Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (467) > Сторінка 6 з 8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP4525GEH XP4525GEH YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4525GEM XP4525GEM YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1AMT XP4N2R1AMT YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MT XP4N2R1MT YAGEO XSemi XP4N2R1MT-3367847.pdf MOSFETs N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.56 грн
10+96.36 грн
100+57.83 грн
500+46.50 грн
1000+45.67 грн
3000+41.07 грн
6000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MT XP4N2R1MT YAGEO XSEMI XP4N2R1MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MT XP4N2R1MT YAGEO XSEMI XP4N2R1MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.18 грн
14+61.65 грн
100+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MT XP4N2R5MT YAGEO XSEMI XP4N2R5MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.42 грн
10+97.39 грн
100+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MT XP4N2R5MT YAGEO XSemi XP4N2R5MT-3367837.pdf MOSFETs N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.20 грн
10+98.97 грн
100+59.18 грн
500+47.63 грн
1000+43.78 грн
3000+42.12 грн
6000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MT XP4N2R5MT YAGEO XSEMI XP4N2R5MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R6S XP4N2R6S YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2H XP4N4R2H YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 40V 75A TO-252
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.82 грн
10+84.38 грн
100+49.37 грн
500+39.63 грн
1000+37.37 грн
3000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2H XP4N4R2H YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2H XP4N4R2H YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.49 грн
10+90.61 грн
100+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A YAGEO XSemi XP4NA1R4CMT_A-3367900.pdf MOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.10 грн
10+117.20 грн
100+70.81 грн
500+57.37 грн
1000+52.99 грн
3000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A YAGEO XSEMI XP4NA1R4CMT-A.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.98 грн
10+116.86 грн
100+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A YAGEO XSEMI XP4NA1R4CMT-A.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A YAGEO XSEMI XP4NA1R4CMT-A.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A YAGEO XSEMI XP4NA1R4CMT-A.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.87 грн
10+108.99 грн
100+75.78 грн
500+59.22 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R5HCST XP4NA1R5HCST YAGEO XSemi XP4NA1R5HCST-3450291.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R5HCST XP4NA1R5HCST YAGEO XSEMI XP4NA1R5HCST.pdf Description: MOSFET N CH 40V 45A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7136 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R2HCST XP4NA2R2HCST YAGEO XSEMI XP4NA2R2HCST.pdf Description: MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.28mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R2HCST XP4NA2R2HCST YAGEO XSemi XP4NA2R2HCST-3450613.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR85CMT XP4NAR85CMT YAGEO XSemi XP4NAR85CMT-3450532.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR85CMT XP4NAR85CMT YAGEO XSEMI XP4NAR85CMT.pdf Description: MOSFET N CH 40V 61.4A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A YAGEO XSemi XP4NAR95CMT_A-3367815.pdf MOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.19 грн
10+125.88 грн
100+77.00 грн
500+61.07 грн
1000+58.13 грн
3000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A YAGEO XSEMI XP4NAR95CMT-A.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A YAGEO XSEMI XP4NAR95CMT-A.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A YAGEO XSEMI XP4NAR95CMT-A.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.61 грн
10+312.18 грн
100+225.57 грн
500+176.95 грн
1000+171.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A YAGEO XSEMI XP4NAR95CMT-A.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.58 грн
10+103.31 грн
100+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P018M YAGEO XSEMI Description: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P090N XP4P090N YAGEO XSemi MOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.94 грн
10+42.45 грн
100+27.55 грн
500+21.59 грн
1000+16.68 грн
3000+15.25 грн
9000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H YAGEO XSemi XP50AN1K5H-3367866.pdf MOSFETs N-CH 500V 5A TO-252
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.58 грн
10+104.18 грн
100+70.21 грн
500+60.01 грн
1000+48.84 грн
3000+46.05 грн
6000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H YAGEO XSEMI XP50AN1K5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP50AN1K5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.5 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP50AN1K5H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H YAGEO XSEMI XP50AN1K5H.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H YAGEO XSEMI XP50AN1K5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP50AN1K5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.5 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP50AN1K5H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.58 грн
10+112.63 грн
100+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H YAGEO XSEMI XP50AN1K5H.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.87 грн
10+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5I XP50AN1K5I YAGEO XSEMI XP50AN1K5I.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.42 грн
50+122.23 грн
100+100.57 грн
500+79.87 грн
1000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5I XP50AN1K5I YAGEO XSemi XP50AN1K5I-3367890.pdf MOSFETs N-CH 500V 5A TO-220CFM
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.65 грн
10+79.17 грн
100+61.75 грн
500+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5I XP50AN1K5I YAGEO XSEMI XP50AN1K5I.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP50AN1K5I - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.55 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP50AN1K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.55ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.55 грн
10+100.77 грн
100+85.53 грн
500+63.77 грн
