Продукція > YAGEO XSEMI > Всі товари виробника YAGEO XSEMI (501) > Сторінка 5 з 9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP3P010M XP3P010M YAGEO XSEMI XP3P010M.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.12 грн
10+49.48 грн
100+32.57 грн
500+23.75 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M YAGEO XSEMI XP3P010M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSemi XP3P010YT.pdf MOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSEMI XP3P010YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSEMI XP3P010YT.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSEMI XP3P010YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT YAGEO XSEMI XP3P010YT.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.13 грн
10+38.41 грн
100+25.01 грн
500+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P011YT XP3P011YT YAGEO XSemi MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M YAGEO XSEMI XP3P020M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M YAGEO XSemi XP3P020M.pdf MOSFETs P-CH -30V -9. 3A SO-8
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M YAGEO XSEMI XP3P020M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M YAGEO XSEMI XP3P020M.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M YAGEO XSEMI XP3P020M.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.58 грн
12+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG YAGEO XSEMI XP3P050AG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG YAGEO XSemi XP3P050AG.pdf MOSFETs P-CH -30V -4. 1A SOT-89
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG YAGEO XSEMI XP3P050AG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.71 грн
11+28.54 грн
100+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG YAGEO XSEMI XP3P050AG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG YAGEO XSEMI XP3P050AG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM YAGEO XSEMI XP3P050AM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM YAGEO XSemi XP3P050AM.pdf MOSFETs P-CH -30V -5. 8A SO-8
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM YAGEO XSEMI XP3P050AM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM YAGEO XSEMI XP3P050AM.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM YAGEO XSEMI XP3P050AM.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.69 грн
10+39.46 грн
100+25.70 грн
500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N YAGEO XSEMI XP3P055N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N YAGEO XSEMI XP3P055N.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N YAGEO XSEMI XP3P055N.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.06 грн
16+19.20 грн
100+12.16 грн
500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N YAGEO XSEMI XP3P055N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N YAGEO XSemi XP3P055N.pdf MOSFETs P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N YAGEO XSEMI XP3P080N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N YAGEO XSEMI XP3P080N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N YAGEO XSEMI XP3P080N.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N YAGEO XSemi XP3P080N.pdf MOSFETs P-CH -30V -3. 2A SOT-23S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N YAGEO XSEMI XP3P080N.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
16+19.43 грн
100+12.33 грн
500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT YAGEO XSemi XP3P3R0MT.pdf MOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT YAGEO XSEMI XP3P3R0MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT YAGEO XSEMI XP3P3R0MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT YAGEO XSEMI XP3P3R0MT.pdf Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.52 грн
10+122.00 грн
100+84.16 грн
500+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT YAGEO XSEMI XP3P3R0MT.pdf Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM YAGEO XSEMI XP3P7R0EM-3367912.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.34 грн
10+48.95 грн
100+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM YAGEO XSEMI XP3P7R0EM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM YAGEO XSemi XP3P7R0EM.pdf MOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM YAGEO XSEMI XP3P7R0EM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM YAGEO XSEMI XP3P7R0EM-3367912.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMT XP3P7R0EMT YAGEO XSemi XP3P7R0EMT.pdf MOSFETs MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMT XP3P7R0EMT YAGEO XSEMI XP3P7R0EMT.pdf Description: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-L XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI XP3R303GMT-L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-L XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI XP3R303GMT-L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-L XP3R303GMT-L YAGEO XSemi XP3R303GMT_L-3367879.pdf MOSFETs N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM YAGEO XSemi XP4024EM.pdf MOSFETs N-CH 30V 18.5 A SO-8
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM YAGEO XSEMI XP4024EM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM YAGEO XSEMI XP4024EM.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM YAGEO XSEMI XP4024EM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM YAGEO XSEMI XP4024EM.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 15 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.78 грн
10+43.30 грн
100+28.77 грн
500+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EYT XP4024EYT YAGEO XSEMI XP4024EYT.pdf Description: MOSFET N CH 30V 20.7A PMPAK3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT YAGEO XSEMI XP4024GEMT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT YAGEO XSemi XP4024GEMT.pdf MOSFETs N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT YAGEO XSEMI XP4024GEMT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.62 грн
10+33.89 грн
100+22.62 грн
