Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (484) > Сторінка 8 з 9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI XP6NA2R4IT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.91 грн
50+517.01 грн
100+462.59 грн
500+383.05 грн
1000+344.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSemi XP6NA2R4IT-3367901.pdf MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+720.08 грн
10+607.49 грн
25+479.44 грн
100+440.86 грн
250+414.10 грн
500+388.90 грн
1000+350.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSEMI XP6NA3R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.48 грн
10+115.69 грн
100+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSEMI XP6NA3R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.47 грн
10+117.69 грн
100+69.75 грн
500+55.58 грн
1000+55.34 грн
3000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSEMI XP6NA3R5IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 3500 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.36 грн
10+97.15 грн
100+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSemi XP6NA3R5IT-3367870.pdf MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.62 грн
10+366.66 грн
25+301.52 грн
100+258.22 грн
250+244.05 грн
500+229.09 грн
1000+196.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSEMI XP6NA3R5IT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.73 грн
50+316.46 грн
100+271.25 грн
500+226.27 грн
1000+193.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSEMI XP6NA6R5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.10 грн
10+111.28 грн
100+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSEMI XP6NA6R5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSemi XP6NA6R5H-3367833.pdf MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.75 грн
10+114.98 грн
100+69.28 грн
500+55.97 грн
1000+55.11 грн
3000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P025H XP6P025H YAGEO XSEMI XP6P025H.pdf Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSemi XP6P250N-3367902.pdf MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.86 грн
10+37.03 грн
100+21.73 грн
500+17.00 грн
1000+14.96 грн
3000+10.39 грн
6000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.18 грн
31+28.70 грн
100+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.79 грн
10+77.99 грн
100+60.68 грн
500+48.27 грн
1000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.17 грн
10+136.62 грн
100+108.76 грн
500+86.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSemi XP70SL1K4AH-3367914.pdf MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.91 грн
10+85.83 грн
100+51.17 грн
500+40.94 грн
1000+40.15 грн
3000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+98.03 грн
12+77.36 грн
100+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP70T03GJ XP70T03GJ YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB YAGEO XSEMI XP83T03GJB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.90 грн
80+43.29 грн
160+38.65 грн
560+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB YAGEO XSEMI XP83T03GJB.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.46 грн
21+43.19 грн
100+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB YAGEO XSemi XP83T03GJB-3367897.pdf MOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S
на замовлення 7972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.43 грн
10+44.00 грн
80+34.56 грн
560+29.21 грн
2560+26.61 грн
5040+24.72 грн
10000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSemi XP8NA1R2TL-3367929.pdf MOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.25 грн
10+319.59 грн
25+277.11 грн
100+203.90 грн
500+177.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.88 грн
10+275.54 грн
100+200.51 грн
500+185.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.41 грн
10+322.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSemi XP8NA2R2CXT-3367874.pdf MOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.54 грн
10+220.00 грн
100+137.77 грн
500+114.15 грн
1000+111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.51 грн
10+172.21 грн
100+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.80 грн
10+197.47 грн
100+141.97 грн
500+112.78 грн
1000+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSemi XP9452GG-3435612.pdf MOSFETs N-CH 20V 4A S OT-89
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.48 грн
13+28.25 грн
100+16.69 грн
500+13.07 грн
1000+11.65 грн
2000+9.29 грн
10000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.46 грн
500+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.72 грн
27+32.94 грн
100+21.46 грн
500+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.88 грн
13+26.24 грн
100+17.78 грн
500+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSemi XP9561GH-3435402.pdf MOSFETs P-CH -40V -45 A TO-252
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.11 грн
10+70.07 грн
100+42.12 грн
500+33.38 грн
1000+32.75 грн
3000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.19 грн
10+98.74 грн
100+76.81 грн
500+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI YAGEO XSEMI XP9561GI.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.15 грн
50+54.32 грн
100+49.04 грн
500+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI YAGEO XSEMI XP9561GI.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.68 грн
16+58.64 грн
100+52.90 грн
500+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI YAGEO XSemi XP9561GI-3435692.pdf MOSFETs P-CH -40V -36 A TO-220CFM
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.71 грн
10+59.84 грн
100+47.00 грн
500+37.87 грн
1000+32.36 грн
2500+32.12 грн
5000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GM XP9561GM YAGEO XSEMI XP9561GM.pdf Description: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSEMI XP9565BGH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.24 грн
10+57.81 грн
100+44.95 грн
500+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSEMI XP9565BGH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.83 грн
500+47.73 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSEMI XP9565BGH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.92 грн
10+106.86 грн
100+70.83 грн
500+47.73 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSemi XP9565BGH.pdf MOSFET P-CH -40V -17 A TO-252
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.70 грн
10+63.28 грн
100+42.83 грн
500+36.29 грн
1000+29.60 грн
3000+27.79 грн
6000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH YAGEO XSEMI XP9565BGH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM YAGEO XSEMI XP9565GEM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.27 грн
19+48.22 грн
100+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM YAGEO XSEMI XP9565GEM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM YAGEO XSemi XP9565GEM_HF-3367915.pdf MOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.54 грн
