Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10991) > Сторінка 164 з 184
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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DMTH6009LK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SBR545D1-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBR545D1-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 490 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 90A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 490mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SBR productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMP6050SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MMDT2227-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mWtariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Dauerkollektorstrom: 600mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, PNP: 200mW DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Produktpalette: - usEccn: EAR99 Bauform - Transistor: SOT-363 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE Verlustleistung: 200mW rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Verlustleistung, NPN: 200mW Qualifikation: - Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMSTA55-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMSTA55-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ZVP4525ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 205mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ZVP4525ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 205mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMC2710UDWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.45 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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1SMB5929B-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1SMB5929B-13 - Zener-Diode, 15 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe 1SMB59xxB productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMBZ5238B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 8.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMBZ5238B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 8.7V |
на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FMMT591A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT591A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMG4413LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMG4413LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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D3V3P4U10LP26-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 10Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: UDFN2626 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Betriebsspannung: 3.3V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 500mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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D3V3P4U10LP26-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: UDFN2626 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FZT705 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT705 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 120 V, 2 W, 2 A, SOT-223, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 3000hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4011SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4011SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 115W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4011SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 115W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMPH3010LK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH3010LK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4011SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 54 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH6050SSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH6023SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMPH6023SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4013SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4013SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH6050SSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4013SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH4013SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AP61300Z6-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP61300Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 2.2MHz euEccn: NLR Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOT-563 rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 600mV IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563 Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.4V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 3A usEccn: EAR99 Wirkungsgrad: 84% Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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AP61302Z6-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP61302Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 600mV IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563 usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.4V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 3A Wirkungsgrad: 84% Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMN24H3D5L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMN24H3D5L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 760mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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PI2DBS16212AZREX | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI2DBS16212AZREX - Multiplexer / Demultiplexer, 2 Kanäle, 2:1, 1.8V, TQFN-24, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: 1.8V Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 24Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Einschaltwiderstand, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Logikfamilie / Sockelnummer: PI2DBS16212A IC-Funktion: Multiplexer/Demultiplexer Stromversorgung: Einfache Versorgung IC-Montage: Oberflächenmontage Logiktyp: 2:1-Multiplexer / Demultiplexer Produktpalette: - usEccn: EAR99 Leitungskonfiguration: 2:1 rohsCompliant: YES Einschaltwiderstand, typ.: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) IC-Gehäuse / Bauform: TQFN Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Schnittstellen: PCIe, USB, SAS, SATA, Thunderbolt Versorgungsspannung: 1.8V Schalterkonfiguration: SPDT Qualifikation: - rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: TQFN Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1 isCanonical: N euEccn: NLR |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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PI2DBS16212AZREX | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI2DBS16212AZREX - Multiplexer / Demultiplexer, 2 Kanäle, 2:1, 1.8V, TQFN-24, -40°C bis 85°CtariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: 1.8V Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 24Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Einschaltwiderstand, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Logikfamilie / Sockelnummer: PI2DBS16212A IC-Funktion: Multiplexer/Demultiplexer Stromversorgung: Einfache Versorgung IC-Montage: Oberflächenmontage Logiktyp: 2:1-Multiplexer / Demultiplexer Produktpalette: - usEccn: EAR99 Leitungskonfiguration: 2:1 rohsCompliant: YES Einschaltwiderstand, typ.: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) IC-Gehäuse / Bauform: TQFN Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Schnittstellen: PCIe, USB, SAS, SATA, Thunderbolt Versorgungsspannung: 1.8V Schalterkonfiguration: SPDT Qualifikation: - rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: TQFN Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1 isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AP331AWRG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP331AWRG-7 - Analoger Komparator, Präzisionsspannungskomparator, 1 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18VtariffCode: 85423390 Ansprechzeit: 1.3µs euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage IC-Ausgang: Open-Collector Komparatorausgang: Open-Collector Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25R MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Komparatortyp: Präzisionsspannungskomparator SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs Anzahl der Komparatoren: 1 Komparator Betriebstemperatur, max.: 70°C Bauform - Komparator: SOT-25R |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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AP331AWRG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP331AWRG-7 - Analoger Komparator, Präzisionsspannungskomparator, 1 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18VtariffCode: 85423390 Ansprechzeit: 