Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (484) > Сторінка 2 з 9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP10TN135H XP10TN135H YAGEO XSEMI XP10TN135H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H YAGEO XSemi XP10TN135H-3367850.pdf MOSFETs N-CH 100V 8.1 A TO-252
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.81 грн
10+89.74 грн
100+53.00 грн
500+42.42 грн
1000+39.02 грн
3000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H YAGEO XSEMI XP10TN135H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.68 грн
11+86.24 грн
100+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H YAGEO XSEMI XP10TN135H.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K YAGEO XSemi XP10TN135K-3367916.pdf MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.45 грн
10+77.48 грн
100+52.46 грн
500+44.51 грн
1000+37.94 грн
3000+32.22 грн
9000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K YAGEO XSEMI XP10TN135K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K YAGEO XSEMI XP10TN135K.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.78W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135K Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.98 грн
15+58.68 грн
100+41.00 грн
500+30.34 грн
1000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K YAGEO XSEMI XP10TN135K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.80 грн
10+66.16 грн
100+44.85 грн
500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K YAGEO XSEMI XP10TN135K.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.78W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135K Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.00 грн
500+30.34 грн
1000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N YAGEO XSEMI XP10TN135N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.62 грн
500+14.73 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N YAGEO XSEMI XP10TN135N.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N YAGEO XSEMI XP10TN135N.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.33 грн
10+34.53 грн
100+22.62 грн
500+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N YAGEO XSemi XP10TN135N-3367910.pdf MOSFETs N-CH 100V 2.1 A SOT-23
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.38 грн
11+35.45 грн
100+20.48 грн
500+15.84 грн
1000+15.45 грн
3000+12.44 грн
9000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N YAGEO XSEMI XP10TN135N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.04 грн
26+33.72 грн
100+22.62 грн
500+14.73 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504MT XP1504MT YAGEO XSEMI XP1504MT.pdf Description: FET N-CH 150V 6.3A 15.8A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 15.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504MT XP1504MT YAGEO XSEMI XP1504MT.pdf Description: FET N-CH 150V 6.3A 15.8A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 15.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.30 грн
10+75.82 грн
100+50.76 грн
500+37.55 грн
1000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504MT XP1504MT YAGEO XSEMI XP1504MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP1504MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.059 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.14 грн
11+81.04 грн
100+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504MT XP1504MT YAGEO XSEMI XP1504MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP1504MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.059 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT YAGEO XSEMI XP1504YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP1504YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.05 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT YAGEO XSEMI XP1504YT.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT YAGEO XSEMI XP1504YT.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.21 грн
10+83.22 грн
100+57.21 грн
500+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT YAGEO XSEMI XP1504YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP1504YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.05 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.08 грн
10+92.74 грн
100+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT YAGEO XSemi XP1504YT-3367860.pdf MOSFETs N-CH 150V 5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.62 грн
10+94.19 грн
100+56.56 грн
500+45.36 грн
1000+44.58 грн
3000+39.87 грн
6000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP15NA3R9TL XP15NA3R9TL YAGEO XSemi XP15NA3R9TL-3450190.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15AGH XP20N15AGH YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15GH XP20N15GH YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15GI XP20N15GI YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN YAGEO XSemi XP2301GN-3435736.pdf MOSFETs P-CH -20V -2. 5A SOT-23S
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.54 грн
18+20.88 грн
100+9.12 грн
1000+8.96 грн
3000+5.95 грн
9000+5.18 грн
24000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN YAGEO XSEMI XP2301GN.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN YAGEO XSEMI XP2301GN.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.27 грн
16+20.28 грн
100+12.83 грн
500+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN YAGEO XSEMI XP2301GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.23 грн
500+9.42 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN YAGEO XSEMI XP2301GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.76 грн
40+21.67 грн
100+10.57 грн
500+9.58 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GN XP2302GN YAGEO XSEMI XP2302GN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GN XP2302GN YAGEO XSEMI XP2302GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2302GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2302 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.89 грн
40+21.67 грн
100+10.83 грн
500+9.98 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GN XP2302GN YAGEO XSEMI XP2302GN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
18+18.91 грн
100+9.46 грн
500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GN XP2302GN YAGEO XSemi XP2302GN-3435767.pdf MOSFETs N-CH 20V 3.2A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.16 грн
17+22.13 грн
100+9.58 грн
1000+9.50 грн
3000+7.65 грн
9000+5.49 грн
24000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306AGN XP2306AGN YAGEO XSEMI XP2306AGN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.80 грн
29+30.34 грн
100+15.17 грн
500+13.68 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306AGN XP2306AGN YAGEO XSemi XP2306AGN-3435466.pdf MOSFETs N-CH 30V 5A S OT-23
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.15 грн
11+32.34 грн
100+13.68 грн
1000+12.52 грн
3000+9.50 грн
9000+8.19 грн
24000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GN XP2306GN YAGEO XSEMI XP2306GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.11 грн
