Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10720) > Сторінка 161 з 179

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 119 136 153 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA DIODES INC. DIODS21255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+44.20 грн
30+30.24 грн
100+20.63 грн
500+15.03 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TA ZXMP4A57E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000570578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.57 грн
500+15.69 грн
1000+13.95 грн
5000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA DIODES INC. DIODS21255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.63 грн
500+15.03 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TA ZXMP4A57E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000570578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.98 грн
36+24.99 грн
100+19.57 грн
500+15.69 грн
1000+13.95 грн
5000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA DIODES INC. DIODS12119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S2B-13-F S2B-13-F DIODES INC. ds16004.pdf Description: DIODES INC. - S2B-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.95 грн
59+15.21 грн
118+7.56 грн
500+6.36 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
S2B-13-F S2B-13-F DIODES INC. ds16004.pdf Description: DIODES INC. - S2B-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.36 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DCX124EK-7-F DCX124EK-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013681215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DCX124EK-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.45 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DCX124EU-7-F DCX124EU-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0014203776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DCX124EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.45 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DUP2105SOQ-7 DUP2105SOQ-7 DIODES INC. DUP2105SOQ.pdf Description: DIODES INC. - DUP2105SOQ-7 - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.70 грн
500+8.67 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C16 BZX84C16 DIODES INC. ZETXS01975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BZX84C16 - Zener-Diode, 16 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+12.99 грн
136+6.58 грн
219+4.06 грн
500+3.30 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C16 BZX84C16 DIODES INC. ZETXS01975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BZX84C16 - Zener-Diode, 16 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.30 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTA ZXMP2120FFTA DIODES INC. DIODS12333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP2120FFTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 137 mA, 28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.04 грн
500+25.93 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTA ZXMP2120FFTA DIODES INC. DIODS12333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP2120FFTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 137 mA, 28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.84 грн
18+50.79 грн
100+35.04 грн
500+25.93 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SDM160S1F-7 SDM160S1F-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002497826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SDM160S1F-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123F, 2 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+26.42 грн
50+17.79 грн
100+14.68 грн
500+10.24 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SDM160S1F-7 SDM160S1F-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002497826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SDM160S1F-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123F, 2 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.68 грн
500+10.24 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INC. DMG6402LVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.72 грн
104+8.63 грн
500+7.43 грн
1000+4.65 грн
5000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.71 грн
1000+3.54 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+14.32 грн
91+9.87 грн
173+5.15 грн
500+4.71 грн
1000+3.54 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFD-7 DMN2310UFD-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012994315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.50 грн
500+11.56 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE-7 DIODES INC. 3199753.pdf Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 2.3 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.34 грн
50+40.29 грн
100+26.77 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE-7 DIODES INC. 3199753.pdf Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 2.3 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.77 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7 DMN3016LFDF-7 DIODES INC. DMN3016LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.03 грн
50+35.40 грн
100+23.21 грн
500+16.52 грн
1500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7 DIODES INC. 3199743.pdf Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.07 грн
500+40.96 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-7 DMN3032LFDB-7 DIODES INC. 3199751.pdf Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.56 грн
28+32.64 грн
100+21.35 грн
500+13.63 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 DIODES INC. 3199738.pdf Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.94 грн
500+12.14 грн
1000+10.06 грн
5000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 DMT2004UFDF-7 DIODES INC. 3199772.pdf Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.22 грн
500+19.99 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 DIODES INC. 3199738.pdf Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+26.24 грн
45+19.83 грн
100+18.94 грн
500+12.14 грн
1000+10.06 грн
5000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 DMT2004UFDF-7 DIODES INC. 3199772.pdf Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.45 грн
23+39.85 грн
100+27.22 грн
500+19.99 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7 DMN3016LFDF-7 DIODES INC. DMN3016LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.21 грн
500+16.52 грн
1500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7 DIODES INC. 3199743.pdf Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.01 грн
19+47.94 грн
100+46.07 грн
500+40.96 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB-7 DIODES INC. DMN1029UFDB.pdf Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.98 грн
38+23.84 грн
100+12.72 грн
500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB-7 DIODES INC. DMN1029UFDB.pdf Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.72 грн
500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-7 DMN3055LFDBQ-7 DIODES INC. DMN3055LFDBQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.47 грн
33+27.66 грн
100+22.24 грн
500+17.10 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-7 DMN3055LFDBQ-7 DIODES INC. DMN3055LFDBQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.24 грн
500+17.10 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE-7 DIODES INC. DMN2015UFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.60 грн
