Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (495) > Сторінка 3 з 9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.02 грн
40+20.55 грн
100+10.11 грн
500+9.16 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
15+21.05 грн
100+14.26 грн
500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSemi XP2530AGY-3435518.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
15+22.26 грн
100+10.20 грн
1000+9.57 грн
3000+8.46 грн
9000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2531GY XP2531GY YAGEO XSEMI XP2531GY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.16 грн
100+48.10 грн
500+43.76 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP2531GY XP2531GY YAGEO XSEMI XP2531GY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.10 грн
500+43.76 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2615GEY XP2615GEY YAGEO XSEMI XP2615GEY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2615 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.91 грн
500+13.70 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075EN XP2N075EN YAGEO XSemi XP2N075EN-3367855.pdf MOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.80 грн
17+20.01 грн
100+8.67 грн
1000+8.60 грн
3000+6.85 грн
9000+4.96 грн
24000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075EN XP2N075EN YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.60 грн
123+6.66 грн
500+4.19 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075EN XP2N075EN YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.53 грн
77+10.60 грн
123+6.66 грн
500+4.19 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1 YAGEO XSEMI XP2N1K2EN1.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.13 грн
54+15.16 грн
125+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038N XP2P038N YAGEO XSEMI XP2P038N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.54 грн
500+7.57 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038N XP2P038N YAGEO XSemi XP2P038N.pdf MOSFETs P-CH -20V -5A SOT-23
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.66 грн
21+15.99 грн
100+8.74 грн
500+7.55 грн
1000+5.94 грн
3000+4.82 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038N XP2P038N YAGEO XSEMI XP2P038N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.48 грн
45+18.18 грн
100+9.54 грн
500+7.57 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P052N XP2P052N YAGEO XSEMI XP2P052N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.15 грн
500+10.75 грн
1000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P052N XP2P052N YAGEO XSemi XP2P052N.pdf MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.77 грн
25+13.10 грн
100+7.06 грн
500+5.31 грн
1000+4.89 грн
3000+3.28 грн
6000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSEMI XP2P053N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.35 грн
500+9.08 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSemi XP2P053N-3367896.pdf MOSFET P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.06 грн
13+25.48 грн
100+15.09 грн
1000+8.46 грн
3000+7.76 грн
9000+6.85 грн
24000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSEMI XP2P053N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.89 грн
35+23.97 грн
100+11.66 грн
500+10.22 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
XP3601N XP3601N YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M YAGEO XSEMI XP3700M.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.70 грн
10+58.44 грн
100+38.78 грн
500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M YAGEO XSEMI XP3700M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.06 грн
500+18.32 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M YAGEO XSemi XP3700M.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.30 грн
14+23.47 грн
100+13.14 грн
500+9.92 грн
1000+9.15 грн
3000+7.06 грн
6000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M YAGEO XSEMI XP3700M.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M YAGEO XSEMI XP3700M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.94 грн
41+20.30 грн
100+20.06 грн
500+18.32 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSemi XP3700MT.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSEMI XP3700MT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSEMI XP3700MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.05 грн
14+59.92 грн
100+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSEMI XP3700MT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.49 грн
10+58.90 грн
100+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSEMI XP3700MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSEMI XP3700YT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSemi XP3700YT.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.68 грн
13+24.83 грн
100+13.77 грн
500+10.41 грн
1000+9.57 грн
3000+7.55 грн
6000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSEMI XP3700YT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.82 грн
10+33.46 грн
100+21.58 грн
500+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSEMI XP3700YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.81 грн
500+14.01 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSEMI XP3700YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.87 грн
29+29.02 грн
100+19.81 грн
500+14.01 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMT XP3832CMT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMT XP3832CMT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.49 грн
10+97.02 грн
100+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMT XP3832CMT YAGEO XSemi XP3832CMT.pdf MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.45 грн
