI XP60SA380DI YAGEO XSemi XP60SA380DI.pdf MOSFETs N-MOS 600V 10A 380mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DIN XP60SA380DIN YAGEO XSemi XP60SA380DIN.pdf MOSFETs N-MOS 600V 10A 380mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DIT XP60SA380DIT YAGEO XSemi XP60SA380DIT.pdf MOSFETs MOS N 600V 380mohm TO-220CFM-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC045QWL YAGEO XSemi XP60SC045QWL.pdf MOSFETs N-MOS 600V 60A 45mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060ADIT XP60SC060ADIT YAGEO XSemi XP60SC060ADIT.pdf MOSFETs N-MOS 600V 49A 60mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060ADP XP60SC060ADP YAGEO XSemi XP60SC060ADP.pdf MOSFETs N-MOS 600V 50A 60mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060ADTL XP60SC060ADTL YAGEO XSemi XP60SC060ADTL.pdf MOSFETs N-MOS 600V 49A 60mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060QWL YAGEO XSemi XP60SC060QWL.pdf MOSFETs N-MOS 600V 49A 60mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC065DDT8 XP60SC065DDT8 YAGEO XSemi XP60SC065DDT8.pdf MOSFETs N-MOS 600V 49A 65mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC085DDT8 XP60SC085DDT8 YAGEO XSemi XP60SC085DDT8.pdf MOSFETs N-MOS 600V 43A 85mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC085DIT XP60SC085DIT YAGEO XSemi XP60SC085DIT.pdf MOSFETs N-MOS 600V 33A 85mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC095DIT XP60SC095DIT YAGEO XSemi XP60SC095DIT.pdf MOSFETs N-MOS 600V 31A 95mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC095DP XP60SC095DP YAGEO XSemi XP60SC095DP.pdf MOSFETs N-MOS 600V 31A 95mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC095DWL XP60SC095DWL YAGEO XSemi XP60SC095DWL.pdf MOSFETs N-MOS 600V 31A 95mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC120DR XP60SC120DR YAGEO XSemi XP60SC120DR.pdf MOSFETs N-MOS 600V 27A 120mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC180DIT XP60SC180DIT YAGEO XSemi XP60SC180DIT.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC180UDIT XP60SC180UDIT YAGEO XSemi XP60SC180UDIT.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC280ADIT XP60SC280ADIT YAGEO XSemi XP60SC280ADIT.pdf MOSFETs N-MOS 600V 13.5A 280mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC380DH XP60SC380DH YAGEO XSEMI XP60SC380DH.pdf Description: MOSFET N CH 600V 10A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC380DH XP60SC380DH YAGEO XSemi XP60SC380DH.pdf MOSFETs N-MOS, 600V, 10A, 380mO, TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC600DH XP60SC600DH YAGEO XSemi XP60SC600DH.pdf MOSFETs N-MOS 600V 6.5A 600mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC600DIT XP60SC600DIT YAGEO XSemi XP60SC600DIT.pdf MOSFETs N-MOS 600V 6.5A 600mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DI YAGEO XSEMI XP60SL115DI Description: MOS N 600V 115MOHM TO-220CFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DI XP60SL115DI YAGEO XSemi XP60SL115DI.pdf MOSFETs N-MOS 600V 28A 115mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSEMI XP60SL115DR.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL115D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSEMI XP60SL115DR Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.18 грн
10+205.52 грн
50+160.08 грн
100+136.49 грн
500+112.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSemi XP60SL115DR.pdf MOSFETs N-CH 600V 28A TO-262
на замовлення 999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+349.82 грн
10+178.30 грн
100+140.41 грн
500+114.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DS YAGEO XSEMI XP60SL115DS Description: MOS N 600V 115MOHM TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DS XP60SL115DS YAGEO XSemi XP60SL115DS.pdf MOSFETs N-MOS 600V 28A 115mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DI XP60SL160DI YAGEO XSemi XP60SL160DI.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 160mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DIN XP60SL160DIN YAGEO XSemi XP60SL160DIN.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 160mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DP XP60SL160DP YAGEO XSemi XP60SL160DP.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 160mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DS XP60SL160DS YAGEO XSemi XP60SL160DS.pdf MOSFETs N-MOS 600V 20A 160mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.93 грн
10+70.34 грн
100+47.03 грн
500+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSemi XP60SL600DH-3367867.pdf MOSFETs N-CH 600V 7A TO-252
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+131.39 грн
10+103.45 грн
3000+69.40 грн
6000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DI XP60SL600DI YAGEO XSemi XP60SL600DI.pdf MOSFETs N-MOS 600V 7A 600mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DIN XP60SL600DIN YAGEO XSemi XP60SL600DIN.pdf MOSFETs N-MOS 600V 7A 600mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL650AFH XP60SL650AFH YAGEO XSemi XP60SL650AFH.pdf MOSFETs N-MOS 600V 5.8A 650mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL650AFI XP60SL650AFI YAGEO XSemi XP60SL650AFI.pdf MOSFETs N-MOS 600V 5.8A 650mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSemi XP65AN1K2IT-3367904.pdf MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+148.46 грн
10+85.78 грн
100+67.50 грн
500+55.29 грн
1000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.24 грн
50+60.31 грн
100+54.79 грн
500+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSEMI XP65SL190DI.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.54 грн
50+110.24 грн
100+99.63 грн
500+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA115DP XP60SA115DP.pdf
XP60SA115DP
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 28A 115mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DIN XP60SA180DIN.pdf
XP60SA180DIN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DIT XP60SA180DIT.pdf
XP60SA180DIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DP XP60SA180DP.pdf
XP60SA180DP
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DR XP60SA180DR.pdf
XP60SA180DR
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA190DDT8 XP60SA190DDT8.pdf
XP60SA190DDT8
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 190mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.21 грн
10+99.45 грн
50+75.34 грн
100+63.40 грн
500+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH.pdf
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.91 грн
10+83.93 грн
100+65.38 грн
500+52.00 грн
1000+49.29 грн
3000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH.pdf
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH.pdf
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DIT XP60SA290DIT.pdf
XP60SA290DIT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 600V 13.3A TO-220CF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DIT XP60SA290DIT.pdf
