Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10732) > Сторінка 147 з 179

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 119 136 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4800LSS-13 DMN4800LSS-13 DIODES INC. DIODS20632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.81 грн
26+31.53 грн
100+18.09 грн
500+14.19 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 DIODES INC. DMN4800LSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.13 грн
500+17.91 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.45 грн
33+24.81 грн
100+13.53 грн
500+12.04 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL-13 DIODES INC. DMN4800LSSL.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.37 грн
500+14.12 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 DIODES INC. DMN4800LSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.06 грн
22+36.49 грн
100+25.13 грн
500+17.91 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.74 грн
23+35.21 грн
100+24.17 грн
500+18.65 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.53 грн
500+12.04 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.17 грн
500+18.65 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.03 грн
16+52.26 грн
100+36.65 грн
500+32.33 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.24 грн
500+71.57 грн
1000+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.45 грн
500+31.73 грн
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPS-13 DMTH4004SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.63 грн
13+64.43 грн
100+53.38 грн
500+44.44 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13 DMP2002UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002832774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.28 грн
10+149.66 грн
100+104.84 грн
500+81.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.15 грн
19+44.26 грн
100+30.01 грн
500+23.11 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.86 грн
10+113.65 грн
100+82.43 грн
500+66.29 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPS-13 DMTH43M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.38 грн
500+36.19 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.47 грн
16+51.46 грн
100+38.26 грн
500+29.50 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.23 грн
17+47.78 грн
100+32.81 грн
500+22.59 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.02 грн
500+32.70 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.49 грн
500+27.35 грн
1000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.24 грн
12+68.27 грн
100+46.90 грн
500+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.85 грн
11+75.31 грн
100+52.42 грн
500+35.37 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.42 грн
500+35.37 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13 DMTH6010LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007713661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.62 грн
500+41.17 грн
1000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 4000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.05 грн
10+81.63 грн
100+54.42 грн
500+39.76 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004887464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.03 грн
14+59.06 грн
100+39.70 грн
500+29.06 грн
1000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013290117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.22 грн
500+38.27 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.43 грн
500+66.29 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13 DMP34M4SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.44 грн
11+74.03 грн
100+55.54 грн
500+40.72 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.30 грн
21+39.94 грн
100+29.53 грн
500+23.71 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.53 грн
500+23.71 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPS-13 DMTH43M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.45 грн
13+64.43 грн
100+49.38 грн
500+36.19 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13 DMTH6002LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0012901561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.95 грн
500+61.24 грн
1000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPS-13 DMTH6016LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.29 грн
500+19.47 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.91 грн
17+48.50 грн
100+37.45 грн
500+31.73 грн
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.65 грн
500+32.33 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.24 грн
15+54.18 грн
100+36.01 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.01 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011396860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.04 грн
13+62.34 грн
100+46.66 грн
500+32.18 грн
1000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.90 грн
500+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13 DMNH6012SPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.23 грн
500+44.07 грн
1000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13 DMT10H010LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004259684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.10 грн
500+43.33 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ-13 DIODES INC. DMTH41M8SPSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.47 грн
10+126.45 грн
100+89.64 грн
500+66.74 грн
1000+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13 DMT4004LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.05 грн
11+77.07 грн
100+54.90 грн
500+40.20 грн
1000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0008363826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.64 грн
500+66.29 грн
1000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ85A-13-F SMCJ85A-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0000285740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SMCJ85A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 85 V, 137 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 94.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 104V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 85V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 137V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.98 грн
17+49.54 грн
100+31.13 грн
500+24.23 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ85A-13-F SMCJ85A-13-F DIODES INC. ds19003.pdf Description: DIODES INC. - SMCJ85A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 85 V, 137 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 94.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 104V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 85V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 137V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.05 грн
500+18.36 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P BS170P DIODES INC. DIOD-S-A0005632443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.44 грн
18+44.50 грн
100+30.89 грн
500+24.08 грн
1000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5244B-7-F MMBZ5244B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5244B-7-F - Zener-Diode, 14 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.55 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9701T-7 DDZ9701T-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003550665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ9701T-7 - Zener-Diode, 14 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.24 грн
500+7.43 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9701S-7 DDZ9701S-7 DIODES INC. DIODS11836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ9701S-7 - Zener-Diode, 14 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe DDZ97
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.24 грн
500+7.43 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9701T-7 DDZ9701T-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003550665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ9701T-7 - Zener-Diode, 14 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.42 грн
31+26.65 грн
100+10.24 грн
500+7.43 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.57 грн
500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.70 грн
24+33.45 грн
100+22.57 грн
500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 DIODES INC. DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.03 грн
16+51.70 грн
100+34.41 грн
500+24.67 грн
1000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.83 грн
15+54.90 грн
100+33.69 грн
500+26.53 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.69 грн
500+26.53 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 DIODES INC. DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.41 грн
500+24.67 грн
1000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
D3V3F8U9LP3810-7 D3V3F8U9LP3810-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004889085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D3V3F8U9LP3810-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 5 V, U-DFN3810, 9 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3810
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 32W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Klemmspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.64 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
D3V3F8U9LP3810-7 D3V3F8U9LP3810-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004889085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D3V3F8U9LP3810-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 5 V, U-DFN3810, 9 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3810
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 32W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Klemmspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.77 грн
54+14.97 грн
111+7.22 грн
500+6.64 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSS-13 DIODS20632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN4800LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+36.81 грн
26+31.53 грн
100+18.09 грн
500+14.19 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ.pdf
DMN4800LSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.13 грн
500+17.91 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG4496SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.45 грн
33+24.81 грн
100+13.53 грн
500+12.04 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL.pdf
DMN4800LSSL-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.37 грн
500+14.12 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ.pdf
DMN4800LSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.06 грн
22+36.49 грн
100+25.13 грн
500+17.91 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.74 грн
23+35.21 грн
100+24.17 грн
500+18.65 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG4496SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.53 грн
500+12.04 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.17 грн
