Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10633) > Сторінка 121 з 178
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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ZXTP5401ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP2014ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP722MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP722MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 2.5 A, 2.45 W, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP5401GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP01500BGTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP5401FLTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP2012ZQTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP2012ZQTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP19060CZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP19060CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.5 A, 26.7 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 26.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP5401ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP2012ASTZ | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP01500BGTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP4003ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP4003ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP720MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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ZXTP5401FLTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP19100CZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP25012EZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP19100CZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP2008GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP2008GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP19060CZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP19060CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.5 A, 26.7 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 26.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP03200BZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP03200BGTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP25012EZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP720MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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ZXTP5401GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP2014ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP722MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP722MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 2.5 A, 2.45 W, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTP03200BGTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5243BS-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5243BS-7-F - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMSZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 13V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5243B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5243B-7-F - Zener-Diode, 13 V, 370 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMSZ52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 13V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5243BS-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5243BS-7-F - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMSZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 13V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5243B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5243B-7-F - Zener-Diode, 13 V, 370 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMSZ52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 13V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PI6CB332001AZXBIEX | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Takt-IC: QFN Frequenz: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Takt-IC: Taktpuffer Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 80Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.465V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PI6CB332001AZXBIEX-13R | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13R - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Takt-IC: QFN Frequenz: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Takt-IC: Taktpuffer Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 80Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.465V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PI6CB332001AZXBIEX-13RA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13RA - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Takt-IC: QFN Frequenz: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Takt-IC: Taktpuffer Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 80Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.465V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PI6CB332001AZXBIEX-13R | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13R - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Takt-IC: QFN Frequenz: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Takt-IC: Taktpuffer Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 80Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.465V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PI6CB332001AZXBIEX | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Takt-IC: QFN Frequenz: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Takt-IC: Taktpuffer Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 80Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.465V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PI6CB332001AZXBIEX-13RA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13RA - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Takt-IC: QFN Frequenz: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Takt-IC: Taktpuffer Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 80Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.465V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AH2985-P-B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AH2985-P-B - MOTORTREIBER-IC, DC BÜRSTENLOS, TO-94-4tariffCode: 85423990 IC-Typ: Lüftermotorsteuerung rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA Motortyp: 0 Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-94 usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 28V Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZVN4206GTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZVN4206AVSTZ | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZVN4206GTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH6004SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH6004SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH6004SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH6004SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DT6250-06MR-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DT6250-06MR-13 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, MSOP, 8 Pin(s), 5 V, 500 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MSOP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DT6250-06MR-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DT6250-06MR-13 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, MSOP, 8 Pin(s), 5 V, 500 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MSOP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2DB1132R-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2DB1132R-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - RS1A-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1A productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMT4008LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMT4008LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LVC1G86SE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74LVC1G86SE-7 - XOR-Gatter, 74LVC1G86, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES