Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149705) > Сторінка 341 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCP69-25E6327 BCP69-25E6327 Infineon Technologies INFNS12748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS 20V 1A PG-SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1181+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 1181
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PL6327 Infineon Technologies Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60S5IN SPU03N60S5IN Infineon Technologies Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en[1].pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75-E6433 BSP75-E6433 Infineon Technologies Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119L6433 BSS119L6433 Infineon Technologies INFNS17504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 86725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373L6327 BSP373L6327 Infineon Technologies INFNS16746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI12N50C3IN SPI12N50C3IN Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A12N50C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637ecbecd0079 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-512F180EXAC SAK-TC1797-512F180EXAC Infineon Technologies TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-04B5000 BAT64-04B5000 Infineon Technologies INFNS09506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT23-3-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7059+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 7059
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS10800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WE6327 BAW56WE6327 Infineon Technologies INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56W-E6327 BAW56W-E6327 Infineon Technologies INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H7796 Infineon Technologies INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6918+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 6918
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N65C3XKSA1 SPP15N65C3XKSA1 Infineon Technologies INFNS11588-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+144.92 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4931CNHAMA1 Infineon Technologies Description: MAGNETIC SWITCH SPEED SENSOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD205-B1-02ELSE6327 ESD205-B1-02ELSE6327 Infineon Technologies INFN-S-A0000192796-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFD SPW11N60CFD Infineon Technologies Infineon-SPW11N60CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7978XTSA1 BSS119NH7978XTSA1 Infineon Technologies INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 2597
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-04WE6327 BAT64-04WE6327 Infineon Technologies INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-06B5003 BAT64-06B5003 Infineon Technologies INFNS09506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT23-3-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10377+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 10377
В кошику  од. на суму  грн.
SPS04N60C3AKMA1 SPS04N60C3AKMA1 Infineon Technologies Infineon-SPS04N60C3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304340e762c80140f2fb153d5c27 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 101415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
487+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E1000FUMA TLE5009E1000FUMA Infineon Technologies Description: MAGNETIC SWITCH ANGLE SENSOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-05WH6327 BAT64-05WH6327 Infineon Technologies INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64E6327 BSS64E6327 Infineon Technologies SIEMD095-881.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400µA, 4mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8485+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 8485
В кошику  од. на суму  грн.
IPI22N03S4L-15 IPI22N03S4L-15 Infineon Technologies INFNS10907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWL6327 BSS223PWL6327 Infineon Technologies INFNS10365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR48PNH6327 BCR48PNH6327 Infineon Technologies Infineon-BCR48PN-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a3730114406c1ce60300 Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7796 BSS119NH7796 Infineon Technologies INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6918+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 6918
В кошику  од. на суму  грн.
SGW30N60HS SGW30N60HS Infineon Technologies INFNS14176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 1.15mJ
Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS Infineon Technologies Description: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C164CI-8E25MDM Infineon Technologies INFNS03050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 25MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: OTP
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 8x10b SAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Number of I/O: 59
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2015TV1.2 PEF2015TV1.2 Infineon Technologies PEF2015.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: ISDN CONTROLLER 8192KBPS 5V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+318.83 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C164CI-8EM SAF-C164CI-8EM Infineon Technologies INFNS03050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: OTP
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 8x10b SAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Part Status: Active
Number of I/O: 59
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4573.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-TC1130-L150EB-GBB-G SAF-TC1130-L150EB-GBB-G Infineon Technologies RE_DSHEET_TC1130_REI.pdf?u=5oefqw Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 208-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
RAM Size: 124K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.43V ~ 1.58V, 3.14V ~ 3.47V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I2C, IrDA, SPI, USB
Peripherals: DMA, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-LBGA-208-2
Part Status: Active
Number of I/O: 72
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3825.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C2 SPA07N60C2 Infineon Technologies spp_b_a07n60c21.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 337
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N50C3 SPA08N50C3 Infineon Technologies INFNS14195-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
TC1797384F150EACKXUMA2 TC1797384F150EACKXUMA2 Infineon Technologies INFNS16628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 3MB (3M x 8)
RAM Size: 176K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-10
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKB15N60E8151 SKB15N60E8151 Infineon Technologies INFNS11148-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT NPT 600V 31A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5 SPD03N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 11175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 562
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C2 SPD04N60C2 Infineon Technologies spd_u04n60c2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 45850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327 SMBTA42E6327 Infineon Technologies INFNS10711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4226G TLE4226G Infineon Technologies tle4226g.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+125.44 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N65C3IN Infineon Technologies INFNS14202-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-384F150EAC SAK-TC1797-384F150EAC Infineon Technologies INFNS30466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 3MB (3M x 8)
RAM Size: 176K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-10
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N65C3 Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120A Infineon Technologies INFNS16654-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+672.49 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-512F180EAC SAK-TC1797-512F180EAC Infineon Technologies INFNS16628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 416BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-10
Number of I/O: 219
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA7255VXUMA1 TDA7255VXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA7255V-DS-v01_01-EN.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 40VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz ~ 435MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.1V ~ 5.5V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 8.6mA ~ 9.1mA
Data Rate (Max): 100kbps
Current - Transmitting: 5mA ~ 18.3mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-8
Modulation: ASK, FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60CFD SPP24N60CFD Infineon Technologies Infineon-SPP24N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e323b4975 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60S5 Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW12N50C3XK SPW12N50C3XK Infineon Technologies Infineon-SPW12N50C3-DS-v02_05-en.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1197-512F180EAC SAK-TC1197-512F180EAC Infineon Technologies INFNS14223-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 416BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-10
