Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149705) > Сторінка 337 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS100R12KT4GPNPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81 Description: IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5F IKW40N65F5F Infineon Technologies Infineon-IKW40N65F5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30433af5291e013afa60c5395f31 Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4_B11 Infineon Technologies INFNS28514-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8264.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 182W H6327 BFP 182W H6327 Infineon Technologies INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3883+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3883
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327 Infineon Technologies INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5470+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 5470
В кошику  од. на суму  грн.
BC846AE6433 BC846AE6433 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10764+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FE6327 Infineon Technologies INFNS10675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4-TSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 7112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1550+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 1550
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327 BFP405H6327 Infineon Technologies INFNS30130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2150+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 2150
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40TI20FKSA1 IKW40TI20FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40T120-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4289c3b3e35 Description: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B2065P Infineon Technologies INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC OFFLINE SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 13185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+121.43 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WE6327 BFP182WE6327 Infineon Technologies INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AE6327 BC847AE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFN 24 E6327 Infineon Technologies INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07N3E4_B11 FS150R07N3E4_B11 Infineon Technologies INFNS28525-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13485.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 405 H6740 Infineon Technologies INFNS30130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1870+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 1870
В кошику  од. на суму  грн.
BC818K-40E6327 BC818K-40E6327 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327 BFR193WH6327 Infineon Technologies INFNS22472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WE6327 BFR193WE6327 Infineon Technologies INFNS10702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327 Infineon Technologies INFNS27318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 39dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 142641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1610+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 1610
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327 Infineon Technologies Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450E6327 BFP450E6327 Infineon Technologies INFNS10848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327 BFP720ESDH6327 Infineon Technologies Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 30.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 148726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1484+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 1484
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327 Infineon Technologies INFNS27309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327 Infineon Technologies INFNS10675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1854+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 1854
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405FH6327 Infineon Technologies INFNS10674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 145915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2042+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 2042
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06W H6327 BAR 63-06W H6327 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740E6327 BFP740E6327 Infineon Technologies INFN-S-A0001298720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ PGSOT343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 31830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 904
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CE6327 BC848CE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 48520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8689+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8689
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6778 BC847CWH6778 Infineon Technologies INFNS16507-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWE6327 BC847BWE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 84100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10764+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BC848AE6327 BC848AE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BL3E6327 BC848BL3E6327 Infineon Technologies INFNS16507-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3202+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3202
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327 Infineon Technologies INFNS27662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWE6327 BC850BWE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP7220ESDH6327 BFP7220ESDH6327 Infineon Technologies Description: LOW-NOISE SIGE:C TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FE6327 Infineon Technologies INFNS12751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327 BFP720H6327 Infineon Technologies INFNS27321-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1537+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 1537
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R06KE3_B2 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63 BAR63 Infineon Technologies INFNS00316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SILICON PIN DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8485+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 8485
В кошику  од. на суму  грн.
BAL74E6327 BAL74E6327 Infineon Technologies INFNS10855-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-02LE6327 BAR63-02LE6327 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-1
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWE6327 BC849CWE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9997+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 9997
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327 BAR6403WE6327 Infineon Technologies INFNS15695-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-04WH6327 BAR63-04WH6327 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CWH6327 BC848CWH6327 Infineon Technologies INFNS16507-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-05WH6327 BAR63-05WH6327 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193FH6327 BFR193FH6327 Infineon Technologies Infineon-BFR193F-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06WH6327 Infineon Technologies INFNS29271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6433 BC848BE6433 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 78655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8689+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8689
В кошику  од. на суму  грн.
BAR65-02VH6327 Infineon Technologies INFNS15696-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 900mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17WE6327 BFS17WE6327 Infineon Technologies INFNS10687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1.4GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-03WE6433 BAR63-03WE6433 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOD323-3D
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6304WH6327 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327 BAR6405E6327 Infineon Technologies INFN-S-A0002785839-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 150V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWE6327 BC850CWE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BE6327 BC850BE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 35665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6836+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 6836
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIRF7314PBF Infineon Technologies Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-05E6433 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS-17-SE Infineon Technologies Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4GPNPSA1 Infineon-FS100R12KT4G-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116190dc0431c81
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5F Infineon-IKW40N65F5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30433af5291e013afa60c5395f31
IKW40N65F5F
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT4_B11 INFNS28514-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8264.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 182W H6327 INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP 182W H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3883+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3883
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327 INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5470+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 5470
В кошику  од. на суму  грн.
BC846AE6433 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC846AE6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10764+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FE6327 INFNS10675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4-TSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 7112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1550+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 1550
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327 INFNS30130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP405H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2150+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 2150
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40TI20FKSA1 Infineon-IKW40T120-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4289c3b3e35
IKW40TI20FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B2065P INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 13185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+121.43 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WE6327 INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP182WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3463+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC847AE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFN 24 E6327 INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07N3E4_B11 INFNS28525-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FS150R07N3E4_B11
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+13485.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 405 H6740 INFNS30130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1870+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 1870
В кошику  од. на суму  грн.
BC818K-40E6327 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC818K-40E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327 INFNS22472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR193WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WE6327 INFNS10702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR193WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327 INFNS27318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 39dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 142641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1610+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 1610
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450E6327 INFNS10848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP450E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327
BFP720ESDH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 30.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 148726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1484+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 1484
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 INFNS27309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP450H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327 INFNS10675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1854+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 1854
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405FH6327 INFNS10674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 145915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2042+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 2042
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 63-06W H6327 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR 63-06W H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740E6327 INFN-S-A0001298720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP740E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ PGSOT343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 31830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
904+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 904
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC848CE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 48520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8689+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8689
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6778 INFNS16507-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC847CWH6778
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC847BWE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 84100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10764+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BC848AE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC848AE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BL3E6327 INFNS16507-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC848BL3E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3202+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3202
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327 INFNS27662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC850BWE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP7220ESDH6327
BFP7220ESDH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SIGE:C TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FE6327 INFNS12751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327 INFNS27321-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP720H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1537+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 1537
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R06KE3_B2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63 INFNS00316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR63
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON PIN DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8485+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 8485
В кошику  од. на суму  грн.
BAL74E6327 INFNS10855-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAL74E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-02LE6327 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR63-02LE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-1
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC849CWE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9997+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 9997
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327 INFNS15695-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR6403WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-04WH6327 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR63-04WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CWH6327 INFNS16507-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC848CWH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-05WH6327 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR63-05WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193FH6327 Infineon-BFR193F-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c
BFR193FH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 64-06WH6327 INFNS29271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6433 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC848BE6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 78655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8689+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8689
В кошику  од. на суму  грн.
BAR65-02VH6327 INFNS15696-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 900mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17WE6327 INFNS10687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFS17WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1.4GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-03WE6433 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR63-03WE6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOD323-3D
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6304WH6327 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327 INFN-S-A0002785839-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR6405E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 150V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC850CWE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC850BE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 35665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6836+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 6836
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIRF7314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR63-05E6433 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS-17-SE
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]