Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10749) > Сторінка 118 з 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP3007SPS-13 DMP3007SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.31 грн
13+65.32 грн
100+43.28 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13 DMT6002LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006154569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+217.19 грн
50+140.73 грн
100+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS-13 DIODES INC. DMT6004LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.00 грн
10+84.60 грн
100+58.89 грн
500+51.14 грн
1000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 DIODES INC. DMT4002LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.49 грн
10+96.80 грн
100+65.48 грн
500+44.56 грн
1000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13 DMTH8028LPSWQ-13 DIODES INC. DMTH8028LPSWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 28674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.75 грн
19+43.19 грн
100+29.04 грн
500+19.71 грн
1000+16.45 грн
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004395459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.89 грн
500+51.14 грн
1000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13 DMP3007SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.28 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW-13 DIODES INC. 3177136.pdf Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.40 грн
10+130.96 грн
100+91.92 грн
500+81.58 грн
1000+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.48 грн
500+44.56 грн
1000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPS-13 DMTH61M8LPS-13 DIODES INC. 3177139.pdf Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.95 грн
10+159.43 грн
100+111.44 грн
500+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13 DMTH6002LPSWQ-13 DIODES INC. 3204173.pdf Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.61 грн
10+140.73 грн
100+98.43 грн
500+81.58 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2LPSWQ-13 DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INC. 3204172.pdf Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.85 грн
15+55.07 грн
100+36.12 грн
500+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SPS-13 DMTH12H007SPS-13 DIODES INC. 3204167.pdf Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.11 грн
10+119.58 грн
100+106.56 грн
500+95.17 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13 DMT6002LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006154569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011397089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.82 грн
15+55.88 грн
100+40.51 грн
500+29.76 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LPS-13 DMTH3002LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1250 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.75 грн
500+31.95 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13 DMNH6042SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.60 грн
17+49.46 грн
100+32.21 грн
500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13 DMNH6042SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.21 грн
500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011397089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.51 грн
500+29.76 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UPS-13 DMP26M1UPS-13 DIODES INC. 3204158.pdf Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 5000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.76W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.10 грн
500+21.38 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW-13 DIODES INC. 3177136.pdf Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.92 грн
500+81.58 грн
1000+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPS-13 DMTH61M8LPS-13 DIODES INC. 3177139.pdf Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.44 грн
500+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13 DMTH8028LPSWQ-13 DIODES INC. 3204176.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 29874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.04 грн
500+19.71 грн
1000+16.45 грн
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13 DMTH6002LPSWQ-13 DIODES INC. 3204173.pdf Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.43 грн
500+81.58 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H072LPS-13 DMTH10H072LPS-13 DIODES INC. 3204166.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.67 грн
18+45.31 грн
100+34.16 грн
500+27.27 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2LPSWQ-13 DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INC. 3204172.pdf Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.12 грн
500+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SPS-13 DMTH12H007SPS-13 DIODES INC. 3204167.pdf Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.56 грн
500+95.17 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H072LPS-13 DMTH10H072LPS-13 DIODES INC. 3204166.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.16 грн
500+27.27 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13 DMT32M4LPSW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0012994381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.19 грн
500+30.74 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT20U100SLP-13 SBRT20U100SLP-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000446156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.39 грн
11+78.66 грн
100+64.02 грн
500+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13 DMP3028LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.28W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.40 грн
15+56.45 грн
100+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.65 грн
500+23.42 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.97 грн
13+67.52 грн
100+47.26 грн
500+39.13 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13 DMP3028LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.28W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT25U60SLP-13 SBRT25U60SLP-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000785539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBRT25U60SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 25 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 220A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT20U100SLP-13 SBRT20U100SLP-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000446156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.02 грн
500+47.06 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.26 грн
16+51.33 грн
100+34.82 грн
500+23.49 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.26 грн
500+39.13 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F BSS138-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0013396810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.54 грн
87+9.44 грн
140+5.83 грн
500+3.97 грн
1000+2.87 грн
5000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F BSS138-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0013396810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.97 грн
1000+2.87 грн
5000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2301CAAB120 PAM2301CAAB120 DIODES INC. DIOD-S-A0009865543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - PAM2301CAAB120 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Vout, 2.5 bis 5.5Vin, 1.2V/800mA, TSOT-25-5
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.04 грн
500+19.11 грн
1000+13.60 грн
2500+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2301CAAB120 PAM2301CAAB120 DIODES INC. DIOD-S-A0009865543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - PAM2301CAAB120 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Vout, 2.5 bis 5.5Vin, 1.2V/800mA, TSOT-25-5
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.80 грн
21+38.80 грн
100+29.04 грн
500+19.11 грн
1000+13.60 грн