30+29.80 грн
100+19.74 грн
500+15.11 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7 DMN3021LFDF-7 DIODES INC. DMN3021LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN3021LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.14 грн
500+11.98 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7 DMN2028UFDF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.81 грн
500+11.31 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-7R DMTH6016LFDFWQ-7R DIODES INC. DMTH6016LFDFWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+67.15 грн
17+53.36 грн
100+36.91 грн
500+32.37 грн
1000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 DIODES INC. DMN3016LFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.00 грн
32+27.93 грн
100+13.87 грн
500+12.22 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G07SE-7 74AUP1G07SE-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000449512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 74AUP1G07SE-7 - Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend, 74AUP1G07, 800mV bis 3.6V, SOT-353-5
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 741G07
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AUP
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AUP1G07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.98 грн
30+30.15 грн
100+19.21 грн
500+13.87 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G07SE-7 74AUP1G07SE-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000449512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 74AUP1G07SE-7 - Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend, 74AUP1G07, 800mV bis 3.6V, SOT-353-5
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 741G07
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AUP
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AUP1G07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.21 грн
500+13.87 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-7 DMP25H18DLFDE-7 DIODES INC. 3199767.pdf Description: DIODES INC. - DMP25H18DLFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 10 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.20 грн
10+109.40 грн
100+73.55 грн
500+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B130-13-F B130-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0002832788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - B130-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B130
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.92 грн
81+11.03 грн
100+9.25 грн
500+6.30 грн
1000+4.60 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
B340LA-13-F B340LA-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0002227821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - B340LA-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B340L
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 72984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.55 грн
250+17.61 грн
1000+11.40 грн
3000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ7V5C-7 DDZ7V5C-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014467476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ7V5C-7 - Zener-Diode, 7.5 V, 470 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.97 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ7V5C-7 DDZ7V5C-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014467476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ7V5C-7 - Zener-Diode, 7.5 V, 470 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+10.23 грн
108+8.27 грн
218+4.09 грн
500+2.97 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13 DMP4010SK3Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.51 грн
12+77.47 грн
100+51.85 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13 DMP4010SK3Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.85 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
B350A-13-F B350A-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0002833511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - B350A-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B350A
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.63 грн
500+16.68 грн
1000+12.58 грн
5000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AS393MMTR-G1 AS393MMTR-G1 DIODES INC. DIOD-S-A0006646728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - AS393MMTR-G1 - Analoger Komparator, Geringe Offset-Spannung, 2 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, MSOP
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Geringe Offset-Spannung
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.51 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AS393MMTR-G1 AS393MMTR-G1 DIODES INC. DIOD-S-A0006646728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - AS393MMTR-G1 - Analoger Komparator, Geringe Offset-Spannung, 2 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, MSOP
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Geringe Offset-Spannung
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+13.52 грн
98+9.16 грн
130+6.87 грн
500+5.51 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
ZXGD3005E6TA ZXGD3005E6TA DIODES INC. 2100165.pdf Description: DIODES INC. - ZXGD3005E6TA - High-Speed-Single-Gate-Treiber, nicht invertierend, 10Aout, 20ns Verzögerung, SOT-26-6
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.08 грн
500+14.62 грн
1000+12.81 грн
2500+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.34 грн
1500+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-F MMDT4413-7-F DIODES INC. DIODS20254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.85 грн
500+9.75 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-F MMDT4403-7-F DIODES INC. DIODS11070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT4403-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 600 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+21.35 грн
67+13.43 грн
157+5.69 грн
500+4.79 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT2222V-7 MMDT2222V-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT2222V-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.05 грн
500+8.42 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT2222V-7 MMDT2222V-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT2222V-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.98 грн
43+21.17 грн
100+10.05 грн
500+8.42 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-F MMDT4403-7-F DIODES INC. DIODS11070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT4403-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 600 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.43 грн
157+5.69 грн
500+4.79 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13 DMG4800LK3-13 DIODES INC. ds31959.pdf Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+67.86 грн
21+42.69 грн
100+28.11 грн
500+20.15 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTA DIODS21255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP3F30FHTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+44.20 грн
30+30.24 грн
100+20.63 грн
500+15.03 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TA DIOD-S-A0000570578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP4A57E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.57 грн
500+15.69 грн
1000+13.95 грн