43+20.63 грн
100+10.05 грн
500+9.18 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GN XP2306GN YAGEO XSEMI XP2306GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.79 грн
500+9.01 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GN XP2306GN YAGEO XSemi XP2306GN-3435664.pdf MOSFETs N-CH 20V 5.3A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.87 грн
17+22.13 грн
100+12.21 грн
500+10.89 грн
1000+9.74 грн
9000+5.25 грн
24000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2314GN XP2314GN YAGEO XSEMI XP2314GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2314 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.27 грн
38+22.88 грн
100+11.18 грн
500+9.90 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP2314GN XP2314GN YAGEO XSEMI XP2314GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2314 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.18 грн
500+9.90 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2318GEN XP2318GEN YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2318G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+28.52 грн
50+17.51 грн
118+7.35 грн
500+6.28 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
XP2318GEN XP2318GEN YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2318G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.28 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN YAGEO XSemi XP2322GN.pdf MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23S
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.49 грн
10+42.56 грн
100+27.66 грн
500+21.71 грн
1000+16.77 грн
3000+15.30 грн
9000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN YAGEO XSEMI XP2322GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.13 грн
500+10.95 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN YAGEO XSEMI XP2322GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.04 грн
35+24.79 грн
100+12.13 грн
500+10.95 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN YAGEO XSEMI XP2322GN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN YAGEO XSEMI XP2322GN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.97 грн
10+38.23 грн
100+26.58 грн
500+19.48 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2332GEN XP2332GEN YAGEO XSEMI XP2332GEN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.76 грн
40+21.67 грн
100+10.57 грн
500+9.58 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP2332GEN XP2332GEN YAGEO XSEMI XP2332GEN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.53 грн
500+7.57 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSemi XP2344GN.pdf MOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.33 грн
13+28.70 грн
100+13.21 грн
500+12.13 грн
1000+11.13 грн
3000+7.88 грн
6000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSEMI XP2344GN.pdf Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.30 грн
13+26.08 грн
100+16.65 грн
500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSEMI XP2344GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.27 грн
35+25.05 грн
100+13.26 грн
500+11.11 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSEMI XP2344GN.pdf Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSEMI XP2344GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.26 грн
500+11.11 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.10 грн
15+22.37 грн
100+15.16 грн
500+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSemi XP2530AGY-3435518.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.68 грн
15+24.61 грн
100+11.28 грн
1000+10.59 грн
3000+9.35 грн
9000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.75 грн
500+9.74 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H.pdf
XP10TN135H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H-3367850.pdf
XP10TN135H
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 8.1 A TO-252
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.81 грн
10+89.74 грн
100+53.00 грн
500+42.42 грн
1000+39.02 грн
3000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H.pdf
XP10TN135H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.68 грн
11+86.24 грн
100+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135H XP10TN135H.pdf
XP10TN135H
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K-3367916.pdf
XP10TN135K
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.45 грн
10+77.48 грн
100+52.46 грн
500+44.51 грн
1000+37.94 грн
3000+32.22 грн
9000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K.pdf
XP10TN135K
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K.pdf
XP10TN135K
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.78W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135K Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.98 грн
15+58.68 грн
100+41.00 грн
500+30.34 грн
1000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K.pdf
XP10TN135K
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
10+66.16 грн
100+44.85 грн
500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K.pdf
XP10TN135K
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.78W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135K Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.00 грн
500+30.34 грн
1000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N.pdf
XP10TN135N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.62 грн
500+14.73 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N.pdf
XP10TN135N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N.pdf
XP10TN135N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.33 грн
10+34.53 грн
100+22.62 грн
500+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N-3367910.pdf
XP10TN135N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 2.1 A SOT-23
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+51.38 грн
11+35.45 грн
100+20.48 грн
500+15.84 грн
1000+15.45 грн
3000+12.44 грн
9000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N.pdf
XP10TN135N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.04 грн
26+33.72 грн
100+22.62 грн
500+14.73 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504MT XP1504MT.pdf
XP1504MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 150V 6.3A 15.8A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 15.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504MT XP1504MT.pdf
XP1504MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 150V 6.3A 15.8A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 15.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
10+75.82 грн
100+50.76 грн
500+37.55 грн
1000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504MT XP1504MT.pdf
XP1504MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP1504MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.059 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.14 грн
11+81.04 грн
100+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504MT XP1504MT.pdf