10+86.73 грн
100+58.26 грн
500+49.44 грн
1000+42.20 грн
3000+35.82 грн
9000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH YAGEO XSEMI XP9575GH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH YAGEO XSEMI XP9575GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT.pdf
XP6NA2R4IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.91 грн
50+517.01 грн
100+462.59 грн
500+383.05 грн
1000+344.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT-3367901.pdf
XP6NA2R4IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+720.08 грн
10+607.49 грн
25+479.44 грн
100+440.86 грн
250+414.10 грн
500+388.90 грн
1000+350.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.48 грн
10+115.69 грн
100+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0H
XP6NA3R0H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.47 грн
10+117.69 грн
100+69.75 грн
500+55.58 грн
1000+55.34 грн
3000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT.pdf
XP6NA3R5IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 3500 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.36 грн
10+97.15 грн
100+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT-3367870.pdf
XP6NA3R5IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.62 грн
10+366.66 грн
25+301.52 грн
100+258.22 грн
250+244.05 грн
500+229.09 грн
1000+196.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT.pdf
XP6NA3R5IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.73 грн
50+316.46 грн
100+271.25 грн
500+226.27 грн
1000+193.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H.pdf
XP6NA6R5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+173.10 грн
10+111.28 грн
100+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H.pdf
XP6NA6R5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5H XP6NA6R5H-3367833.pdf
XP6NA6R5H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.75 грн
10+114.98 грн
100+69.28 грн
500+55.97 грн
1000+55.11 грн
3000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P025H XP6P025H.pdf
XP6P025H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N-3367902.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.86 грн
10+37.03 грн
100+21.73 грн
500+17.00 грн
1000+14.96 грн
3000+10.39 грн
6000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.18 грн
31+28.70 грн
100+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.79 грн
10+77.99 грн
100+60.68 грн
500+48.27 грн
1000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.17 грн
10+136.62 грн
100+108.76 грн
500+86.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH-3367914.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.91 грн
10+85.83 грн
100+51.17 грн
500+40.94 грн
1000+40.15 грн
3000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+98.03 грн
12+77.36 грн
100+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP70T03GJ
XP70T03GJ
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.90 грн
80+43.29 грн
160+38.65 грн
560+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB.pdf
XP83T03GJB
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.46 грн
21+43.19 грн
100+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJB XP83T03GJB-3367897.pdf
XP83T03GJB
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S
на замовлення 7972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.43 грн
10+44.00 грн
80+34.56 грн
560+29.21 грн
2560+26.61 грн
5040+24.72 грн
10000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL-3367929.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.25 грн
10+319.59 грн
25+277.11 грн
100+203.90 грн
500+177.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.88 грн
10+275.54 грн
100+200.51 грн
500+185.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+465.41 грн
10+322.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT-3367874.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.54 грн
10+220.00 грн
100+137.77 грн
500+114.15 грн
1000+111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.51 грн
10+172.21 грн
100+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.80 грн
10+197.47 грн
100+141.97 грн
500+112.78 грн
1000+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG-3435612.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 4A S OT-89
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.48 грн
13+28.25 грн
100+16.69 грн
500+13.07 грн
1000+11.65 грн
2000+9.29 грн
10000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.46 грн
500+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.72 грн
27+32.94 грн
100+21.46 грн
500+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.88 грн
13+26.24 грн
100+17.78 грн
500+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH-3435402.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -40V -45 A TO-252
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.11 грн
10+70.07 грн
100+42.12 грн
500+33.38 грн
1000+32.75 грн
3000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.19 грн
10+98.74 грн
100+76.81 грн
500+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI.pdf
XP9561GI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
50+54.32 грн
100+49.04 грн
500+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI.pdf
XP9561GI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.68 грн
16+58.64 грн
100+52.90 грн
500+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GI XP9561GI-3435692.pdf
XP9561GI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -40V -36 A TO-220CFM
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.71 грн
10+59.84 грн
100+47.00 грн
500+37.87 грн
1000+32.36 грн
2500+32.12 грн
5000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GM XP9561GM.pdf
XP9561GM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.24 грн
10+57.81 грн
100+44.95 грн
500+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.83 грн
500+47.73 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.92 грн
10+106.86 грн
100+70.83 грн
500+47.73 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -40V -17 A TO-252
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.70 грн
10+63.28 грн
100+42.83 грн
500+36.29 грн
1000+29.60 грн
3000+27.79 грн
6000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGH XP9565BGH.pdf
XP9565BGH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM.pdf
XP9565GEM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.27 грн
19+48.22 грн
100+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM.pdf
XP9565GEM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEM XP9565GEM_HF-3367915.pdf
XP9565GEM
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.54 грн
10+86.73 грн
100+58.26 грн
500+49.44 грн
1000+42.20 грн
3000+35.82 грн
9000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH.pdf
XP9575GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GH XP9575GH.pdf
XP9575GH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]