5000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTA DIODS21255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP3F30FHTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.63 грн
500+15.03 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TA DIOD-S-A0000570578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP4A57E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.98 грн
36+24.99 грн
100+19.57 грн
500+15.69 грн
1000+13.95 грн
5000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TA DIODS12119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP3A16N8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S2B-13-F ds16004.pdf
S2B-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S2B-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.95 грн
59+15.21 грн
118+7.56 грн
500+6.36 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
S2B-13-F ds16004.pdf
S2B-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S2B-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.36 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DCX124EK-7-F DIOD-S-A0013681215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DCX124EK-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DCX124EK-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.45 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DCX124EU-7-F DIOD-S-A0014203776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DCX124EU-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DCX124EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.45 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DUP2105SOQ-7 DUP2105SOQ.pdf
DUP2105SOQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DUP2105SOQ-7 - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.70 грн
500+8.67 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C16 ZETXS01975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX84C16
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZX84C16 - Zener-Diode, 16 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+12.99 грн
136+6.58 грн
219+4.06 грн
500+3.30 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C16 ZETXS01975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX84C16
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZX84C16 - Zener-Diode, 16 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.30 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTA DIODS12333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP2120FFTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP2120FFTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 137 mA, 28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.04 грн
500+25.93 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTA DIODS12333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP2120FFTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP2120FFTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 137 mA, 28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.84 грн
18+50.79 грн
100+35.04 грн
500+25.93 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SDM160S1F-7 DIOD-S-A0002497826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SDM160S1F-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SDM160S1F-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123F, 2 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.42 грн
50+17.79 грн
100+14.68 грн
500+10.24 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SDM160S1F-7 DIOD-S-A0002497826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SDM160S1F-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SDM160S1F-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123F, 2 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.68 грн
500+10.24 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.72 грн
104+8.63 грн
500+7.43 грн
1000+4.65 грн
5000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13 DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LDW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.71 грн
1000+3.54 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LDW-13 DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LDW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+14.32 грн
91+9.87 грн
173+5.15 грн
500+4.71 грн
1000+3.54 грн
5000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFD-7 DIOD-S-A0012994315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2310UFD-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.50 грн
500+11.56 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7 3199753.pdf
DMN30H4D0LFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 2.3 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.34 грн
50+40.29 грн
100+26.77 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7 3199753.pdf
DMN30H4D0LFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 2.3 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.77 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7 DMN3016LFDF.pdf
DMN3016LFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.03 грн
50+35.40 грн
100+23.21 грн
500+16.52 грн
1500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7 3199743.pdf
DMN2013UFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.07 грн
500+40.96 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-7 3199751.pdf
DMN3032LFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.56 грн
28+32.64 грн
100+21.35 грн
500+13.63 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 3199738.pdf
DMN1008UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.94 грн
500+12.14 грн
1000+10.06 грн
5000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 3199772.pdf
DMT2004UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.22 грн
500+19.99 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 3199738.pdf
DMN1008UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.24 грн
45+19.83 грн
100+18.94 грн
500+12.14 грн
1000+10.06 грн
5000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 3199772.pdf
DMT2004UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.45 грн
23+39.85 грн
100+27.22 грн
500+19.99 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7 DMN3016LFDF.pdf
DMN3016LFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.21 грн
500+16.52 грн
1500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7 3199743.pdf
DMN2013UFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.01 грн
19+47.94 грн
100+46.07 грн
500+40.96 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB.pdf
DMN1029UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.98 грн
38+23.84 грн
100+12.72 грн
500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB.pdf
DMN1029UFDB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.72 грн
500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-7 DMN3055LFDBQ.pdf
DMN3055LFDBQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+48.47 грн
33+27.66 грн
100+22.24 грн
500+17.10 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-7 DMN3055LFDBQ.pdf
DMN3055LFDBQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.24 грн
500+17.10 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE.pdf
DMN2015UFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.60 грн
30+29.80 грн
100+19.74 грн
500+15.11 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7 DMN3021LFDF.pdf
DMN3021LFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3021LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.14 грн
