Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10719) > Сторінка 160 з 179

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 119 136 153 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBZ5242B-7-F MMBZ5242B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.54 грн
173+5.16 грн
323+2.76 грн
500+2.15 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B-7-F MMBZ5242B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.15 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BS-7-F MMBZ5242BS-7-F DIODES INC. DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.29 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BW-7-F MMBZ5242BW-7-F DIODES INC. DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+14.50 грн
89+10.05 грн
179+4.98 грн
500+4.13 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BW-7-F MMBZ5242BW-7-F DIODES INC. DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.13 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ-13 DIODES INC. ZXMS81045SPQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 32A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.61 грн
13+72.40 грн
50+65.55 грн
100+53.76 грн
250+46.50 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS82090S14PQ-13 ZXMS82090S14PQ-13 DIODES INC. ZXMS82090S14PQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS82090S14PQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 2 Ausgänge, 18V, 25A, 0.075 Ohm, SOIC-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 25A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.26 грн
250+70.67 грн
500+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ-13 DIODES INC. ZXMS81045SPQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 32A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.76 грн
250+46.50 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81200SPQ-13 ZXMS81200SPQ-13 DIODES INC. 4425881.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 9A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.42 грн
250+49.32 грн
500+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81200SPQ-13 ZXMS81200SPQ-13 DIODES INC. 4425881.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.30 грн
11+88.67 грн
50+82.89 грн
100+55.42 грн
250+49.32 грн
500+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6TA DIODES INC. ZXTD6717E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6TA DIODES INC. ZXTD6717E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. ZXMN10A08E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.99 грн
23+39.40 грн
100+29.62 грн
500+25.93 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA DIODES INC. ZXM62P03E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.78 грн
500+25.77 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. ZXMN10A08E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.62 грн
500+25.93 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA DIODES INC. ZXM62P03E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.42 грн
18+50.43 грн
100+34.78 грн
500+25.77 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.28 грн
500+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.81 грн
500+37.83 грн
1000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+126.30 грн
12+79.42 грн
100+53.72 грн
500+40.06 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2075UDW-7 DMN2075UDW-7 DIODES INC. DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.34 грн
500+11.40 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2075UDW-7 DMN2075UDW-7 DIODES INC. DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.16 грн
32+28.28 грн
100+13.34 грн
500+11.40 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13 DMN2040LTS-13 DIODES INC. ds31941.pdf Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.17 грн
500+18.42 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS-13 DIODES INC. DMN2019UTS.pdf Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.93 грн
33+27.39 грн
100+18.59 грн
500+13.54 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS-13 DIODES INC. DMN2019UTS.pdf Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.59 грн
500+13.54 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13 DMN2016UTS-13 DIODES INC. ds31995.pdf Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13 DMN2016UTS-13 DIODES INC. ds31995.pdf Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.74 грн
24+37.71 грн
100+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13 DMN2040LTS-13 DIODES INC. ds31941.pdf Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+44.20 грн
29+30.77 грн
100+25.17 грн
500+18.42 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HTA BCW68HTA DIODES INC. DIODS15802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCW68HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.18 грн
500+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.88 грн
500+13.54 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+30.60 грн
33+27.48 грн
100+17.88 грн
500+13.54 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7 DMG3413L-7 DIODES INC. DMG3413L.pdf Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+36.55 грн
36+24.73 грн
100+13.07 грн
500+10.65 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7 DMG3413L-7 DIODES INC. DMG3413L.pdf Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.07 грн
500+10.65 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.35 грн
500+23.29 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.95 грн
21+43.05 грн
100+29.35 грн
500+23.29 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 DIODES INC. DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.09 грн
19+48.30 грн
100+32.91 грн
500+25.11 грн
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 DIODES INC. DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.91 грн
500+25.11 грн
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT619TA ZUMT619TA DIODES INC. DIODS11641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZUMT619TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Super323 ZUMT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.43 грн
500+12.80 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT619TA ZUMT619TA DIODES INC. DIODS11641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZUMT619TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Super323 ZUMT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+32.29 грн
35+25.44 грн
100+17.43 грн
500+12.80 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 DIODES INC. 2814406.pdf Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.70 грн
1500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7 DMN24H11DSQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005736587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.93 грн
28+32.02 грн
100+21.79 грн
500+15.86 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS-7 DIODES INC. DIODS21471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.01 грн
500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS-7 DIODES INC. DIODS21471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.44 грн
31+29.35 грн
100+20.01 грн
500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7 DMN24H11DSQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005736587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.79 грн
500+15.86 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