2500+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13 2N7002AQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011098141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.07 грн
83+9.84 грн
184+4.43 грн
500+3.17 грн
1000+2.61 грн
5000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.34 грн
40+20.74 грн
100+13.18 грн
500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13 2N7002AQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011098141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.17 грн
1000+2.61 грн
5000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002TQ-7-F 2N7002TQ-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002TQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002TQ-7-F 2N7002TQ-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002TQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FZT953 FZT953 DIODES INC. DIODS12225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT953 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN2106ASTZ ZVN2106ASTZ DIODES INC. DIODS12263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 450 mA, 2 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.86 грн
18+47.67 грн
100+31.81 грн
500+21.53 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WT-7 BAT54WT-7 DIODES INC. DIODS12185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAT54WT-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.12 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WT-7 BAT54WT-7 DIODES INC. DIODS12185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAT54WT-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.86 грн
85+9.68 грн
134+6.09 грн
500+4.12 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ78A-13-F SMBJ78A-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0003133144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SMBJ78A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Unidirektional, 78 V, 126 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 86.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 99.7V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 78V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 126V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.51 грн
102+7.99 грн
500+7.34 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7 DMP2090UFDB-7 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.80 грн
29+28.23 грн
100+25.79 грн
500+21.98 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7 DMP2090UFDB-7 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.79 грн
500+21.98 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7 DMP2110UFDB-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012956122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.94 грн
35+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7 DMP2110UFDB-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012956122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13 DMP6250SFDF-13 DIODES INC. 3199770.pdf Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.55 грн
22+38.31 грн
100+27.41 грн
500+20.09 грн
1000+17.01 грн
5000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13 DMP6250SFDF-13 DIODES INC. 3199770.pdf Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.41 грн
500+20.09 грн
1000+17.01 грн
5000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.54 грн
87+9.44 грн
138+5.91 грн
500+3.97 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13 DIOD-S-A0002833274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3007SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.31 грн
13+65.32 грн
100+43.28 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13 DIOD-S-A0006154569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+217.19 грн
50+140.73 грн
100+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS.pdf
DMT6004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.00 грн
10+84.60 грн
100+58.89 грн
500+51.14 грн
1000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS.pdf
DMT4002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.49 грн
10+96.80 грн
100+65.48 грн
500+44.56 грн
1000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13 DMTH8028LPSWQ.pdf
DMTH8028LPSWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 28674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.75 грн
19+43.19 грн
100+29.04 грн
500+19.71 грн
1000+16.45 грн
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DIOD-S-A0004395459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.89 грн
500+51.14 грн
1000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13 DIOD-S-A0002833274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3007SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.28 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 3177136.pdf
DMT61M5SPSW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.40 грн
10+130.96 грн
100+91.92 грн
500+81.58 грн
1000+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT4002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.48 грн
500+44.56 грн
1000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPS-13 3177139.pdf
DMTH61M8LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.95 грн
10+159.43 грн
100+111.44 грн
500+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13 3204173.pdf
DMTH6002LPSWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+206.61 грн
10+140.73 грн
100+98.43 грн
500+81.58 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2LPSWQ-13 3204172.pdf
DMTH47M2LPSWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.85 грн
15+55.07 грн
100+36.12 грн
500+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SPS-13 3204167.pdf
DMTH12H007SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.11 грн
10+119.58 грн
100+106.56 грн
500+95.17 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13 DIOD-S-A0006154569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13 DIOD-S-A0011397089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH10H015LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.82 грн
15+55.88 грн
100+40.51 грн
500+29.76 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3002LPS-13 DIOD-S-A0003132884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH3002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH3002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1250 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.75 грн
500+31.95 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13 DIOD-S-A0002497812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6042SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.60 грн
17+49.46 грн
100+32.21 грн
500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6042SPS-13 DIOD-S-A0002497812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6042SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.21 грн
500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13 DIOD-S-A0011397089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH10H015LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.51 грн
500+29.76 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UPS-13 3204158.pdf
DMP26M1UPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 5000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.76W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.10 грн
500+21.38 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 3177136.pdf
DMT61M5SPSW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.92 грн
500+81.58 грн
1000+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPS-13 3177139.pdf
DMTH61M8LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.44 грн
500+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LPSWQ-13 3204176.pdf
DMTH8028LPSWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 29874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.04 грн
500+19.71 грн
1000+16.45 грн
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPSWQ-13 3204173.pdf
DMTH6002LPSWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.43 грн
500+81.58 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H072LPS-13 3204166.pdf