500+11.98 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7 DIOD-S-A0009691475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.81 грн
500+11.31 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFWQ-7R DMTH6016LFDFWQ.pdf
DMTH6016LFDFWQ-7R
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+67.15 грн
17+53.36 грн
100+36.91 грн
500+32.37 грн
1000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE.pdf
DMN3016LFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.00 грн
32+27.93 грн
100+13.87 грн
500+12.22 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G07SE-7 DIOD-S-A0000449512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
74AUP1G07SE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AUP1G07SE-7 - Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend, 74AUP1G07, 800mV bis 3.6V, SOT-353-5
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 741G07
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AUP
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AUP1G07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.98 грн
30+30.15 грн
100+19.21 грн
500+13.87 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G07SE-7 DIOD-S-A0000449512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
74AUP1G07SE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AUP1G07SE-7 - Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend, 74AUP1G07, 800mV bis 3.6V, SOT-353-5
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 741G07
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AUP
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AUP1G07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.21 грн
500+13.87 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-7 3199767.pdf
DMP25H18DLFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP25H18DLFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 10 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.20 грн
10+109.40 грн
100+73.55 грн
500+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B130-13-F DIOD-S-A0002832788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
B130-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B130-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B130
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.92 грн
81+11.03 грн
100+9.25 грн
500+6.30 грн
1000+4.60 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
B340LA-13-F DIOD-S-A0002227821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
B340LA-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B340LA-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B340L
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 72984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.55 грн
250+17.61 грн
1000+11.40 грн
3000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ7V5C-7 DIOD-S-A0014467476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ7V5C-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ7V5C-7 - Zener-Diode, 7.5 V, 470 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.97 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ7V5C-7 DIOD-S-A0014467476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ7V5C-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ7V5C-7 - Zener-Diode, 7.5 V, 470 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe DDZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+10.23 грн
108+8.27 грн
218+4.09 грн
500+2.97 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13 DIOD-S-A0002833475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP4010SK3Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.51 грн
12+77.47 грн
100+51.85 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4010SK3Q-13 DIOD-S-A0002833475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP4010SK3Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4010SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.85 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
B350A-13-F DIOD-S-A0002833511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
B350A-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B350A-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B350A
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.63 грн
500+16.68 грн
1000+12.58 грн
5000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AS393MMTR-G1 DIOD-S-A0006646728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AS393MMTR-G1
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS393MMTR-G1 - Analoger Komparator, Geringe Offset-Spannung, 2 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, MSOP
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Geringe Offset-Spannung
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.51 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AS393MMTR-G1 DIOD-S-A0006646728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AS393MMTR-G1
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS393MMTR-G1 - Analoger Komparator, Geringe Offset-Spannung, 2 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, MSOP
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Geringe Offset-Spannung
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.52 грн
98+9.16 грн
130+6.87 грн
500+5.51 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
ZXGD3005E6TA 2100165.pdf
ZXGD3005E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXGD3005E6TA - High-Speed-Single-Gate-Treiber, nicht invertierend, 10Aout, 20ns Verzögerung, SOT-26-6
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.08 грн
500+14.62 грн
1000+12.81 грн
2500+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.34 грн
1500+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-F DIODS20254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT4413-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.85 грн
500+9.75 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-F DIODS11070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT4403-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT4403-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 600 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+21.35 грн
67+13.43 грн
157+5.69 грн
500+4.79 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT2222V-7 DIOD-S-A0002833515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT2222V-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT2222V-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.05 грн
500+8.42 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT2222V-7 DIOD-S-A0002833515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT2222V-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT2222V-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.98 грн
43+21.17 грн
100+10.05 грн
500+8.42 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-F DIODS11070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT4403-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT4403-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 600 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.43 грн
157+5.69 грн
500+4.79 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13 ds31959.pdf
DMG4800LK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+67.86 грн
21+42.69 грн
100+28.11 грн
500+20.15 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 119 136 153 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]