T3V3S5-7 T3V3S5-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014201727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - T3V3S5-7 - ESD-Schutzbaustein, 16 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 16V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T3V3S5-7 T3V3S5-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014201727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - T3V3S5-7 - ESD-Schutzbaustein, 16 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 16V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H20D0HSS-13 DMP65H20D0HSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013043574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP65H20D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 200 mA, 15.4 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+110.29 грн
13+69.91 грн
100+46.43 грн
500+31.05 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H20D0HSS-13 DMP65H20D0HSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013043574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP65H20D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 200 mA, 15.4 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.43 грн
500+31.05 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S2GA-13-F S2GA-13-F DIODES INC. ds16004.pdf Description: DIODES INC. - S2GA-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.45 грн
500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S2GA-13-F S2GA-13-F DIODES INC. ds16004.pdf Description: DIODES INC. - S2GA-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+25.44 грн
49+18.23 грн
100+12.45 грн
500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 DIODES INC. ds31963.pdf Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.85 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 DIODES INC. ds31963.pdf Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+26.24 грн
57+15.74 грн
100+9.96 грн
500+6.85 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16K ZXMP4A16K DIODES INC. 2096854.pdf Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TA ZXMP6A16DN8TA DIODES INC. DIOD-S-A0002833635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.07 грн
12+77.38 грн
100+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA DIODES INC. DIODS12119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.50 грн
15+63.42 грн
100+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA DIODES INC. DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.86 грн
10+94.28 грн
100+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTA ZXMP10A17GQTA DIODES INC. DIOD-S-A0003133188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP10A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+106.73 грн
13+71.86 грн
100+50.16 грн
500+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTA ZXMP10A17E6QTA DIODES INC. DIOD-S-A0008513505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.50 грн
15+63.24 грн
100+41.98 грн
500+30.48 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA DIODES INC. DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTA ZXMP10A17E6QTA DIODES INC. DIOD-S-A0008513505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.98 грн
500+30.48 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TA ZXMP6A16DN8TA DIODES INC. DIOD-S-A0002833635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B-7-F DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242B-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.54 грн
173+5.16 грн
323+2.76 грн
500+2.15 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B-7-F DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242B-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.15 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BS-7-F DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BS-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.29 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BW-7-F DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BW-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+14.50 грн
89+10.05 грн
179+4.98 грн
500+4.13 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BW-7-F DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BW-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.13 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ.pdf
ZXMS81045SPQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 32A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.61 грн
13+72.40 грн
50+65.55 грн
100+53.76 грн
250+46.50 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS82090S14PQ-13 ZXMS82090S14PQ.pdf
ZXMS82090S14PQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS82090S14PQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 2 Ausgänge, 18V, 25A, 0.075 Ohm, SOIC-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 25A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.26 грн
250+70.67 грн
500+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ.pdf
ZXMS81045SPQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 32A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.76 грн
250+46.50 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81200SPQ-13 4425881.pdf
ZXMS81200SPQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 9A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.42 грн
250+49.32 грн
500+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81200SPQ-13 4425881.pdf
ZXMS81200SPQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.30 грн
11+88.67 грн
50+82.89 грн
100+55.42 грн
250+49.32 грн
500+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6.pdf
ZXTD6717E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6.pdf
ZXTD6717E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.99 грн
23+39.40 грн
100+29.62 грн
500+25.93 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6.pdf
ZXM62P03E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.78 грн
500+25.77 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.62 грн
500+25.93 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6.pdf
ZXM62P03E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.42 грн
18+50.43 грн
100+34.78 грн
500+25.77 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.28 грн
500+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.81 грн
500+37.83 грн
1000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+126.30 грн
12+79.42 грн
100+53.72 грн
500+40.06 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2075UDW-7 DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2075UDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.34 грн
500+11.40 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2075UDW-7 DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2075UDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+38.16 грн
32+28.28 грн
100+13.34 грн
500+11.40 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13 ds31941.pdf
DMN2040LTS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.17 грн
500+18.42 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS.pdf
DMN2019UTS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+39.93 грн
33+27.39 грн
100+18.59 грн
500+13.54 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS.pdf
DMN2019UTS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.59 грн
500+13.54 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13 ds31995.pdf