500+18.65 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13 DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4007LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.03 грн
16+52.26 грн
100+36.65 грн
500+32.33 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13 DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH41M8SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.24 грн
500+71.57 грн
1000+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13 DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8012LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.45 грн
500+31.73 грн
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPS-13 DIOD-S-A0003132841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4004SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+73.63 грн
13+64.43 грн
100+53.38 грн
500+44.44 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13 DIOD-S-A0002832774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2002UPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.28 грн
10+149.66 грн
100+104.84 грн
500+81.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT32M5LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+67.15 грн
19+44.26 грн
100+30.01 грн
500+23.11 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8003SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.86 грн
10+113.65 грн
100+82.43 грн
500+66.29 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPS-13 DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.38 грн
500+36.19 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DIOD-S-A0002833412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6009LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.47 грн
16+51.46 грн
100+38.26 грн
500+29.50 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6009LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+73.23 грн
17+47.78 грн
100+32.81 грн
500+22.59 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPSQ-13 DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3010LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.02 грн
500+32.70 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT67M8LPSW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.49 грн
500+27.35 грн
1000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.24 грн
12+68.27 грн
100+46.90 грн
500+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13 DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.85 грн
11+75.31 грн
100+52.42 грн
500+35.37 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13 DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.42 грн
500+35.37 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13 DIOD-S-A0007713661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6010LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.62 грн
500+41.17 грн
1000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH1006UPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 4000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.05 грн
10+81.63 грн
100+54.42 грн
500+39.76 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DIOD-S-A0004887464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4008LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.03 грн
14+59.06 грн
100+39.70 грн
500+29.06 грн
1000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DIOD-S-A0013290117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6005LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.22 грн
500+38.27 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8003SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.43 грн
500+66.29 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13 DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP34M4SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.44 грн
11+74.03 грн
100+55.54 грн
500+40.72 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2005UPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.30 грн
21+39.94 грн
100+29.53 грн
500+23.71 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2005UPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.53 грн
500+23.71 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPS-13 DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.45 грн
13+64.43 грн
100+49.38 грн
500+36.19 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13 DIOD-S-A0012901561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.95 грн
500+61.24 грн
1000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPS-13 DIOD-S-A0013083653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6016LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.29 грн
500+19.47 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13 DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8012LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+72.91 грн
17+48.50 грн
100+37.45 грн
500+31.73 грн
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13 DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4007LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.65 грн
500+32.33 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT68M8LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+91.24 грн
15+54.18 грн
100+36.01 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT68M8LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.01 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13 DIOD-S-A0011396860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H015LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.04 грн
13+62.34 грн
100+46.66 грн
500+32.18 грн
1000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.90 грн
500+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6012SPSQ-13 DIOD-S-A0002497963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6012SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.23 грн
500+44.07 грн
1000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13 DIOD-S-A0004259684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.10 грн
500+43.33 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ.pdf
DMTH41M8SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.47 грн
10+126.45 грн
100+89.64 грн
500+66.74 грн
1000+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13 DIOD-S-A0002833169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT4004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.05 грн
11+77.07 грн
100+54.90 грн
500+40.20 грн
1000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13 DIOD-S-A0008363826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH41M8SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.64 грн
500+66.29 грн
1000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ85A-13-F DIOD-S-A0000285740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMCJ85A-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ85A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 85 V, 137 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 94.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 104V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 85V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 137V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+58.98 грн
17+49.54 грн
100+31.13 грн
500+24.23 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ85A-13-F ds19003.pdf
SMCJ85A-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ85A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 85 V, 137 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 94.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 104V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 85V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 137V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.05 грн
500+18.36 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P DIOD-S-A0005632443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170P
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+90.44 грн
18+44.50 грн
100+30.89 грн
500+24.08 грн
1000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5244B-7-F DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5244B-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5244B-7-F - Zener-Diode, 14 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.55 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9701T-7 DIOD-S-A0003550665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ9701T-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9701T-7 - Zener-Diode, 14 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.24 грн
500+7.43 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9701S-7 DIODS11836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ9701S-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9701S-7 - Zener-Diode, 14 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe DDZ97
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.24 грн
500+7.43 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9701T-7 DIOD-S-A0003550665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ9701T-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9701T-7 - Zener-Diode, 14 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.42 грн
31+26.65 грн
100+10.24 грн
500+7.43 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13 DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.57 грн
500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13 DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.70 грн
24+33.45 грн
100+22.57 грн
500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.03 грн
16+51.70 грн
100+34.41 грн
500+24.67 грн
1000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+66.83 грн
15+54.90 грн
100+33.69 грн
500+26.53 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSDQ-13 DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.69 грн
500+26.53 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.41 грн
500+24.67 грн
1000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
D3V3F8U9LP3810-7 DIOD-S-A0004889085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D3V3F8U9LP3810-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3F8U9LP3810-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 5 V, U-DFN3810, 9 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3810
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 32W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Klemmspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.64 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
D3V3F8U9LP3810-7 DIOD-S-A0004889085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D3V3F8U9LP3810-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3F8U9LP3810-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 5 V, U-DFN3810, 9 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3810
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 32W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Klemmspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+23.77 грн
54+14.97 грн
111+7.22 грн
500+6.64 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 119 136 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]