Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (485) > Сторінка 4 з 9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT YAGEO XSEMI XP3N2R8AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.02 грн
500+20.15 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT YAGEO XSEMI XP3N2R8AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.67 грн
22+41.27 грн
100+28.02 грн
500+20.15 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSemi XP3N5R0AMT-3367836.pdf MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.00 грн
10+39.21 грн
100+22.75 грн
500+17.60 грн
1000+15.94 грн
3000+13.95 грн
9000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSEMI XP3N5R0AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.56 грн
28+32.02 грн
100+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSEMI XP3N5R0AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSEMI XP3N5R0AMT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSEMI XP3N5R0AMT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.50 грн
10+97.37 грн
100+75.69 грн
500+60.21 грн
1000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT YAGEO XSemi XP3N5R0AYT-3367887.pdf MOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.77 грн
10+91.18 грн
100+62.24 грн
500+52.72 грн
1000+42.97 грн
3000+40.44 грн
6000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.72 грн
26+34.95 грн
100+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H YAGEO XSEMI XP3N5R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H YAGEO XSemi XP3N5R0H-3367888.pdf MOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.27 грн
10+107.59 грн
100+73.10 грн
500+61.92 грн
1000+50.43 грн
3000+47.49 грн
6000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H YAGEO XSEMI XP3N5R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+67.95 грн
18+50.96 грн
100+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M XP3N5R0M YAGEO XSemi XP3N5R0M-3367873.pdf MOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.12 грн
10+65.56 грн
100+38.61 грн
500+30.60 грн
1000+27.91 грн
3000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M XP3N5R0M YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+73.91 грн
18+50.52 грн
100+34.33 грн
500+26.02 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M XP3N5R0M YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.33 грн
500+26.02 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSemi XP3N9R5AH-3367861.pdf MOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.50 грн
10+88.35 грн
100+52.65 грн
500+42.10 грн
1000+41.39 грн
3000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSEMI XP3N9R5AH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSEMI XP3N9R5AH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.51 грн
10+82.92 грн
100+55.65 грн
500+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSEMI XP3N9R5AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.40 грн
11+81.91 грн
100+57.37 грн
500+43.11 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSEMI XP3N9R5AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.03 грн
500+42.12 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI XP3N9R5AMT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.62 грн
10+63.68 грн
100+49.54 грн
500+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI XP3N9R5AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.07 грн
26+34.60 грн
100+22.95 грн
500+15.86 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI XP3N9R5AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.95 грн
500+15.86 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI XP3N9R5AMT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.41 грн
500+16.10 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.38 грн
27+33.89 грн
100+22.41 грн
500+16.10 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSemi XP3N9R5AYT-3367832.pdf MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.13 грн
11+34.56 грн
100+19.90 грн
500+15.38 грн
1000+13.80 грн
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT YAGEO XSEMI XP3NA2R4MT.pdf Description: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+169.81 грн
10+135.69 грн
100+108.03 грн
500+85.78 грн
1000+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT YAGEO XSEMI XP3NA2R4MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT YAGEO XSemi XP3NA2R4MT-3367793.pdf MOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.60 грн
10+56.35 грн
100+33.06 грн
500+26.01 грн
1000+23.63 грн
3000+22.60 грн
6000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT YAGEO XSEMI XP3NA2R4MT.pdf Description: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT YAGEO XSEMI XP3NA2R4MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+58.88 грн
20+45.54 грн
100+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT YAGEO XSEMI XP3NA3R4MT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.64 грн
10+97.70 грн
100+77.78 грн
500+61.77 грн
1000+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT YAGEO XSEMI XP3NA3R4MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+62.79 грн
23+40.38 грн
100+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT YAGEO XSemi XP3NA3R4MT-3367858.pdf MOSFETs N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.25 грн
10+51.15 грн
100+29.41 грн
500+22.83 грн
1000+20.69 грн
3000+18.95 грн
6000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT YAGEO XSEMI XP3NA3R4MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT YAGEO XSEMI XP3NA3R4MT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT YAGEO XSEMI XP3NA7R2MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.56 грн
28+32.91 грн
100+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT YAGEO XSEMI XP3NA7R2MT.pdf Description: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT YAGEO XSemi XP3NA7R2MT.pdf MOSFETs N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.11 грн
10+39.48 грн
100+22.20 грн
500+16.97 грн
1000+15.30 грн
3000+12.37 грн
6000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT YAGEO XSEMI XP3NA7R2MT.pdf Description: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.04 грн
10+35.84 грн
100+23.21 грн
500+16.65 грн
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT YAGEO XSEMI XP3NA7R2MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMT XP3P010AMT YAGEO XSEMI XP3P010AMT.pdf Description: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMT XP3P010AMT YAGEO XSemi XP3P010AMT.pdf MOSFETs MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010H XP3P010H YAGEO XSemi XP3P010H.pdf MOSFETs MOS P -30V 10mOhm TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010H XP3P010H YAGEO XSEMI XP3P010H.pdf Description: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010I XP3P010I YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M YAGEO XSEMI XP3P010M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M YAGEO XSEMI XP3P010M.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M YAGEO XSEMI XP3P010M.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
10+54.26 грн
100+35.72 грн
500+26.05 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M YAGEO XSEMI XP3P010M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.33 грн
19+48.65 грн
100+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M YAGEO XSemi XP3P010M.pdf MOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.67 грн
10+58.26 грн
100+34.17 грн
500+26.56 грн
1000+24.10 грн
3000+20.93 грн
6000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSEMI XP3P010YT.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSEMI XP3P010YT.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.33 грн
10+42.12 грн
100+27.43 грн
500+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSemi XP3P010YT.pdf MOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.81 грн
10+46.23 грн
100+26.24 грн
500+20.22 грн
1000+18.24 грн
3000+16.97 грн
