Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10349) > Сторінка 148 з 173

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 119 136 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 170 173  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC1028UFDB-7 DMC1028UFDB-7 DIODES INC. DMC1028UFDB.pdf Description: DIODES INC. - DMC1028UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 6 A, 6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.59 грн
500+24.91 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX455 ZTX455 DIODES INC. DIODS13218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZTX455 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 1 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.20 грн
16+54.06 грн
100+32.27 грн
500+26.29 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AV ZVN4206AV DIODES INC. DIODS12052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN4206AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1.5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.72 грн
16+52.32 грн
100+32.93 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTZ ZVN4206ASTZ DIODES INC. DIODS08143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVN4206ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 DIODES INC. DMG4822SSDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.50 грн
16+53.23 грн
100+36.89 грн
500+27.43 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 DIODES INC. DMG4822SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.42 грн
17+49.02 грн
100+32.02 грн
500+20.92 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 DIODES INC. DMG4822SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.02 грн
500+20.92 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 DIODES INC. DMG4822SSDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.89 грн
500+27.43 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AP2161FMG-7 AP2161FMG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001166584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - AP2161FMG-7 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 1.5A, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.65 грн
500+20.69 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54LP-7 BAT54LP-7 DIODES INC. DIOD-S-A0008513464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAT54LP-7 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.82 грн
64+12.96 грн
124+6.68 грн
500+5.90 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9V1CSF-7 DDZ9V1CSF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002238313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ9V1CSF-7 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+9.74 грн
124+6.68 грн
313+2.64 грн
500+1.92 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9V1CSF-7 DDZ9V1CSF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002238313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ9V1CSF-7 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.92 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AP7383-50W5-7 AP7383-50W5-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009865516-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - AP7383-50W5-7 - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 30Vin, 750mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 750mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 750mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.33 грн
37+22.78 грн
100+13.20 грн
500+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AP7383-50W5-7 AP7383-50W5-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009865516-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - AP7383-50W5-7 - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 30Vin, 750mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 750mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 30V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 150mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOT-25
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 750mV
Nennausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 750mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.20 грн
500+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7 DMN1019UVT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000772766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.61 грн
28+30.04 грн
100+14.61 грн
500+10.96 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7 DMN1019UVT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000772766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.61 грн
500+10.96 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002832689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.68 грн
30+27.56 грн
100+18.49 грн
500+13.72 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002832689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.49 грн
500+13.72 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 DIODES INC. DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.68 грн
500+17.86 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 DIODES INC. DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.03 грн
21+39.53 грн
100+24.68 грн
500+17.86 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G34W6-7 74LVC2G34W6-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000445845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 74LVC2G34W6-7 - Puffer, nicht invertierend, 74LVC2G34, 1.65V bis 5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 742G34
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVC2G34
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.72 грн
31+27.32 грн
100+17.41 грн
500+12.11 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263B-7-F MMSZ5263B-7-F DIODES INC. DIODS11908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMSZ5263B-7-F - Zener-Diode, 56 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ52 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 56V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.03 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263B-7-F MMSZ5263B-7-F DIODES INC. DIODS11908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMSZ5263B-7-F - Zener-Diode, 56 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ52 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 56V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+11.06 грн
111+7.49 грн
228+3.63 грн
500+3.03 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1U400P1-7 SBR1U400P1-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004455540-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBR1U400P1-7 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 820 mV, 85 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 123
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 820mV
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.24 грн
500+12.95 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3060CTB-13 SBR3060CTB-13 DIODES INC. DIODS21628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBR3060CTB-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.19 грн
500+34.41 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3060CTB-13 SBR3060CTB-13 DIODES INC. DIODS21628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBR3060CTB-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.31 грн
13+68.58 грн
100+49.19 грн
500+34.41 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G34W6-7 74LVC2G34W6-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000445845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 74LVC2G34W6-7 - Puffer, nicht invertierend, 74LVC2G34, 1.65V bis 5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 742G34
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVC
Bauform - Logikbaustein: SOT-26
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVC2G34
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.71 грн
500+10.42 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSS-13 DMN4800LSS-13 DIODES INC. DIODS20632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.65 грн
500+14.64 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL-13 DIODES INC. DMN4800LSSL.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.33 грн
27+31.44 грн
100+19.97 грн
500+14.56 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSS-13 DMN4800LSS-13 DIODES INC. DIODS20632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.96 грн
26+32.52 грн
100+18.65 грн
500+14.64 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.43 грн
500+17.70 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. ds32048.pdf Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.07 грн
31+26.90 грн
100+13.04 грн
500+11.04 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL-13 DIODES INC. DMN4800LSSL.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.97 грн