Logikfunktion: XOR (Exclusive OR) Logik-IC-Familie: 74LVC Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 74LVC1G86 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LVC1G86SE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74LVC1G86SE-7 - XOR-Gatter, 74LVC1G86, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES Logikfunktion: XOR (Exclusive OR) Logik-IC-Familie: 74LVC Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 74LVC1G86 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AHCT1G86QW5-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G86QW5-7 - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), einfach, 2 Eingänge, 5 Pins, SOT-25, 74AHCT1G86QtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES Logikfunktion: XOR (Exclusive OR) Logik-IC-Familie: 74AHCT Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 74AHCT1G86Q productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5227B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBZ5227B-7-F - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5227B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBZ5227B-7-F - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DFLS1150Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DFLS1150Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 1 A, Einfach, PowerDI 123, 2 Pin(s), 820 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerDI 123 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 820mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| ZXTP5401ZTA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.42 грн |
| 500+ | 12.97 грн |
| ZXTP2014ZTA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.64 грн |
| 13+ | 66.74 грн |
| 100+ | 41.72 грн |
| 500+ | 27.52 грн |
| ZXTP722MATA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP722MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 2.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP722MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 2.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.77 грн |
| 24+ | 37.18 грн |
| 100+ | 26.73 грн |
| ZXTP5401GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 40.18 грн |
| 26+ | 33.75 грн |
| 100+ | 20.99 грн |
| 500+ | 15.19 грн |
| ZXTP01500BGTC |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.76 грн |
| 500+ | 16.31 грн |
| 1000+ | 13.51 грн |
| ZXTP5401FLTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.19 грн |
| 500+ | 7.40 грн |
| 1000+ | 4.92 грн |
| ZXTP2012ZQTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 83.18 грн |
| 14+ | 65.54 грн |
| 100+ | 46.78 грн |
| 500+ | 36.83 грн |
| 1000+ | 27.32 грн |
| ZXTP2012ZQTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.78 грн |
| 500+ | 36.83 грн |
| 1000+ | 27.32 грн |
| ZXTP19060CZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP19060CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.5 A, 26.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP19060CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.5 A, 26.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 84.13 грн |
| 16+ | 56.46 грн |
| 100+ | 37.78 грн |
| 500+ | 26.01 грн |
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 42.92 грн |
| 26+ | 33.84 грн |
| 100+ | 15.42 грн |
| 500+ | 12.97 грн |
| ZXTP2012ASTZ |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.94 грн |
| 12+ | 72.82 грн |
| 100+ | 48.83 грн |
| 500+ | 35.88 грн |
| 1000+ | 30.33 грн |
| ZXTP01500BGTC |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 62.80 грн |
| 23+ | 38.64 грн |
| 100+ | 24.76 грн |
| 500+ | 16.31 грн |
| 1000+ | 13.51 грн |
| ZXTP4003ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP4003ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXTP4003ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.94 грн |
| 500+ | 7.48 грн |
| 1000+ | 5.29 грн |
| ZXTP720MATA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ZXTP5401FLTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 39.24 грн |
| 30+ | 28.87 грн |
| 100+ | 10.19 грн |
| 500+ | 7.40 грн |
| 1000+ | 4.92 грн |
| ZXTP19100CZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.46W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 142MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.46W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 142MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 35.90 грн |
| 500+ | 27.84 грн |
| ZXTP25012EZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.76 грн |
| 500+ | 20.21 грн |
| ZXTP19100CZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.46W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 142MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.46W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 142MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 68.45 грн |
| 16+ | 56.88 грн |
| 100+ | 35.90 грн |
| 500+ | 27.84 грн |
| ZXTP2008GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 42.32 грн |
| 500+ | 33.33 грн |
| 1000+ | 28.93 грн |
| ZXTP2008GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 75.56 грн |
| 15+ | 59.45 грн |
| 100+ | 42.32 грн |
| 500+ | 33.33 грн |
| 1000+ | 28.93 грн |
| ZXTP19060CZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP19060CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.5 A, 26.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP19060CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.5 A, 26.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 37.78 грн |
| 500+ | 26.01 грн |
| ZXTP03200BZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.89 грн |
| 500+ | 31.26 грн |
| ZXTP03200BGTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.06 грн |
| 500+ | 38.58 грн |
| ZXTP25012EZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 69.48 грн |
| 20+ | 43.09 грн |
| 100+ | 27.76 грн |
| 500+ | 20.21 грн |
| ZXTP720MATA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ZXTP5401GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.99 грн |
| 500+ | 15.19 грн |
| ZXTP2014ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZXTP2014ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.72 грн |
| 500+ | 27.52 грн |
| ZXTP722MATA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP722MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 2.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP722MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 2.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.73 грн |
| ZXTP03200BGTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 133.64 грн |
| 10+ | 86.53 грн |
| 100+ | 57.06 грн |
| 500+ | 38.58 грн |
| MMSZ5243BS-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5243BS-7-F - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMSZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSZ5243BS-7-F - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMSZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.77 грн |
| 1000+ | 3.44 грн |
| MMSZ5243B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5243B-7-F - Zener-Diode, 13 V, 370 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMSZ52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSZ5243B-7-F - Zener-Diode, 13 V, 370 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMSZ52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.53 грн |
| MMSZ5243BS-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5243BS-7-F - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMSZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSZ5243BS-7-F - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMSZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 9.00 грн |
| 109+ | 7.87 грн |
| 209+ | 4.10 грн |
| 500+ | 3.77 грн |
| 1000+ | 3.44 грн |
