Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148388) > Сторінка 2441 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE TLE7259-3GE INFINEON TECHNOLOGIES TLE7259-3.pdf Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Number of receivers: 1
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Number of transmitters: 1
DC supply current: 5mA
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.20 грн
18+50.46 грн
49+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.34 грн
10+40.21 грн
31+29.36 грн
84+27.75 грн
250+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024N AUIRFR024N INFINEON TECHNOLOGIES auirfr024n.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF IR2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.56 грн
10+74.92 грн
13+74.16 грн
34+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.91 грн
10+79.12 грн
20+46.10 грн
55+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2301-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.56 грн
10+87.92 грн
18+52.75 грн
47+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -130...60mA
Power: 625mW
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.08 грн
5+97.09 грн
12+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2308SPBF IR2308SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2308.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.73 грн
10+79.51 грн
18+53.51 грн
47+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8313pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9.7A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3G
+1
 		IPB019N08N3G INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7440TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 IKCM30F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKCM30F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Output current: -20...20A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 30.3W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Voltage class: 600V
Mounting: THT
Case: PG-MDIP24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2PCS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 50...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.86 грн
13+71.10 грн
35+67.28 грн
500+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 ICE2PCS05GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 20÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 20...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 85...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
Output current: -1.5...2A
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.56 грн
10+66.05 грн
19+48.09 грн
51+45.49 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.32 грн
10+63.45 грн
17+55.04 грн
45+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF IR21834SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2183SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.98 грн
3+237.76 грн
5+205.65 грн
12+194.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 363ns
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.05 грн
6+167.42 грн
15+158.25 грн
60+155.96 грн
120+152.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 224A
Mounting: THT
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.68 грн
5+91.74 грн
10+80.27 грн
13+69.57 грн
36+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Case: TSLP-6-4
Output configuration: SPDT
Bandwidth: 0.05...6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.69 грн
42+21.79 грн
114+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.06 грн
67+5.73 грн
100+4.47 грн
250+3.99 грн
267+3.33 грн
734+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.74 грн
10+49.92 грн
38+24.08 грн
103+22.78 грн
2000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
30+12.77 грн
38+10.17 грн
50+8.64 грн
100+7.49 грн
143+6.27 грн
391+5.96 грн
500+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
29+13.61 грн
100+8.10 грн
148+6.04 грн
407+5.73 грн
650+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.44 грн
6+178.89 грн
14+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7317pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5090-1EJA BTS5090-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5090-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DSO8
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 13.5V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.51 грн
10+70.33 грн
15+63.45 грн
40+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF IRS2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2110.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 155ns
Turn-off time: 137ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.10 грн
5+185.77 грн
14+175.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117SPBF IRS2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2117pbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118PBF IRS2118PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2117pbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF IRS2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2117pbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT363
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
53+7.82 грн
100+6.50 грн
178+5.02 грн
490+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS16SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.53 грн
38+10.09 грн
41+9.33 грн
100+8.87 грн
112+7.95 грн
308+7.57 грн
500+7.42 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 9024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
298+1.38 грн
304+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+9.55 грн
100+7.19 грн
158+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAW101E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; 350mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 1µs
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT143
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.03 грн
50+8.41 грн
100+7.42 грн
135+6.65 грн
370+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6327HTSA1 BAT165E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT165E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 40V; 0.75A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.75A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.52 грн
29+13.23 грн
50+11.09 грн
100+10.24 грн
157+5.73 грн
432+5.35 грн
9000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.17 грн
41+9.40 грн
100+6.87 грн
252+3.55 грн
692+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4005E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.82 грн
41+9.40 грн
57+6.73 грн
100+5.73 грн
250+3.58 грн
688+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007E6327HTSA1 BAS4007E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.58 грн
31+12.38 грн
50+9.86 грн
100+8.87 грн
131+6.80 грн
361+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.98 грн
14+28.36 грн
50+19.72 грн
66+13.61 грн
181+12.84 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA42.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.58 грн
36+10.78 грн
50+7.95 грн
100+6.96 грн
208+4.28 грн
573+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.68 грн
115+3.43 грн
250+3.04 грн
350+2.62 грн
955+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CE6327 BC858CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
143+2.88 грн
218+1.76 грн
261+1.47 грн
291+1.31 грн
329+1.16 грн
500+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+14.49 грн
61+6.27 грн
100+5.66 грн
202+4.51 грн
556+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BC817SUE6327HTSA1 BC817SUE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 1W; SC74
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
52+8.07 грн
57+6.73 грн
100+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BC846UE6327HTSA1 BC846UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+10.95 грн
50+8.18 грн
135+6.65 грн
250+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.94 грн
50+8.72 грн
129+6.96 грн
355+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR106E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.23 грн
24+16.21 грн
100+12.38 грн
106+8.56 грн
289+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE TLE7259-3.pdf
TLE7259-3GE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Number of receivers: 1
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Number of transmitters: 1