DMTH10H072LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.67 грн
18+45.31 грн
100+34.16 грн
500+27.27 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2LPSWQ-13 3204172.pdf
DMTH47M2LPSWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.12 грн
500+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SPS-13 3204167.pdf
DMTH12H007SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.56 грн
500+95.17 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H072LPS-13 3204166.pdf
DMTH10H072LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.16 грн
500+27.27 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13 DIOD-S-A0012994381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT32M4LPSW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.19 грн
500+30.74 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT20U100SLP-13 DIOD-S-A0000446156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBRT20U100SLP-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.39 грн
11+78.66 грн
100+64.02 грн
500+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13 DIOD-S-A0004145086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3028LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.28W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.40 грн
15+56.45 грн
100+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13 DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6021SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.65 грн
500+23.42 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH32M5LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.97 грн
13+67.52 грн
100+47.26 грн
500+39.13 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSQ-13 DIOD-S-A0004145086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3028LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.28W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT25U60SLP-13 DIOD-S-A0000785539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBRT25U60SLP-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT25U60SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 25 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 220A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT20U100SLP-13 DIOD-S-A0000446156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBRT20U100SLP-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.02 грн
500+47.06 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6021SPSQ-13 DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6021SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.26 грн
16+51.33 грн
100+34.82 грн
500+23.49 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH32M5LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.26 грн
500+39.13 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F DIOD-S-A0013396810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.54 грн
87+9.44 грн
140+5.83 грн
500+3.97 грн
1000+2.87 грн
5000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F DIOD-S-A0013396810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.97 грн
1000+2.87 грн
5000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2301CAAB120 DIOD-S-A0009865543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PAM2301CAAB120
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PAM2301CAAB120 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Vout, 2.5 bis 5.5Vin, 1.2V/800mA, TSOT-25-5
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.04 грн
500+19.11 грн
1000+13.60 грн
2500+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2301CAAB120 DIOD-S-A0009865543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PAM2301CAAB120
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PAM2301CAAB120 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Vout, 2.5 bis 5.5Vin, 1.2V/800mA, TSOT-25-5
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.80 грн
21+38.80 грн
100+29.04 грн
500+19.11 грн
1000+13.60 грн
2500+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13 DIOD-S-A0011098141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002AQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.07 грн
83+9.84 грн
184+4.43 грн
500+3.17 грн
1000+2.61 грн
5000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Q-7-F DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002Q-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.34 грн
40+20.74 грн
100+13.18 грн
500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002Q-7-F DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002Q-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-13 DIOD-S-A0011098141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002AQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.17 грн
1000+2.61 грн
5000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002TQ-7-F DIOD-S-A0012994294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002TQ-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002TQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002TQ-7-F DIOD-S-A0012994294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002TQ-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002TQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FZT953 DIODS12225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FZT953
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT953 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN2106ASTZ DIODS12263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZVN2106ASTZ
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 450 mA, 2 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.86 грн
18+47.67 грн
100+31.81 грн
500+21.53 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WT-7 DIODS12185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54WT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAT54WT-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.12 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WT-7 DIODS12185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54WT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAT54WT-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+15.86 грн
85+9.68 грн
134+6.09 грн
500+4.12 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ78A-13-F DIOD-S-A0003133144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBJ78A-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMBJ78A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Unidirektional, 78 V, 126 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 86.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 99.7V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 78V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 126V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.51 грн
102+7.99 грн
500+7.34 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7
DMP2090UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.80 грн
29+28.23 грн
100+25.79 грн
500+21.98 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7
DMP2090UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.79 грн
500+21.98 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7 DIOD-S-A0012956122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2110UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.94 грн
35+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7 DIOD-S-A0012956122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2110UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13 3199770.pdf
DMP6250SFDF-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.55 грн
22+38.31 грн
100+27.41 грн
500+20.09 грн
1000+17.01 грн
5000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13 3199770.pdf
DMP6250SFDF-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.41 грн
500+20.09 грн
1000+17.01 грн
5000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7 DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN65D9L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.54 грн
87+9.44 грн
138+5.91 грн
500+3.97 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]