| MMSZ5243B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5243B-7-F - Zener-Diode, 13 V, 370 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMSZ52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSZ5243B-7-F - Zener-Diode, 13 V, 370 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMSZ52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 8.21 грн |
| 131+ | 6.56 грн |
| 255+ | 3.37 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.53 грн |
| PI6CB332001AZXBIEX |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 502.87 грн |
| 10+ | 440.34 грн |
| PI6CB332001AZXBIEX-13R |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13R - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13R - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 440.34 грн |
| 25+ | 364.09 грн |
| PI6CB332001AZXBIEX-13RA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13RA - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13RA - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 874.68 грн |
| 10+ | 765.02 грн |
| 25+ | 633.95 грн |
| PI6CB332001AZXBIEX-13R |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13R - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13R - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 502.87 грн |
| 10+ | 440.34 грн |
| 25+ | 364.09 грн |
| PI6CB332001AZXBIEX |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 440.34 грн |
| PI6CB332001AZXBIEX-13RA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13RA - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - PI6CB332001AZXBIEX-13RA - Taktpuffer, 20 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V, QFN-80, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 20Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 765.02 грн |
| 25+ | 633.95 грн |
| AH2985-P-B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AH2985-P-B - MOTORTREIBER-IC, DC BÜRSTENLOS, TO-94-4
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Lüftermotorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Motortyp: 0
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-94
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AH2985-P-B - MOTORTREIBER-IC, DC BÜRSTENLOS, TO-94-4
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Lüftermotorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Motortyp: 0
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-94
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 59.54 грн |
| 17+ | 51.74 грн |
| 100+ | 39.66 грн |
| 500+ | 26.81 грн |
| ZVN4206GTC |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.15 грн |
| 500+ | 32.46 грн |
| 1000+ | 26.73 грн |
| ZVN4206AVSTZ |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 85.67 грн |
| 16+ | 55.26 грн |
| 100+ | 37.09 грн |
| 500+ | 27.29 грн |
| 1000+ | 22.62 грн |
| ZVN4206GTC |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 76.67 грн |
| 14+ | 62.45 грн |
| 100+ | 45.15 грн |
| 500+ | 32.46 грн |
| 1000+ | 26.73 грн |
| DMTH6004SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.94 грн |
| 10+ | 87.38 грн |
| 100+ | 63.91 грн |
| 500+ | 56.48 грн |
| 1000+ | 49.49 грн |
| DMTH6004SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.22 грн |
| 10+ | 95.09 грн |
| 100+ | 69.13 грн |
| 500+ | 61.73 грн |
| 1000+ | 54.71 грн |
| DMTH6004SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.91 грн |
| 500+ | 56.48 грн |
| 1000+ | 49.49 грн |
| DMTH6004SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 69.13 грн |
| 500+ | 61.73 грн |
| 1000+ | 54.71 грн |
| DT6250-06MR-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DT6250-06MR-13 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, MSOP, 8 Pin(s), 5 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DT6250-06MR-13 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, MSOP, 8 Pin(s), 5 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 25.70 грн |
| 40+ | 21.59 грн |
| 100+ | 13.54 грн |
| DT6250-06MR-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DT6250-06MR-13 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, MSOP, 8 Pin(s), 5 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DT6250-06MR-13 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, MSOP, 8 Pin(s), 5 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.54 грн |
| 2DB1132R-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 43.26 грн |
| 29+ | 30.58 грн |
| 100+ | 19.53 грн |
| 500+ | 12.65 грн |
| 1000+ | 9.84 грн |
| 2DB1132R-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.53 грн |
| 500+ | 12.65 грн |
| 1000+ | 9.84 грн |
| RS1A-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - RS1A-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - RS1A-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.44 грн |
| 1000+ | 5.36 грн |
| 5000+ | 4.63 грн |
| DMT4008LFDF-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.63 грн |
| 500+ | 43.59 грн |
| 1000+ | 36.64 грн |
| DMT4008LFDF-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.47 грн |
| 18+ | 49.35 грн |
| 100+ | 47.63 грн |
| 500+ | 43.59 грн |
| 1000+ | 36.64 грн |
| 74LVC1G86SE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74LVC1G86SE-7 - XOR-Gatter, 74LVC1G86, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74LVC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74LVC1G86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - 74LVC1G86SE-7 - XOR-Gatter, 74LVC1G86, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74LVC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74LVC1G86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 104+ | 8.30 грн |
| 176+ | 4.89 грн |
| 230+ | 3.74 грн |
| 500+ | 3.40 грн |
| 1000+ | 3.08 грн |
| 74LVC1G86SE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74LVC1G86SE-7 - XOR-Gatter, 74LVC1G86, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74LVC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74LVC1G86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - 74LVC1G86SE-7 - XOR-Gatter, 74LVC1G86, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74LVC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74LVC1G86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.40 грн |
| 1000+ | 3.08 грн |
| 74AHCT1G86QW5-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G86QW5-7 - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), einfach, 2 Eingänge, 5 Pins, SOT-25, 74AHCT1G86Q
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74AHCT1G86Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - 74AHCT1G86QW5-7 - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), einfach, 2 Eingänge, 5 Pins, SOT-25, 74AHCT1G86Q
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74AHCT1G86Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.99 грн |
| 1000+ | 3.50 грн |
| MMBZ5227B-7-F |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5227B-7-F - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - MMBZ5227B-7-F - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| MMBZ5227B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5227B-7-F - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - MMBZ5227B-7-F - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 19.19 грн |
| 56+ | 15.51 грн |
| 150+ | 5.73 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| DFLS1150Q-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DFLS1150Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 1 A, Einfach, PowerDI 123, 2 Pin(s), 820 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 123
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 820mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DFLS1150Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 1 A, Einfach, PowerDI 123, 2 Pin(s), 820 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 123
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 820mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.70 грн |
| 37+ | 23.73 грн |
| 100+ | 21.85 грн |
| 500+ | 17.50 грн |
