500+17.21 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT YAGEO XSEMI XP4024GEMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT YAGEO XSEMI XP4024GEMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4060CMT XP4060CMT YAGEO XSEMI XP4060CMT Description: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2250 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2250µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M.pdf
XP3P010M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.12 грн
10+49.48 грн
100+32.57 грн
500+23.75 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010M XP3P010M.pdf
XP3P010M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YT XP3P010YT.pdf
XP3P010YT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.13 грн
10+38.41 грн
100+25.01 грн
500+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P011YT
XP3P011YT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M.pdf
XP3P020M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M.pdf
XP3P020M
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -9. 3A SO-8
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M.pdf
XP3P020M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M.pdf
XP3P020M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M.pdf
XP3P020M
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.58 грн
12+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG.pdf
XP3P050AG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG.pdf
XP3P050AG
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -4. 1A SOT-89
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG.pdf
XP3P050AG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.71 грн
11+28.54 грн
100+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG.pdf
XP3P050AG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AG XP3P050AG.pdf
XP3P050AG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM.pdf
XP3P050AM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM.pdf
XP3P050AM
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -5. 8A SO-8
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM.pdf
XP3P050AM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM.pdf
XP3P050AM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AM XP3P050AM.pdf
XP3P050AM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.69 грн
10+39.46 грн
100+25.70 грн
500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N.pdf
XP3P055N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N.pdf
XP3P055N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N.pdf
XP3P055N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.06 грн
16+19.20 грн
100+12.16 грн
500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N.pdf
XP3P055N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055N XP3P055N.pdf
XP3P055N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N.pdf
XP3P080N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N.pdf
XP3P080N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N.pdf
XP3P080N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N.pdf
XP3P080N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -3. 2A SOT-23S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080N XP3P080N.pdf
XP3P080N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.85 грн
16+19.43 грн
100+12.33 грн
500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT.pdf
XP3P3R0MT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT.pdf
XP3P3R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT.pdf
XP3P3R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT.pdf
XP3P3R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.52 грн
10+122.00 грн
100+84.16 грн
500+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MT XP3P3R0MT.pdf
XP3P3R0MT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM-3367912.pdf
XP3P7R0EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.34 грн
10+48.95 грн
100+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM.pdf
XP3P7R0EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM.pdf
XP3P7R0EM
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM.pdf
XP3P7R0EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EM XP3P7R0EM-3367912.pdf
XP3P7R0EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMT XP3P7R0EMT.pdf
XP3P7R0EMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMT XP3P7R0EMT.pdf
XP3P7R0EMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-L XP3R303GMT-L.pdf
XP3R303GMT-L
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-L XP3R303GMT-L.pdf
XP3R303GMT-L
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-L XP3R303GMT_L-3367879.pdf
XP3R303GMT-L
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM.pdf
XP4024EM
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 18.5 A SO-8
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM.pdf
XP4024EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM.pdf
XP4024EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM.pdf
XP4024EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM.pdf
XP4024EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 15 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.78 грн
10+43.30 грн
100+28.77 грн
500+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EYT XP4024EYT.pdf
XP4024EYT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 30V 20.7A PMPAK3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT.pdf
XP4024GEMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT.pdf
XP4024GEMT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT.pdf
XP4024GEMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.62 грн
10+33.89 грн
100+22.62 грн
500+17.21 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT.pdf
XP4024GEMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024GEMT XP4024GEMT.pdf
XP4024GEMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4060CMT XP4060CMT
XP4060CMT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2250 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2250µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]