XP60SA290DIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS, 600V, 13.3A, 290mO, TO-220CFM-T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DS XP60SA290DS.pdf
XP60SA290DS
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 13.3A 290mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DI XP60SA380DI.pdf
XP60SA380DI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 10A 380mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DIN XP60SA380DIN.pdf
XP60SA380DIN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 10A 380mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DIT XP60SA380DIT.pdf
XP60SA380DIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs MOS N 600V 380mohm TO-220CFM-T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC045QWL XP60SC045QWL.pdf
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 60A 45mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060ADIT XP60SC060ADIT.pdf
XP60SC060ADIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 49A 60mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060ADP XP60SC060ADP.pdf
XP60SC060ADP
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 50A 60mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060ADTL XP60SC060ADTL.pdf
XP60SC060ADTL
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 49A 60mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060QWL XP60SC060QWL.pdf
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 49A 60mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC065DDT8 XP60SC065DDT8.pdf
XP60SC065DDT8
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 49A 65mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC085DDT8 XP60SC085DDT8.pdf
XP60SC085DDT8
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 43A 85mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC085DIT XP60SC085DIT.pdf
XP60SC085DIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 33A 85mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC095DIT XP60SC095DIT.pdf
XP60SC095DIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 31A 95mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC095DP XP60SC095DP.pdf
XP60SC095DP
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 31A 95mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC095DWL XP60SC095DWL.pdf
XP60SC095DWL
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 31A 95mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC120DR XP60SC120DR.pdf
XP60SC120DR
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 27A 120mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC180DIT XP60SC180DIT.pdf
XP60SC180DIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC180UDIT XP60SC180UDIT.pdf
XP60SC180UDIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 180mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC280ADIT XP60SC280ADIT.pdf
XP60SC280ADIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 13.5A 280mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC380DH XP60SC380DH.pdf
XP60SC380DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 600V 10A TO-252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC380DH XP60SC380DH.pdf
XP60SC380DH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS, 600V, 10A, 380mO, TO-252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC600DH XP60SC600DH.pdf
XP60SC600DH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 6.5A 600mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC600DIT XP60SC600DIT.pdf
XP60SC600DIT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 6.5A 600mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DI XP60SL115DI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOS N 600V 115MOHM TO-220CFM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DI XP60SL115DI.pdf
XP60SL115DI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 28A 115mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR.pdf
XP60SL115DR
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL115D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR
XP60SL115DR
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.18 грн
10+205.52 грн
50+160.08 грн
100+136.49 грн
500+112.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DR XP60SL115DR.pdf
XP60SL115DR
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 28A TO-262
на замовлення 999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+349.82 грн
10+178.30 грн
100+140.41 грн
500+114.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DS XP60SL115DS
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOS N 600V 115MOHM TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DS XP60SL115DS.pdf
XP60SL115DS
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 28A 115mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DI XP60SL160DI.pdf
XP60SL160DI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 160mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DIN XP60SL160DIN.pdf
XP60SL160DIN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 160mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DP XP60SL160DP.pdf
XP60SL160DP
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 160mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DS XP60SL160DS.pdf
XP60SL160DS
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 20A 160mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.93 грн
10+70.34 грн
100+47.03 грн
500+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH-3367867.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 7A TO-252
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.39 грн
10+103.45 грн
3000+69.40 грн
6000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DI XP60SL600DI.pdf
XP60SL600DI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 7A 600mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DIN XP60SL600DIN.pdf
XP60SL600DIN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 7A 600mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL650AFH XP60SL650AFH.pdf
XP60SL650AFH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 5.8A 650mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL650AFI XP60SL650AFI.pdf
XP60SL650AFI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 600V 5.8A 650mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT-3367904.pdf
XP65AN1K2IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.46 грн
10+85.78 грн
100+67.50 грн
500+55.29 грн
1000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT.pdf
XP65AN1K2IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT.pdf
XP65AN1K2IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.24 грн
50+60.31 грн
100+54.79 грн
500+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI.pdf
XP65SL190DI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.54 грн
50+110.24 грн
100+99.63 грн
500+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.