1000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP50SL290DH XP50SL290DH YAGEO XSEMI XP50SL290DH.pdf Description: MOSFET N CH 500V 13A TO-252(H)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP50SL290DH XP50SL290DH YAGEO XSemi XP50SL290DH-3450241.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750IN YAGEO XSEMI XP60AN750IN.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2688 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.72 грн
50+91.41 грн
100+82.21 грн
500+62.00 грн
1000+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750IN XP60AN750IN YAGEO XSEMI XP60AN750IN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60AN750IN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60AN750 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.89 грн
12+72.15 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750IN XP60AN750IN YAGEO XSemi XP60AN750IN.pdf MOSFETs N-CH 600V 10A TO-220CFM-NL
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.12 грн
10+73.44 грн
100+61.68 грн
500+54.05 грн
1000+51.63 грн
2500+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60BM095WL XP60BM095WL YAGEO XSemi XP60BM095WL-3450351.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN YAGEO XSEMI XP60PN72REN.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN YAGEO XSEMI XP60PN72REN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.18 грн
37+23.03 грн
100+11.35 грн
500+10.14 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN YAGEO XSEMI XP60PN72REN.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
16+20.68 грн
100+13.12 грн
500+9.22 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN YAGEO XSemi XP60PN72REN-3367881.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.25 грн
16+22.75 грн
100+9.89 грн
500+9.44 грн
1000+8.38 грн
3000+5.96 грн
6000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN YAGEO XSEMI XP60PN72REN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.35 грн
500+10.14 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN YAGEO XSEMI XP60PN72RLEN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.50 грн
500+8.96 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN YAGEO XSEMI XP60PN72RLEN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.09 грн
38+22.53 грн
100+10.50 грн
500+8.96 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN YAGEO XSemi XP60PN72RLEN-3367862.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.25 грн
16+22.75 грн
100+9.21 грн
1000+8.61 грн
3000+5.44 грн
6000+5.21 грн
9000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN YAGEO XSEMI XP60PN72RLEN.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN YAGEO XSEMI XP60PN72RLEN.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
16+20.68 грн
100+13.12 грн
500+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSemi XP60SA290DH-3367928.pdf MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.50 грн
10+120.67 грн
100+73.38 грн
500+61.37 грн
1000+59.56 грн
3000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSEMI XP60SA290DH.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSEMI XP60SA290DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.21 грн
10+118.56 грн
100+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSEMI XP60SA290DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH YAGEO XSEMI XP60SA290DH.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.97 грн
10+105.06 грн
100+73.34 грн
500+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4525GEH
XP4525GEH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4525GEM
XP4525GEM
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1AMT
XP4N2R1AMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MT XP4N2R1MT-3367847.pdf
XP4N2R1MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.56 грн
10+96.36 грн
100+57.83 грн
500+46.50 грн
1000+45.67 грн
3000+41.07 грн
6000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MT XP4N2R1MT.pdf
XP4N2R1MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MT XP4N2R1MT.pdf
XP4N2R1MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.18 грн
14+61.65 грн
100+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MT XP4N2R5MT.pdf
XP4N2R5MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.42 грн
10+97.39 грн
100+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MT XP4N2R5MT-3367837.pdf
XP4N2R5MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.20 грн
10+98.97 грн
100+59.18 грн
500+47.63 грн
1000+43.78 грн
3000+42.12 грн
6000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MT XP4N2R5MT.pdf
XP4N2R5MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R6S
XP4N2R6S
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2H
XP4N4R2H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 40V 75A TO-252
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.82 грн
10+84.38 грн
100+49.37 грн
500+39.63 грн
1000+37.37 грн
3000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2H
XP4N4R2H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2H
XP4N4R2H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.49 грн
10+90.61 грн
100+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT_A-3367900.pdf
XP4NA1R4CMT-A
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.10 грн
10+117.20 грн
100+70.81 грн
500+57.37 грн
1000+52.99 грн
3000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A.pdf
XP4NA1R4CMT-A
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.98 грн
10+116.86 грн
100+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A.pdf
XP4NA1R4CMT-A
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A.pdf
XP4NA1R4CMT-A
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A.pdf
XP4NA1R4CMT-A
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.87 грн
10+108.99 грн
100+75.78 грн
500+59.22 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R5HCST XP4NA1R5HCST-3450291.pdf
XP4NA1R5HCST
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R5HCST XP4NA1R5HCST.pdf
XP4NA1R5HCST
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 40V 45A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7136 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R2HCST XP4NA2R2HCST.pdf
XP4NA2R2HCST
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.28mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R2HCST XP4NA2R2HCST-3450613.pdf
XP4NA2R2HCST
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR85CMT XP4NAR85CMT-3450532.pdf
XP4NAR85CMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR85CMT XP4NAR85CMT.pdf