DC supply current: 5mA
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.20 грн
18+50.46 грн
49+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.34 грн
10+40.21 грн
31+29.36 грн
84+27.75 грн
250+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024N auirfr024n.pdf
AUIRFR024N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF description ir2117.pdf
IR2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.56 грн
10+74.92 грн
13+74.16 грн
34+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.91 грн
10+79.12 грн
20+46.10 грн
55+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301-DTE.pdf
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.56 грн
10+87.92 грн
18+52.75 грн
47+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -130...60mA
Power: 625mW
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.08 грн
5+97.09 грн
12+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2308SPBF ir2308.pdf
IR2308SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.73 грн
10+79.51 грн
18+53.51 грн
47+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBF irf8313pbf.pdf
IRF8313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9.7A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b
IRF8707TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3G IPB019N08N3G-DTE.pdf
IPB019N08N3G
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF.pdf
IRFS7440TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 IKCM30F60GA.pdf
IKCM30F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Output current: -20...20A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 30.3W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Voltage class: 600V
Mounting: THT
Case: PG-MDIP24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF irf9317pbf.pdf
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01G.pdf
ICE2PCS01GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 50...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.86 грн
13+71.10 грн
35+67.28 грн
500+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE2PCS05GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 20÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 20...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 85...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
Output current: -1.5...2A
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.56 грн
10+66.05 грн
19+48.09 грн
51+45.49 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.32 грн
10+63.45 грн
17+55.04 грн
45+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF IR2183SPBF.pdf
IR21834SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.98 грн
3+237.76 грн
5+205.65 грн
12+194.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 363ns
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.05 грн
6+167.42 грн
15+158.25 грн
60+155.96 грн
120+152.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 224A
Mounting: THT
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.68 грн
5+91.74 грн
10+80.27 грн
13+69.57 грн
36+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP060N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Case: TSLP-6-4
Output configuration: SPDT
Bandwidth: 0.05...6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
42+21.79 грн
114+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.06 грн
67+5.73 грн
100+4.47 грн
250+3.99 грн
267+3.33 грн
734+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.74 грн
10+49.92 грн
38+24.08 грн
103+22.78 грн
2000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
30+12.77 грн
38+10.17 грн
50+8.64 грн
100+7.49 грн
143+6.27 грн
391+5.96 грн
500+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
29+13.61 грн
100+8.10 грн
148+6.04 грн
407+5.73 грн
650+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5.pdf
IHW20N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.44 грн
6+178.89 грн
14+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description irf7317pbf.pdf
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5090-1EJA BTS5090-1EJA.pdf
BTS5090-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DSO8
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 13.5V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.51 грн
10+70.33 грн
15+63.45 грн
40+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF description irs2110.pdf
IRS2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 155ns
Turn-off time: 137ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.10 грн
5+185.77 грн
14+175.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117SPBF irs2117pbf.pdf
IRS2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118PBF irs2117pbf.pdf
IRS2118PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF irs2117pbf.pdf
IRS2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116.pdf
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT363
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
53+7.82 грн
100+6.50 грн
178+5.02 грн
490+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16SH6327XTSA1.pdf
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.53 грн
38+10.09 грн
41+9.33 грн
100+8.87 грн
112+7.95 грн
308+7.57 грн
500+7.42 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 9024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
298+1.38 грн
304+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
44+9.55 грн
100+7.19 грн
158+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1.pdf
BAW101E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; 350mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 1µs
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT143
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.03 грн
50+8.41 грн
100+7.42 грн
135+6.65 грн
370+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6327HTSA1 BAT165E6327HTSA1.pdf
BAT165E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 40V; 0.75A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.75A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 11896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.52 грн
29+13.23 грн
50+11.09 грн
100+10.24 грн
157+5.73 грн
432+5.35 грн
9000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.17 грн
41+9.40 грн
100+6.87 грн
252+3.55 грн
692+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4005E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
41+9.40 грн
57+6.73 грн
100+5.73 грн
250+3.58 грн
688+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4007E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.58 грн
31+12.38 грн
50+9.86 грн
100+8.87 грн
131+6.80 грн
361+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.98 грн
14+28.36 грн
50+19.72 грн
66+13.61 грн
181+12.84 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42.pdf
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.58 грн
36+10.78 грн
50+7.95 грн
100+6.96 грн
208+4.28 грн
573+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858CE6327.pdf
BC858BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
75+5.68 грн
115+3.43 грн
250+3.04 грн
350+2.62 грн
955+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CE6327 BC858CE6327.pdf
BC858CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
143+2.88 грн
218+1.76 грн
261+1.47 грн
291+1.31 грн
329+1.16 грн
500+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327.pdf
BCV27E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+14.49 грн
61+6.27 грн
100+5.66 грн
202+4.51 грн
556+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BC817SUE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817SUE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 1W; SC74
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
52+8.07 грн
57+6.73 грн
100+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BC846UE6327HTSA1 BC846UE6327.pdf
BC846UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+10.95 грн
50+8.18 грн
135+6.65 грн
250+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327.pdf
BC856UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+11.94 грн
50+8.72 грн
129+6.96 грн
355+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327-dte.pdf
BFR106E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.23 грн
24+16.21 грн
100+12.38 грн
106+8.56 грн
289+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2436 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]