1.3µs euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage IC-Ausgang: Open-Collector Komparatorausgang: Open-Collector Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25R MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Komparatortyp: Präzisionsspannungskomparator SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs Anzahl der Komparatoren: 1 Komparator Betriebstemperatur, max.: 70°C Bauform - Komparator: SOT-25R |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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D5V0L2B3SO-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-23, 3 Pin(s), 300 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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D5V0L2B3W-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3W-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-323, 3 Pin(s), 200 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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D5V0L2B3SO-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-23, 3 Pin(s), 300 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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D5V0L1B2TQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D5V0L1B2TQ-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 275 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung Pd: 275mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DMN3060LWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3060LWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SMBJ22CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMBJ22CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 22 V, 35.5 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 24.4V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 28V isCanonical: Y Sperrspannung: 22V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 35.5V |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FZT1151A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT1151A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMT69M9LPDW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMT69M9LPDW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MMBD914-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBD914-7-F - Kleinsignaldiode, Array, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBD9 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMBD914-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBD914-7-F - Kleinsignaldiode, Array, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBD9 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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SMCJ10CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 12.3V isCanonical: N Sperrspannung: 10V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V |
на замовлення 6598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMTH6009LK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBR545D1-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR545D1-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 90A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 490mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - SBR545D1-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 90A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 490mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP6050SPS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMDT2227-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 600mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 200mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
Verlustleistung: 200mW
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Verlustleistung, NPN: 200mW
Qualifikation: -
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 600mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 200mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
Verlustleistung: 200mW
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Verlustleistung, NPN: 200mW
Qualifikation: -
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMSTA55-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMSTA55-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZVP4525ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZVP4525ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMC2710UDWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1SMB5929B-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1SMB5929B-13 - Zener-Diode, 15 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe 1SMB59xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: DIODES INC. - 1SMB5929B-13 - Zener-Diode, 15 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe 1SMB59xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBZ5238B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBZ5238B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FMMT591A |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT591A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - FMMT591A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG4413LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG4413LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D3V3P4U10LP26-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: UDFN2626
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: UDFN2626
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D3V3P4U10LP26-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: UDFN2626
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: UDFN2626
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT705 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT705 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 120 V, 2 W, 2 A, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 3000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - FZT705 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 120 V, 2 W, 2 A, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 3000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4011SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4011SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4011SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH3010LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH3010LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4011SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4015SSSQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4025SFVWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4015SSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH6050SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4029LFGQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4025SFVWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH6023SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH6023SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4015SSSQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4013SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4015SSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4013SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH6050SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4013SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4029LFGQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4013SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AP61300Z6-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP61300Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 2.2MHz
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOT-563
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.4V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
usEccn: EAR99
Wirkungsgrad: 84%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: DIODES INC. - AP61300Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 2.2MHz
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOT-563
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.4V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
usEccn: EAR99
Wirkungsgrad: 84%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AP61302Z6-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP61302Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.4V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: 84%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - AP61302Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.4V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: 84%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN24H3D5L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN24H3D5L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PI2DBS16212AZREX |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI2DBS16212AZREX - Multiplexer / Demultiplexer, 2 Kanäle, 2:1, 1.8V, TQFN-24, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einschaltwiderstand, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Logikfamilie / Sockelnummer: PI2DBS16212A