500+14.56 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.63 грн
22+38.95 грн
100+24.43 грн
500+17.70 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.90 грн
19+43.74 грн
100+27.40 грн
500+19.92 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. ds32048.pdf Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.04 грн
500+11.04 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.40 грн
500+19.92 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0054 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.18 грн
13+68.75 грн
100+48.20 грн
500+42.53 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.91 грн
500+73.11 грн
1000+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.60 грн
500+33.11 грн
1000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPS-13 DMTH4004SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.92 грн
10+85.83 грн
100+60.66 грн
500+44.52 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13 DMP2002UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002832774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.09 грн
10+138.65 грн
100+99.03 грн
500+88.13 грн
1000+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.42 грн
16+53.64 грн
100+37.30 грн
500+28.97 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.47 грн
10+112.24 грн
100+80.30 грн
500+70.35 грн
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPS-13 DMTH43M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.71 грн
500+55.87 грн
1000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.26 грн
12+71.47 грн
100+49.27 грн
500+36.32 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.29 грн
15+55.05 грн
100+37.55 грн
500+29.12 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.29 грн
500+40.46 грн
1000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 0.0044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.86 грн
500+29.73 грн
1000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0067 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.81 грн
15+58.43 грн
100+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.24 грн
11+79.56 грн
100+58.02 грн
500+42.53 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.02 грн
500+42.53 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13 DMTH6010LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007713661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0064 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.28 грн
500+57.25 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.004 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.26 грн
12+69.16 грн
100+48.44 грн
500+43.53 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004887464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 0.0073 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.31 грн
14+59.42 грн
100+39.86 грн
500+28.97 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013290117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 0.0035 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.03 грн
500+37.86 грн
1000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.30 грн
500+70.35 грн
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13 DMP34M4SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.99 грн
12+73.04 грн
100+55.87 грн
500+40.92 грн
1000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.79 грн
16+52.57 грн
100+38.79 грн
500+28.89 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.79 грн
500+28.89 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UFDB-7 DMC1028UFDB.pdf
DMC1028UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1028UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 6 A, 6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.59 грн
500+24.91 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX455 DIODS13218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZTX455
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX455 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 1 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ZTX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.20 грн
16+54.06 грн
100+32.27 грн
500+26.29 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AV DIODS12052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZVN4206AV
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1.5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.72 грн
16+52.32 грн
100+32.93 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTZ DIODS08143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZVN4206ASTZ
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ.pdf
DMG4822SSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.50 грн
16+53.23 грн
100+36.89 грн
500+27.43 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.42 грн
17+49.02 грн
100+32.02 грн
500+20.92 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.02 грн
500+20.92 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ.pdf
DMG4822SSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.89 грн
500+27.43 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AP2161FMG-7 DIOD-S-A0001166584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AP2161FMG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP2161FMG-7 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 1.5A, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.65 грн
500+20.69 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54LP-7 DIOD-S-A0008513464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54LP-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAT54LP-7 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+18.82 грн
64+12.96 грн
124+6.68 грн
500+5.90 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9V1CSF-7 DIOD-S-A0002238313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ9V1CSF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9V1CSF-7 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+9.74 грн
124+6.68 грн
313+2.64 грн
500+1.92 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9V1CSF-7 DIOD-S-A0002238313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ9V1CSF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9V1CSF-7 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.92 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AP7383-50W5-7 DIOD-S-A0009865516-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
AP7383-50W5-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP7383-50W5-7 - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 30Vin, 750mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 750mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 750mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.33 грн
37+22.78 грн
100+13.20 грн
500+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AP7383-50W5-7 DIOD-S-A0009865516-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
AP7383-50W5-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP7383-50W5-7 - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 30Vin, 750mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 750mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 30V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 150mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOT-25
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 750mV
Nennausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 750mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.20 грн
500+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7 DIOD-S-A0000772766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN1019UVT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.61 грн
28+30.04 грн
100+14.61 грн
500+10.96 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7 DIOD-S-A0000772766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN1019UVT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.61 грн
500+10.96 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DIOD-S-A0002832689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN13H750S-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.68 грн
30+27.56 грн
100+18.49 грн
500+13.72 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DIOD-S-A0002832689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN13H750S-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.49 грн
500+13.72 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN30H4D0L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.68 грн
500+17.86 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN30H4D0L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.03 грн
21+39.53 грн
100+24.68 грн
500+17.86 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G34W6-7 DIOD-S-A0000445845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
74LVC2G34W6-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74LVC2G34W6-7 - Puffer, nicht invertierend, 74LVC2G34, 1.65V bis 5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 742G34
