Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (532) > Сторінка 4 з 9

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP3N028EN XP3N028EN YAGEO XSEMI XP3N028EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN YAGEO XSemi XP3N028EN-3367911.pdf MOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N YAGEO XSEMI XP3N035N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N YAGEO XSemi XP3N035N.pdf MOSFETs N-CH 30V 4.5A SOT-23S
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N YAGEO XSEMI XP3N035N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N YAGEO XSEMI XP3N035N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N YAGEO XSEMI XP3N035N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045EN XP3N045EN YAGEO XSEMI XP3N045EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045EN XP3N045EN YAGEO XSEMI XP3N045EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSEMI XP3N1R0MT.pdf Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSEMI XP3N1R0MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSEMI XP3N1R0MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSEMI XP3N1R0MT.pdf Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+88.08 грн
100+60.65 грн
500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSemi XP3N1R0MT.pdf MOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8AMT XP3N1R8AMT YAGEO XSEMI XP3N1R8AMT Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8BMT YAGEO XSEMI Description: MOS N 30V 43.8A 1.8MOHM PMPAK5X6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT YAGEO XSEMI XP3N1R8MT Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT YAGEO XSemi XP3N1R8MT-3367886.pdf MOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT YAGEO XSEMI XP3N1R8MT Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT YAGEO XSEMI XP3N1R8MT Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT YAGEO XSEMI XP3N1R8MT Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT YAGEO XSEMI XP3N2R8AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT YAGEO XSemi XP3N2R8AMT.pdf MOSFETs N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT YAGEO XSEMI XP3N2R8AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSEMI XP3N5R0AMT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+88.99 грн
100+69.18 грн
500+55.03 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSEMI XP3N5R0AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSemi XP3N5R0AMT.pdf MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSEMI XP3N5R0AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT YAGEO XSEMI XP3N5R0AMT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT YAGEO XSEMI XP3N5R0AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT YAGEO XSemi XP3N5R0AYT.pdf MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT YAGEO XSEMI XP3N5R0AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H YAGEO XSemi XP3N5R0H.pdf MOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 5000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 5000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M XP3N5R0M YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M XP3N5R0M YAGEO XSemi XP3N5R0M.pdf MOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M XP3N5R0M YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSEMI XP3N9R5AH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSEMI XP3N9R5AH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.46 грн
50+17.78 грн
100+14.64 грн
500+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSEMI XP3N9R5AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSemi XP3N9R5AH.pdf MOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH YAGEO XSEMI XP3N9R5AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AM YAGEO XSEMI Description: MOS N 30V 12.5A 9.5MOHM SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSemi XP3N9R5AMT.pdf MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-5x6
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI XP3N9R5AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI XP3N9R5AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI XP3N9R5AMT Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI XP3N9R5AMT Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.70 грн
50+17.18 грн
100+14.13 грн
500+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT Description: MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
14+21.66 грн
50+15.65 грн
100+12.87 грн
500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT Description: MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSemi XP3N9R5AYT.pdf MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5H YAGEO XSEMI Description: MOS N 30V 9.5MOHM TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5MT XP3N9R5MT YAGEO XSemi XP3N9R5MT.pdf MOSFETs MOS N 30V 17.7A 9.5mohm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5MT XP3N9R5MT YAGEO XSEMI XP3N9R5MT.pdf Description: MOSFET N CH 30V 17.7A PMPAK5X
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5YT YAGEO XSEMI Description: MOS N 30V 15A 9.5MOHM PMPAK3X3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT YAGEO XSEMI XP3NA2R4MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT YAGEO XSemi XP3NA2R4MT.pdf MOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN.pdf
XP3N028EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN-3367911.pdf
XP3N028EN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N.pdf
XP3N035N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.73 грн
23+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N.pdf
XP3N035N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 4.5A SOT-23S
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N.pdf
XP3N035N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N.pdf
XP3N035N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N.pdf
XP3N035N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045EN XP3N045EN.pdf
XP3N045EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045EN XP3N045EN.pdf
XP3N045EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.82 грн
10+88.08 грн
100+60.65 грн
500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8AMT XP3N1R8AMT
XP3N1R8AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8BMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOS N 30V 43.8A 1.8MOHM PMPAK5X6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT
XP3N1R8MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT-3367886.pdf
XP3N1R8MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT
XP3N1R8MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT
XP3N1R8MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT
XP3N1R8MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT.pdf
XP3N2R8AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT.pdf
XP3N2R8AMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMT XP3N2R8AMT.pdf
XP3N2R8AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+88.99 грн
100+69.18 грн
500+55.03 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMT XP3N5R0AMT.pdf
XP3N5R0AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT.pdf
XP3N5R0AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT.pdf
XP3N5R0AYT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYT XP3N5R0AYT.pdf
XP3N5R0AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H XP3N5R0H.pdf
XP3N5R0H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H
XP3N5R0H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 5000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0H
XP3N5R0H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 5000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M
XP3N5R0M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M XP3N5R0M.pdf
XP3N5R0M
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0M
XP3N5R0M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.76 грн
13+24.46 грн
50+17.78 грн
100+14.64 грн
500+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AH XP3N9R5AH.pdf
XP3N9R5AH
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOS N 30V 12.5A 9.5MOHM SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT.pdf
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-5x6
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT.pdf
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT.pdf
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMT XP3N9R5AMT
XP3N9R5AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.97 грн
13+23.70 грн
50+17.18 грн
100+14.13 грн
500+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT
XP3N9R5AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.06 грн
14+21.66 грн
50+15.65 грн
100+12.87 грн
500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT.pdf
XP3N9R5AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT.pdf
XP3N9R5AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT
XP3N9R5AYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT.pdf
XP3N9R5AYT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOS N 30V 9.5MOHM TO-252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5MT XP3N9R5MT.pdf
XP3N9R5MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs MOS N 30V 17.7A 9.5mohm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5MT XP3N9R5MT.pdf
XP3N9R5MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 30V 17.7A PMPAK5X
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOS N 30V 15A 9.5MOHM PMPAK3X3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT.pdf
XP3NA2R4MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MT XP3NA2R4MT.pdf
XP3NA2R4MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.