XP4NAR85CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 40V 61.4A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT_A-3367815.pdf
XP4NAR95CMT-A
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.19 грн
10+125.88 грн
100+77.00 грн
500+61.07 грн
1000+58.13 грн
3000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A.pdf
XP4NAR95CMT-A
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A.pdf
XP4NAR95CMT-A
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A.pdf
XP4NAR95CMT-A
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.61 грн
10+312.18 грн
100+225.57 грн
500+176.95 грн
1000+171.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-A XP4NAR95CMT-A.pdf
XP4NAR95CMT-A
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.58 грн
10+103.31 грн
100+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P018M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P090N
XP4P090N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.94 грн
10+42.45 грн
100+27.55 грн
500+21.59 грн
1000+16.68 грн
3000+15.25 грн
9000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H-3367866.pdf
XP50AN1K5H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 500V 5A TO-252
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.58 грн
10+104.18 грн
100+70.21 грн
500+60.01 грн
1000+48.84 грн
3000+46.05 грн
6000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H.pdf
XP50AN1K5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP50AN1K5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.5 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP50AN1K5H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H.pdf
XP50AN1K5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H.pdf
XP50AN1K5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP50AN1K5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.5 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP50AN1K5H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.58 грн
10+112.63 грн
100+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5H XP50AN1K5H.pdf
XP50AN1K5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.87 грн
10+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5I XP50AN1K5I.pdf
XP50AN1K5I
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.42 грн
50+122.23 грн
100+100.57 грн
500+79.87 грн
1000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5I XP50AN1K5I-3367890.pdf
XP50AN1K5I
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 500V 5A TO-220CFM
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.65 грн
10+79.17 грн
100+61.75 грн
500+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP50AN1K5I XP50AN1K5I.pdf
XP50AN1K5I
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP50AN1K5I - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.55 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP50AN1K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.55ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.55 грн
10+100.77 грн
100+85.53 грн
500+63.77 грн
1000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP50SL290DH XP50SL290DH.pdf
XP50SL290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 500V 13A TO-252(H)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP50SL290DH XP50SL290DH-3450241.pdf
XP50SL290DH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750IN XP60AN750IN.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2688 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.72 грн
50+91.41 грн
100+82.21 грн
500+62.00 грн
1000+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750IN XP60AN750IN.pdf
XP60AN750IN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60AN750IN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60AN750 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.89 грн
12+72.15 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750IN XP60AN750IN.pdf
XP60AN750IN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 10A TO-220CFM-NL
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.12 грн
10+73.44 грн
100+61.68 грн
500+54.05 грн
1000+51.63 грн
2500+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60BM095WL XP60BM095WL-3450351.pdf
XP60BM095WL
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN.pdf
XP60PN72REN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN.pdf
XP60PN72REN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.18 грн
37+23.03 грн
100+11.35 грн
500+10.14 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN.pdf
XP60PN72REN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.11 грн
16+20.68 грн
100+13.12 грн
500+9.22 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN-3367881.pdf
XP60PN72REN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.25 грн
16+22.75 грн
100+9.89 грн
500+9.44 грн
1000+8.38 грн
3000+5.96 грн
6000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72REN XP60PN72REN.pdf
XP60PN72REN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.35 грн
500+10.14 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN.pdf
XP60PN72RLEN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.50 грн
500+8.96 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN.pdf
XP60PN72RLEN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.09 грн
38+22.53 грн
100+10.50 грн
500+8.96 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN-3367862.pdf
XP60PN72RLEN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.25 грн
16+22.75 грн
100+9.21 грн
1000+8.61 грн
3000+5.44 грн
6000+5.21 грн
9000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN.pdf
XP60PN72RLEN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLEN XP60PN72RLEN.pdf
XP60PN72RLEN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.11 грн
16+20.68 грн
100+13.12 грн
500+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH-3367928.pdf
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.50 грн
10+120.67 грн
100+73.38 грн
500+61.37 грн
1000+59.56 грн
3000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH.pdf
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH.pdf
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.21 грн
10+118.56 грн
100+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH.pdf
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DH XP60SA290DH.pdf
XP60SA290DH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.97 грн
10+105.06 грн
100+73.34 грн
500+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]