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVC2G34
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.72 грн
31+27.32 грн
100+17.41 грн
500+12.11 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263B-7-F DIODS11908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5263B-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5263B-7-F - Zener-Diode, 56 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ52 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 56V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.03 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263B-7-F DIODS11908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5263B-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5263B-7-F - Zener-Diode, 56 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ52 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 56V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.06 грн
111+7.49 грн
228+3.63 грн
500+3.03 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1U400P1-7 DIOD-S-A0004455540-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBR1U400P1-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR1U400P1-7 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 820 mV, 85 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 123
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 820mV
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.24 грн
500+12.95 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3060CTB-13 DIODS21628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBR3060CTB-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR3060CTB-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.19 грн
500+34.41 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3060CTB-13 DIODS21628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBR3060CTB-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR3060CTB-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.31 грн
13+68.58 грн
100+49.19 грн
500+34.41 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G34W6-7 DIOD-S-A0000445845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
74LVC2G34W6-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74LVC2G34W6-7 - Puffer, nicht invertierend, 74LVC2G34, 1.65V bis 5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 742G34
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVC
Bauform - Logikbaustein: SOT-26
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVC2G34
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.71 грн
500+10.42 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSS-13 DIODS20632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN4800LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.65 грн
500+14.64 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL.pdf
DMN4800LSSL-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.33 грн
27+31.44 грн
100+19.97 грн
500+14.56 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSS-13 DIODS20632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN4800LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.96 грн
26+32.52 грн
100+18.65 грн
500+14.64 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DIOD-S-A0002833358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN4800LSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.43 грн
500+17.70 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 ds32048.pdf
DMG4496SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.07 грн
31+26.90 грн
100+13.04 грн
500+11.04 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL.pdf
DMN4800LSSL-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.97 грн
500+14.56 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DIOD-S-A0002833358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN4800LSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.63 грн
22+38.95 грн
100+24.43 грн
500+17.70 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.90 грн
19+43.74 грн
100+27.40 грн
500+19.92 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 ds32048.pdf
DMG4496SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.04 грн
500+11.04 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.40 грн
500+19.92 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13 DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4007LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0054 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.18 грн
13+68.75 грн
100+48.20 грн
500+42.53 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13 DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH41M8SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.91 грн
500+73.11 грн
1000+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSQ-13 DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8012LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.60 грн
500+33.11 грн
1000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPS-13 DIOD-S-A0003132841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4004SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.92 грн
10+85.83 грн
100+60.66 грн
500+44.52 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13 DIOD-S-A0002832774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2002UPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.09 грн
10+138.65 грн
100+99.03 грн
500+88.13 грн
1000+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT32M5LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.42 грн
16+53.64 грн
100+37.30 грн
500+28.97 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8003SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.47 грн
10+112.24 грн
100+80.30 грн
500+70.35 грн
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPS-13 DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.71 грн
500+55.87 грн
1000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DIOD-S-A0002833412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6009LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.26 грн
12+71.47 грн
100+49.27 грн
500+36.32 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6009LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.29 грн
15+55.05 грн
100+37.55 грн
500+29.12 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPSQ-13 DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3010LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.29 грн
500+40.46 грн
1000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT67M8LPSW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 0.0044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.86 грн
500+29.73 грн
1000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0067 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.81 грн
15+58.43 грн
100+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13 DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.24 грн
11+79.56 грн
100+58.02 грн
500+42.53 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13 DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.02 грн
500+42.53 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13 DIOD-S-A0007713661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6010LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0064 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.28 грн
500+57.25 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH1006UPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.004 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.26 грн
12+69.16 грн
100+48.44 грн
500+43.53 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DIOD-S-A0004887464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4008LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 0.0073 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.31 грн
14+59.42 грн
100+39.86 грн
500+28.97 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DIOD-S-A0013290117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6005LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 0.0035 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.03 грн
500+37.86 грн
1000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8003SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.30 грн
500+70.35 грн
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13 DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP34M4SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.99 грн
12+73.04 грн
100+55.87 грн
500+40.92 грн
1000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2005UPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.79 грн
16+52.57 грн
100+38.79 грн
500+28.89 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2005UPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.79 грн
500+28.89 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 119 136 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 170 173  [ Наступна Сторінка >> ]