6000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSEMI XP3P010YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.42 грн
21+44.38 грн
100+30.33 грн
500+20.40 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSEMI XP3P010YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.33 грн
500+20.40 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P011YT XP3P011YT YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M YAGEO XSEMI XP3P020M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+58.70 грн
25+36.29 грн
100+24.46 грн
500+16.44 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT.pdf
XP3N2R8AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.02 грн
500+20.15 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT.pdf
XP3N2R8AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+51.67 грн
22+41.27 грн
100+28.02 грн
500+20.15 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT-3367836.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.00 грн
10+39.21 грн
100+22.75 грн
500+17.60 грн
1000+15.94 грн
3000+13.95 грн
9000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.56 грн
28+32.02 грн
100+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.50 грн
10+97.37 грн
100+75.69 грн
500+60.21 грн
1000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT-3367887.pdf
XP3N5R0AYT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.77 грн
10+91.18 грн
100+62.24 грн
500+52.72 грн
1000+42.97 грн
3000+40.44 грн
6000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT
XP3N5R0AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.72 грн
26+34.95 грн
100+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT
XP3N5R0AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H.pdf
XP3N5R0H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H-3367888.pdf
XP3N5R0H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.27 грн
10+107.59 грн
100+73.10 грн
500+61.92 грн
1000+50.43 грн
3000+47.49 грн
6000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H.pdf
XP3N5R0H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+67.95 грн
18+50.96 грн
100+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M XP3N5R0M-3367873.pdf
XP3N5R0M
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.12 грн
10+65.56 грн
100+38.61 грн
500+30.60 грн
1000+27.91 грн
3000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M
XP3N5R0M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+73.91 грн
18+50.52 грн
100+34.33 грн
500+26.02 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M
XP3N5R0M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.33 грн
500+26.02 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH-3367861.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.50 грн
10+88.35 грн
100+52.65 грн
500+42.10 грн
1000+41.39 грн
3000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.51 грн
10+82.92 грн
100+55.65 грн
500+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+109.40 грн
11+81.91 грн
100+57.37 грн
500+43.11 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.03 грн
500+42.12 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT.pdf
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.62 грн
10+63.68 грн
100+49.54 грн
500+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT.pdf
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.07 грн
26+34.60 грн
100+22.95 грн
500+15.86 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT.pdf
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.95 грн
500+15.86 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT.pdf
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT.pdf
XP3N9R5AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.41 грн
500+16.10 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT.pdf
XP3N9R5AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+48.38 грн
27+33.89 грн
100+22.41 грн
500+16.10 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT-3367832.pdf
XP3N9R5AYT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.13 грн
11+34.56 грн
100+19.90 грн
500+15.38 грн
1000+13.80 грн
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT.pdf
XP3NA2R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.81 грн
10+135.69 грн
100+108.03 грн
500+85.78 грн
1000+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT.pdf
XP3NA2R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT-3367793.pdf
XP3NA2R4MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.60 грн
10+56.35 грн
100+33.06 грн
500+26.01 грн
1000+23.63 грн
3000+22.60 грн
6000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT.pdf
XP3NA2R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT.pdf
XP3NA2R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+58.88 грн
20+45.54 грн
100+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT.pdf
XP3NA3R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.64 грн
10+97.70 грн
100+77.78 грн
500+61.77 грн
1000+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT.pdf
XP3NA3R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+62.79 грн
23+40.38 грн
100+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT-3367858.pdf
XP3NA3R4MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.25 грн
10+51.15 грн
100+29.41 грн
500+22.83 грн
1000+20.69 грн
3000+18.95 грн
6000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT.pdf
XP3NA3R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MT XP3NA3R4MT.pdf
XP3NA3R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT.pdf
XP3NA7R2MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.56 грн
28+32.91 грн
100+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT.pdf
XP3NA7R2MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT.pdf
XP3NA7R2MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.11 грн
10+39.48 грн
100+22.20 грн
500+16.97 грн
1000+15.30 грн
3000+12.37 грн
6000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT.pdf
XP3NA7R2MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.04 грн
10+35.84 грн
100+23.21 грн
500+16.65 грн
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MT XP3NA7R2MT.pdf
XP3NA7R2MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMT XP3P010AMT.pdf
XP3P010AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMT XP3P010AMT.pdf
XP3P010AMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010H XP3P010H.pdf
XP3P010H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs MOS P -30V 10mOhm TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010H XP3P010H.pdf
XP3P010H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010I
XP3P010I
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M.pdf
XP3P010M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M.pdf
XP3P010M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M.pdf
XP3P010M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.05 грн
10+54.26 грн
100+35.72 грн
500+26.05 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M.pdf
XP3P010M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.33 грн
19+48.65 грн
100+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M.pdf
XP3P010M
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.67 грн
10+58.26 грн
100+34.17 грн
500+26.56 грн
1000+24.10 грн
3000+20.93 грн
6000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.33 грн
10+42.12 грн
100+27.43 грн
500+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.81 грн
10+46.23 грн
100+26.24 грн
500+20.22 грн
1000+18.24 грн
3000+16.97 грн
6000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.42 грн
21+44.38 грн
100+30.33 грн
500+20.40 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.33 грн
500+20.40 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P011YT
XP3P011YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M.pdf
XP3P020M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+58.70 грн
25+36.29 грн
100+24.46 грн
500+16.44 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]