10+81.97 грн
100+47.94 грн
500+38.02 грн
1000+35.01 грн
3000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011H XP3C011H YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011M XP3C011M YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMT XP3C023AMT YAGEO XSemi XP3C023AMT.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.49 грн
10+39.38 грн
100+22.29 грн
500+17.12 грн
1000+15.79 грн
3000+13.28 грн
6000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMT XP3C023AMT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMT XP3C023AMT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.77 грн
19+43.86 грн
100+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YT XP3N020YT YAGEO XSEMI XP3N020YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.68 грн
51+16.14 грн
100+10.27 грн
500+8.40 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YT XP3N020YT YAGEO XSemi XP3N020YT.pdf MOSFETs N-CH 30V 10A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.82 грн
18+18.64 грн
100+10.27 грн
500+7.69 грн
1000+7.06 грн
3000+5.31 грн
6000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YT XP3N020YT YAGEO XSEMI XP3N020YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.27 грн
500+8.40 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN YAGEO XSEMI XP3N028EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.38 грн
500+8.63 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN YAGEO XSEMI XP3N028EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.18 грн
29+29.02 грн
100+21.69 грн
500+15.82 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN YAGEO XSemi XP3N028EN-3367911.pdf MOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.82 грн
18+18.32 грн
100+7.48 грн
1000+7.06 грн
3000+4.40 грн
6000+4.12 грн
9000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N YAGEO XSemi XP3N035N-3367885.pdf MOSFETs N-CH 30V 4.5A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.95 грн
13+26.36 грн
100+10.62 грн
500+10.13 грн
3000+6.92 грн
6000+6.71 грн
9000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N YAGEO XSEMI XP3N035N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.23 грн
500+6.77 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N YAGEO XSEMI XP3N035N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.12 грн
63+13.13 грн
100+8.23 грн
500+6.77 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045EN XP3N045EN YAGEO XSEMI XP3N045EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.99 грн
33+24.87 грн
100+16.39 грн
500+11.81 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045EN XP3N045EN YAGEO XSEMI XP3N045EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.39 грн
500+11.81 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSEMI XP3N1R0MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSEMI XP3N1R0MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.26 грн
10+89.68 грн
100+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSemi XP3N1R0MT.pdf MOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.82 грн
10+81.17 грн
100+47.17 грн
500+37.32 грн
1000+35.36 грн
3000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSEMI XP3N1R0MT.pdf Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT YAGEO XSEMI XP3N1R0MT.pdf Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.22 грн
10+88.35 грн
100+60.83 грн
500+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT YAGEO XSEMI XP3N1R8MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.98 грн
100+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.02 грн
40+20.55 грн
100+10.11 грн
500+9.16 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.02 грн
15+21.05 грн
100+14.26 грн
500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY-3435518.pdf
XP2530AGY
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.08 грн
15+22.26 грн
100+10.20 грн
1000+9.57 грн
3000+8.46 грн
9000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2531GY XP2531GY.pdf
XP2531GY
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.16 грн
100+48.10 грн
500+43.76 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP2531GY XP2531GY.pdf
XP2531GY
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.10 грн
500+43.76 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2615GEY XP2615GEY.pdf
XP2615GEY
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2615 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.91 грн
500+13.70 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075EN XP2N075EN-3367855.pdf
XP2N075EN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.80 грн
17+20.01 грн
100+8.67 грн
1000+8.60 грн
3000+6.85 грн
9000+4.96 грн
24000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075EN
XP2N075EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.60 грн
123+6.66 грн
500+4.19 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075EN
XP2N075EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+17.53 грн
77+10.60 грн
123+6.66 грн
500+4.19 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1.pdf
XP2N1K2EN1
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.13 грн
54+15.16 грн
125+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038N XP2P038N.pdf
XP2P038N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.54 грн
500+7.57 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038N XP2P038N.pdf
XP2P038N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -20V -5A SOT-23
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.66 грн
21+15.99 грн
100+8.74 грн
500+7.55 грн
1000+5.94 грн
3000+4.82 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038N XP2P038N.pdf