IC-Funktion: Multiplexer/Demultiplexer
Stromversorgung: Einfache Versorgung
IC-Montage: Oberflächenmontage
Logiktyp: 2:1-Multiplexer / Demultiplexer
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Leitungskonfiguration: 2:1
rohsCompliant: YES
Einschaltwiderstand, typ.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Schnittstellen: PCIe, USB, SAS, SATA, Thunderbolt
Versorgungsspannung: 1.8V
Schalterkonfiguration: SPDT
Qualifikation: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TQFN
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: DIODES INC. - PI2DBS16212AZREX - Multiplexer / Demultiplexer, 2 Kanäle, 2:1, 1.8V, TQFN-24, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einschaltwiderstand, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Logikfamilie / Sockelnummer: PI2DBS16212A
IC-Funktion: Multiplexer/Demultiplexer
Stromversorgung: Einfache Versorgung
IC-Montage: Oberflächenmontage
Logiktyp: 2:1-Multiplexer / Demultiplexer
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Leitungskonfiguration: 2:1
rohsCompliant: YES
Einschaltwiderstand, typ.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Schnittstellen: PCIe, USB, SAS, SATA, Thunderbolt
Versorgungsspannung: 1.8V
Schalterkonfiguration: SPDT
Qualifikation: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TQFN
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PI2DBS16212AZREX |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI2DBS16212AZREX - Multiplexer / Demultiplexer, 2 Kanäle, 2:1, 1.8V, TQFN-24, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einschaltwiderstand, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Logikfamilie / Sockelnummer: PI2DBS16212A
IC-Funktion: Multiplexer/Demultiplexer
Stromversorgung: Einfache Versorgung
IC-Montage: Oberflächenmontage
Logiktyp: 2:1-Multiplexer / Demultiplexer
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Leitungskonfiguration: 2:1
rohsCompliant: YES
Einschaltwiderstand, typ.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Schnittstellen: PCIe, USB, SAS, SATA, Thunderbolt
Versorgungsspannung: 1.8V
Schalterkonfiguration: SPDT
Qualifikation: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TQFN
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: DIODES INC. - PI2DBS16212AZREX - Multiplexer / Demultiplexer, 2 Kanäle, 2:1, 1.8V, TQFN-24, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einschaltwiderstand, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Logikfamilie / Sockelnummer: PI2DBS16212A
IC-Funktion: Multiplexer/Demultiplexer
Stromversorgung: Einfache Versorgung
IC-Montage: Oberflächenmontage
Logiktyp: 2:1-Multiplexer / Demultiplexer
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Leitungskonfiguration: 2:1
rohsCompliant: YES
Einschaltwiderstand, typ.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Schnittstellen: PCIe, USB, SAS, SATA, Thunderbolt
Versorgungsspannung: 1.8V
Schalterkonfiguration: SPDT
Qualifikation: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TQFN
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AP331AWRG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP331AWRG-7 - Analoger Komparator, Präzisionsspannungskomparator, 1 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
tariffCode: 85423390
Ansprechzeit: 1.3µs
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: Open-Collector
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25R
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Komparatortyp: Präzisionsspannungskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Anzahl der Komparatoren: 1 Komparator
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Bauform - Komparator: SOT-25R
Description: DIODES INC. - AP331AWRG-7 - Analoger Komparator, Präzisionsspannungskomparator, 1 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
tariffCode: 85423390
Ansprechzeit: 1.3µs
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: Open-Collector
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25R
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Komparatortyp: Präzisionsspannungskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Anzahl der Komparatoren: 1 Komparator
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Bauform - Komparator: SOT-25R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AP331AWRG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP331AWRG-7 - Analoger Komparator, Präzisionsspannungskomparator, 1 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
tariffCode: 85423390
Ansprechzeit: 1.3µs
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: Open-Collector
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25R
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Komparatortyp: Präzisionsspannungskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Anzahl der Komparatoren: 1 Komparator
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Bauform - Komparator: SOT-25R
Description: DIODES INC. - AP331AWRG-7 - Analoger Komparator, Präzisionsspannungskomparator, 1 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
tariffCode: 85423390
Ansprechzeit: 1.3µs
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: Open-Collector
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25R
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Komparatortyp: Präzisionsspannungskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Anzahl der Komparatoren: 1 Komparator
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Bauform - Komparator: SOT-25R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D5V0L2B3SO-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-23, 3 Pin(s), 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-23, 3 Pin(s), 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D5V0L2B3W-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3W-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-323, 3 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3W-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-323, 3 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D5V0L2B3SO-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-23, 3 Pin(s), 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-23, 3 Pin(s), 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D5V0L1B2TQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0L1B2TQ-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 275 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 275mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: DIODES INC. - D5V0L1B2TQ-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 275 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 275mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN3060LWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3060LWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN3060LWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMBJ22CA-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMBJ22CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 22 V, 35.5 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 28V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 22V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
Description: DIODES INC. - SMBJ22CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 22 V, 35.5 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 28V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 22V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT1151A |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT1151A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - FZT1151A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMT69M9LPDW-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMT69M9LPDW-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBD914-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBD914-7-F - Kleinsignaldiode, Array, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBD914-7-F - Kleinsignaldiode, Array, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBD914-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBD914-7-F - Kleinsignaldiode, Array, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBD914-7-F - Kleinsignaldiode, Array, Einfach, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMCJ10CA-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.3V
isCanonical: N
Sperrspannung: 10V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
Description: DIODES INC. - SMCJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.3V
isCanonical: N
Sperrspannung: 10V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
на замовлення 6598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
























