Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148380) > Сторінка 2440 з 2473

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2470 2473  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTS5215L BTS5215L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Output current: 3.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: BSOP12
Supply voltage: 5.5...40V DC
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.84 грн
6+151.73 грн
17+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.93 грн
10+69.74 грн
15+60.54 грн
42+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65H5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.92 грн
3+286.61 грн
4+249.06 грн
10+235.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.83 грн
5+202.31 грн
13+191.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+404.39 грн
5+219.17 грн
12+206.91 грн
60+199.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+403.56 грн
3+337.19 грн
4+258.25 грн
10+244.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65NH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3410GXUMA1 BTS3410GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS3410G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
On-state resistance: 0.2Ω
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 0.8W
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+193.12 грн
10+117.25 грн
13+73.57 грн
34+69.74 грн
1000+67.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.24 грн
10+89.66 грн
14+66.47 грн
38+62.85 грн
500+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3408GXUMA2 BTS3408GXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS3408G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 550mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 60V
Output current: 0.55A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 0.88W
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...60V DC
On-state resistance: 0.48Ω
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.67 грн
8+121.08 грн
21+114.18 грн
100+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.12 грн
11+36.78 грн
50+29.12 грн
59+15.33 грн
161+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3103pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3114zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 411ns
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.41 грн
5+221.47 грн
12+209.21 грн
60+201.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO207PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.91 грн
13+30.04 грн
25+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.11 грн
7+134.88 грн
19+127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.19 грн
21+18.78 грн
50+13.49 грн
100+11.65 грн
155+5.82 грн
425+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC040N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ440N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.46 грн
7+56.40 грн
24+37.93 грн
66+35.86 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF PVT412LSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt412.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP6
On-state resistance: 35Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 200mA
Mounting: SMT
Relay variant: MOSFET
Control current: 3...25mA
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT412PbF
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.64 грн
4+295.04 грн
9+278.95 грн
100+268.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7424pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF IR2132SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 6
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28-W
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.61 грн
3+347.92 грн
8+328.76 грн
10+323.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.48 грн
10+57.86 грн
41+21.92 грн
113+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr9343pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2136STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Output current: -0.35...0.2A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 6
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28-W
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 380ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.88 грн
3+423.78 грн
6+400.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136STRPBF IR2136STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2136STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 380ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+11.06 грн
57+6.82 грн
72+5.33 грн
86+4.51 грн
101+3.81 грн
314+2.87 грн
862+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP35B60PD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.61 грн
10+83.53 грн
15+61.31 грн
41+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.23 грн
14+64.37 грн
39+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS44273LTRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 1
Topology: single transistor
Power: 0.25W
Supply voltage: 9.2...20V DC
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.13 грн
25+36.86 грн
67+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814SPBF IRS21814SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2181.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 240ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF IRS21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.33 грн
3+239.86 грн
5+219.17 грн
10+208.44 грн
12+207.68 грн
25+199.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064SPBF IRS21064SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF IRS2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF IRF7456TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7456pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.22 грн
6+149.44 грн
17+141.77 грн
100+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV47E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Frequency: 170MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
на замовлення 9720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+15.68 грн
35+10.96 грн
100+7.10 грн
220+4.09 грн
603+3.86 грн
9000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1058.01 грн
2+709.63 грн
3+708.86 грн
4+670.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE TLE7259-3GE INFINEON TECHNOLOGIES TLE7259-3.pdf Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Number of receivers: 1
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Number of transmitters: 1
DC supply current: 5mA
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.36 грн
18+50.58 грн
49+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L.pdf
BTS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Output current: 3.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: BSOP12
Supply voltage: 5.5...40V DC
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.84 грн
6+151.73 грн
17+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805.pdf
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.93 грн
10+69.74 грн
15+60.54 грн
42+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF irf2805spbf.pdf
IRF2805STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5.pdf
IGZ50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.92 грн
3+286.61 грн
4+249.06 грн
10+235.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.83 грн
5+202.31 грн
13+191.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.39 грн
5+219.17 грн
12+206.91 грн
60+199.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+403.56 грн
3+337.19 грн
4+258.25 грн
10+244.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5.pdf
IKZ50N65NH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3410GXUMA1 BTS3410G.pdf
BTS3410GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
On-state resistance: 0.2Ω
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 0.8W
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+193.12 грн
10+117.25 грн
13+73.57 грн
34+69.74 грн
1000+67.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.24 грн
10+89.66 грн
14+66.47 грн
38+62.85 грн
500+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3408GXUMA2 BTS3408G.pdf
BTS3408GXUMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 550mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 60V
Output current: 0.55A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 0.88W
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...60V DC
On-state resistance: 0.48Ω
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.67 грн
8+121.08 грн
21+114.18 грн
100+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRLPBF irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.12 грн
11+36.78 грн
50+29.12 грн
59+15.33 грн
161+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF irlr3103pbf.pdf
IRLR3103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 411ns
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.41 грн
5+221.47 грн
12+209.21 грн
60+201.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1-dte.pdf
BSO207PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.91 грн
13+30.04 грн
25+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description ir2110_2113.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.11 грн
7+134.88 грн
19+127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.19 грн
21+18.78 грн
50+13.49 грн
100+11.65 грн
155+5.82 грн
425+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5-DTE.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.46 грн
7+56.40 грн
24+37.93 грн
66+35.86 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF pvt412.pdf
PVT412LSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP6
On-state resistance: 35Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 200mA
Mounting: SMT
Relay variant: MOSFET
Control current: 3...25mA
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT412PbF
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.64 грн
4+295.04 грн
9+278.95 грн
100+268.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF irf7424pbf.pdf
IRF7424TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 6
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28-W
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.61 грн
3+347.92 грн
8+328.76 грн
10+323.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.48 грн
10+57.86 грн
41+21.92 грн
113+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF irlr9343pbf.pdf
IRLR9343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136STRPBF.pdf
IR2136SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Output current: -0.35...0.2A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 6
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28-W
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 380ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.88 грн
3+423.78 грн
6+400.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136STRPBF IR2136STRPBF.pdf
IR2136STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 380ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2.pdf
2N7002H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+11.06 грн
57+6.82 грн
72+5.33 грн
86+4.51 грн
101+3.81 грн
314+2.87 грн
862+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD.pdf
AUIRGP35B60PD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.61 грн
10+83.53 грн
15+61.31 грн
41+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF irf1405spbf.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf
IRF1405ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.23 грн
14+64.37 грн
39+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF.pdf
IRS44273LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 1
Topology: single transistor
Power: 0.25W
Supply voltage: 9.2...20V DC
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.13 грн
25+36.86 грн
67+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814SPBF description irs2181.pdf
IRS21814SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 240ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF irs2106.pdf
IRS21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.33 грн
3+239.86 грн
5+219.17 грн
10+208.44 грн
12+207.68 грн
25+199.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064SPBF irs2106.pdf
IRS21064SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF irs2106.pdf
IRS2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF irf7456pbf.pdf
IRF7456TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115.pdf
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.22 грн
6+149.44 грн
17+141.77 грн
100+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV27E6327.pdf
BCV47E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Frequency: 170MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
на замовлення 9720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+15.68 грн
35+10.96 грн
100+7.10 грн
220+4.09 грн
603+3.86 грн
9000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1058.01 грн
2+709.63 грн
3+708.86 грн
4+670.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE TLE7259-3.pdf
TLE7259-3GE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Number of receivers: 1
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Number of transmitters: 1
DC supply current: 5mA
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.36 грн
18+50.58 грн
49+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2435 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2470 2473  [ Наступна Сторінка >> ]