XP1504MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP1504MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.059 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT.pdf
XP1504YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP1504YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.05 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT.pdf
XP1504YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT.pdf
XP1504YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.21 грн
10+83.22 грн
100+57.21 грн
500+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT.pdf
XP1504YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP1504YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.05 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.08 грн
10+92.74 грн
100+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP1504YT XP1504YT-3367860.pdf
XP1504YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 150V 5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.62 грн
10+94.19 грн
100+56.56 грн
500+45.36 грн
1000+44.58 грн
3000+39.87 грн
6000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP15NA3R9TL XP15NA3R9TL-3450190.pdf
XP15NA3R9TL
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15AGH
XP20N15AGH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15GH
XP20N15GH
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15GI
XP20N15GI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN-3435736.pdf
XP2301GN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -20V -2. 5A SOT-23S
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.54 грн
18+20.88 грн
100+9.12 грн
1000+8.96 грн
3000+5.95 грн
9000+5.18 грн
24000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN.pdf
XP2301GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN.pdf
XP2301GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.27 грн
16+20.28 грн
100+12.83 грн
500+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN.pdf
XP2301GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.23 грн
500+9.42 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GN XP2301GN.pdf
XP2301GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.76 грн
40+21.67 грн
100+10.57 грн
500+9.58 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GN XP2302GN.pdf
XP2302GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GN XP2302GN.pdf
XP2302GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2302GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2302 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.89 грн
40+21.67 грн
100+10.83 грн
500+9.98 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GN XP2302GN.pdf
XP2302GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.92 грн
18+18.91 грн
100+9.46 грн
500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GN XP2302GN-3435767.pdf
XP2302GN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 3.2A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+35.16 грн
17+22.13 грн
100+9.58 грн
1000+9.50 грн
3000+7.65 грн
9000+5.49 грн
24000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306AGN XP2306AGN.pdf
XP2306AGN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.80 грн
29+30.34 грн
100+15.17 грн
500+13.68 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306AGN XP2306AGN-3435466.pdf
XP2306AGN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 5A S OT-23
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.15 грн
11+32.34 грн
100+13.68 грн
1000+12.52 грн
3000+9.50 грн
9000+8.19 грн
24000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GN XP2306GN.pdf
XP2306GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.11 грн
43+20.63 грн
100+10.05 грн
500+9.18 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GN XP2306GN.pdf
XP2306GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.79 грн
500+9.01 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GN XP2306GN-3435664.pdf
XP2306GN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 5.3A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.87 грн
17+22.13 грн
100+12.21 грн
500+10.89 грн
1000+9.74 грн
9000+5.25 грн
24000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2314GN XP2314GN.pdf
XP2314GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2314 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.27 грн
38+22.88 грн
100+11.18 грн
500+9.90 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP2314GN XP2314GN.pdf
XP2314GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2314 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.18 грн
500+9.90 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2318GEN
XP2318GEN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2318G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+28.52 грн
50+17.51 грн
118+7.35 грн
500+6.28 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
XP2318GEN
XP2318GEN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2318G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.28 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN.pdf
XP2322GN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23S
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.49 грн
10+42.56 грн
100+27.66 грн
500+21.71 грн
1000+16.77 грн
3000+15.30 грн
9000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN.pdf
XP2322GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.13 грн
500+10.95 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN.pdf
XP2322GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.04 грн
35+24.79 грн
100+12.13 грн
500+10.95 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN.pdf
XP2322GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GN XP2322GN.pdf
XP2322GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.97 грн
10+38.23 грн
100+26.58 грн
500+19.48 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2332GEN XP2332GEN.pdf
XP2332GEN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.76 грн
40+21.67 грн
100+10.57 грн
500+9.58 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP2332GEN XP2332GEN.pdf
XP2332GEN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.53 грн
500+7.57 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.33 грн
13+28.70 грн
100+13.21 грн
500+12.13 грн
1000+11.13 грн
3000+7.88 грн
6000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.30 грн
13+26.08 грн
100+16.65 грн
500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.27 грн
35+25.05 грн
100+13.26 грн
500+11.11 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.26 грн
500+11.11 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
15+22.37 грн
100+15.16 грн
500+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY-3435518.pdf
XP2530AGY
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.68 грн
15+24.61 грн
100+11.28 грн
1000+10.59 грн
3000+9.35 грн
9000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.75 грн
500+9.74 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]