DMN2016UTS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13 ds31995.pdf
DMN2016UTS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.74 грн
24+37.71 грн
100+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13 ds31941.pdf
DMN2040LTS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+44.20 грн
29+30.77 грн
100+25.17 грн
500+18.42 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HTA DIODS15802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW68HTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCW68HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.18 грн
500+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG9926UDM-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.88 грн
500+13.54 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG9926UDM-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+30.60 грн
33+27.48 грн
100+17.88 грн
500+13.54 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
DMG3413L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+36.55 грн
36+24.73 грн
100+13.07 грн
500+10.65 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
DMG3413L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.07 грн
500+10.65 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13 DIOD-S-A0003383571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN6017SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.35 грн
500+23.29 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6017SK3-13 DIOD-S-A0003383571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN6017SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.95 грн
21+43.05 грн
100+29.35 грн
500+23.29 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3010LK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.09 грн
19+48.30 грн
100+32.91 грн
500+25.11 грн
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3010LK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.91 грн
500+25.11 грн
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT619TA DIODS11641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZUMT619TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZUMT619TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Super323 ZUMT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.43 грн
500+12.80 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT619TA DIODS11641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZUMT619TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZUMT619TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Super323 ZUMT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+32.29 грн
35+25.44 грн
100+17.43 грн
500+12.80 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7 2814406.pdf
DMN3190LDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.70 грн
1500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7 DIOD-S-A0005736587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN24H11DSQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+39.93 грн
28+32.02 грн
100+21.79 грн
500+15.86 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7 DIODS21471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN24H11DS-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.01 грн
500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7 DIODS21471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN24H11DS-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.44 грн
31+29.35 грн
100+20.01 грн
500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7 DIOD-S-A0005736587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN24H11DSQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.79 грн
500+15.86 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
T3V3S5-7 DIOD-S-A0014201727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
T3V3S5-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - T3V3S5-7 - ESD-Schutzbaustein, 16 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 16V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T3V3S5-7 DIOD-S-A0014201727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
T3V3S5-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - T3V3S5-7 - ESD-Schutzbaustein, 16 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 16V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H20D0HSS-13 DIOD-S-A0013043574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP65H20D0HSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP65H20D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 200 mA, 15.4 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+110.29 грн
13+69.91 грн
100+46.43 грн
500+31.05 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H20D0HSS-13 DIOD-S-A0013043574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP65H20D0HSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP65H20D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 200 mA, 15.4 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.43 грн
500+31.05 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S2GA-13-F ds16004.pdf
S2GA-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S2GA-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.45 грн
500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S2GA-13-F ds16004.pdf
S2GA-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S2GA-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.44 грн
49+18.23 грн
100+12.45 грн
500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7 ds31963.pdf
DMN2400UFB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.85 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7 ds31963.pdf
DMN2400UFB-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.24 грн
57+15.74 грн
100+9.96 грн
500+6.85 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16K 2096854.pdf
ZXMP4A16K
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TA DIOD-S-A0002833635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP6A16DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.07 грн
12+77.38 грн
100+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TA DIODS12119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP3A16N8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.50 грн
15+63.42 грн
100+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP3A16DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.86 грн
10+94.28 грн
100+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTA DIOD-S-A0003133188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP10A17GQTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+106.73 грн
13+71.86 грн
100+50.16 грн
500+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTA DIOD-S-A0008513505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP10A17E6QTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.50 грн
15+63.24 грн
100+41.98 грн
500+30.48 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TA DIODS12118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP3A16DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTA DIOD-S-A0008513505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP10A17E6QTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.98 грн
500+30.48 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TA DIOD-S-A0002833635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMP6A16DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 119 136 153 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]