XP2P038N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.48 грн
45+18.18 грн
100+9.54 грн
500+7.57 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P052N XP2P052N.pdf
XP2P052N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.15 грн
500+10.75 грн
1000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P052N XP2P052N.pdf
XP2P052N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.77 грн
25+13.10 грн
100+7.06 грн
500+5.31 грн
1000+4.89 грн
3000+3.28 грн
6000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053N XP2P053N.pdf
XP2P053N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.35 грн
500+9.08 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053N XP2P053N-3367896.pdf
XP2P053N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.06 грн
13+25.48 грн
100+15.09 грн
1000+8.46 грн
3000+7.76 грн
9000+6.85 грн
24000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053N XP2P053N.pdf
XP2P053N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.89 грн
35+23.97 грн
100+11.66 грн
500+10.22 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
XP3601N
XP3601N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.70 грн
10+58.44 грн
100+38.78 грн
500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.06 грн
500+18.32 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.30 грн
14+23.47 грн
100+13.14 грн
500+9.92 грн
1000+9.15 грн
3000+7.06 грн
6000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.94 грн
41+20.30 грн
100+20.06 грн
500+18.32 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.05 грн
14+59.92 грн
100+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.49 грн
10+58.90 грн
100+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.68 грн
13+24.83 грн
100+13.77 грн
500+10.41 грн
1000+9.57 грн
3000+7.55 грн
6000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.82 грн
10+33.46 грн
100+21.58 грн
500+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.81 грн
500+14.01 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+35.87 грн
29+29.02 грн
100+19.81 грн
500+14.01 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMT
XP3832CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMT
XP3832CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.49 грн
10+97.02 грн
100+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMT XP3832CMT.pdf
XP3832CMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.45 грн
10+81.97 грн
100+47.94 грн
500+38.02 грн
1000+35.01 грн
3000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011H
XP3C011H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011M
XP3C011M
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMT XP3C023AMT.pdf
XP3C023AMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.49 грн
10+39.38 грн
100+22.29 грн
500+17.12 грн
1000+15.79 грн
3000+13.28 грн
6000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMT
XP3C023AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMT
XP3C023AMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.77 грн
19+43.86 грн
100+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YT XP3N020YT.pdf
XP3N020YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.68 грн
51+16.14 грн
100+10.27 грн
500+8.40 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YT XP3N020YT.pdf
XP3N020YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 10A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.82 грн
18+18.64 грн
100+10.27 грн
500+7.69 грн
1000+7.06 грн
3000+5.31 грн
6000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YT XP3N020YT.pdf
XP3N020YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.27 грн
500+8.40 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN.pdf
XP3N028EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.38 грн
500+8.63 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN.pdf
XP3N028EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.18 грн
29+29.02 грн
100+21.69 грн
500+15.82 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028EN XP3N028EN-3367911.pdf
XP3N028EN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.82 грн
18+18.32 грн
100+7.48 грн
1000+7.06 грн
3000+4.40 грн
6000+4.12 грн
9000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N-3367885.pdf
XP3N035N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 4.5A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.95 грн
13+26.36 грн
100+10.62 грн
500+10.13 грн
3000+6.92 грн
6000+6.71 грн
9000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N.pdf
XP3N035N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.23 грн
500+6.77 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035N XP3N035N.pdf
XP3N035N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.12 грн
63+13.13 грн
100+8.23 грн
500+6.77 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045EN XP3N045EN.pdf
XP3N045EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.99 грн
33+24.87 грн
100+16.39 грн
500+11.81 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045EN XP3N045EN.pdf
XP3N045EN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.39 грн
500+11.81 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.26 грн
10+89.68 грн
100+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.82 грн
10+81.17 грн
100+47.17 грн
500+37.32 грн
1000+35.36 грн
3000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MT XP3N1R0MT.pdf
XP3N1R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.22 грн
10+88.35 грн
100+60.83 грн
500+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MT XP3N1R8MT.pdf
XP3N1R8MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.98 грн
100+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]