Number of I/O: 219
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPS04N60C3 SPS04N60C3 Infineon Technologies INFNS27829-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 76415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027C-IE6747 Infineon Technologies Description: MAGNETIC SWITCH SPEED SENSOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E2000FUMA TLE5009E2000FUMA Infineon Technologies Description: MAGNETIC SWITCH ANGLE SENSOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDK5110GEG TDK5110GEG Infineon Technologies Description: ASK/FSK TRANSMITTE 868/433 MHZ
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373E6327 BSP373E6327 Infineon Technologies INFNS08240-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XCM1100-T038F0064AA XCM1100-T038F0064AA Infineon Technologies Infineon-xmc1100_AB-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4bdaff9325bd Description: 32-BIT MCU XMC1000 ARM CORTEX-M0
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+89.33 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IPI034NE7N3G IPI034NE7N3G Infineon Technologies INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+110.13 грн
Мінімальне замовлення: 234
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S3L-06 IPD50N06S3L-06 Infineon Technologies INFNS13305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP69-25E6327 INFNS12748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCP69-25E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS 20V 1A PG-SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1181+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 1181
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PL6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60S5IN Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en[1].pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f
SPU03N60S5IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75-E6433
BSP75-E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119L6433 INFNS17504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS119L6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 86725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3463+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373L6327 INFNS16746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP373L6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI12N50C3IN Infineon-SPP_I_A12N50C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637ecbecd0079
SPI12N50C3IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-512F180EXAC TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d
SAK-TC1797-512F180EXAC
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-04B5000 INFNS09506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT64-04B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT23-3-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7059+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 7059
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52E6327HTSA1 INFNS10800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WE6327 INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAW56WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56W-E6327 INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAW56W-E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H7796 INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6918+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 6918
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N65C3XKSA1 INFNS11588-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP15N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+144.92 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4931CNHAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH SPEED SENSOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD205-B1-02ELSE6327 INFN-S-A0000192796-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ESD205-B1-02ELSE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFD Infineon-SPW11N60CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3
SPW11N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7978XTSA1 INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS119NH7978XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2597+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 2597
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-04WE6327 INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT64-04WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-06B5003 INFNS09506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT64-06B5003
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT23-3-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10377+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 10377
В кошику  од. на суму  грн.
SPS04N60C3AKMA1 Infineon-SPS04N60C3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304340e762c80140f2fb153d5c27
SPS04N60C3AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 101415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
487+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E1000FUMA
TLE5009E1000FUMA
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH ANGLE SENSOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-05WH6327 INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT64-05WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64E6327 SIEMD095-881.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS64E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 80V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400µA, 4mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8485+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 8485
В кошику  од. на суму  грн.
IPI22N03S4L-15 INFNS10907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI22N03S4L-15
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWL6327 INFNS10365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS223PWL6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR48PNH6327 Infineon-BCR48PN-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a3730114406c1ce60300
BCR48PNH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7796 INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS119NH7796
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6918+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 6918
В кошику  од. на суму  грн.
SGW30N60HS description INFNS14176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGW30N60HS
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 1.15mJ
Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C164CI-8E25MDM INFNS03050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 25MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: OTP
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 8x10b SAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Number of I/O: 59
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2015TV1.2 PEF2015.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
PEF2015TV1.2
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISDN CONTROLLER 8192KBPS 5V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+318.83 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C164CI-8EM INFNS03050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAF-C164CI-8EM
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: OTP
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 8x10b SAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Part Status: Active
Number of I/O: 59
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+4573.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-TC1130-L150EB-GBB-G RE_DSHEET_TC1130_REI.pdf?u=5oefqw
SAF-TC1130-L150EB-GBB-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 208-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
RAM Size: 124K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.43V ~ 1.58V, 3.14V ~ 3.47V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I2C, IrDA, SPI, USB
Peripherals: DMA, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-LBGA-208-2
Part Status: Active
Number of I/O: 72
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+3825.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C2 spp_b_a07n60c21.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA07N60C2
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
337+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 337
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N50C3 INFNS14195-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA08N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
TC1797384F150EACKXUMA2 INFNS16628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TC1797384F150EACKXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 3MB (3M x 8)
RAM Size: 176K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-10
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKB15N60E8151 INFNS11148-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SKB15N60E8151
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 31A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5 Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPD03N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 11175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
562+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 562
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C2 spd_u04n60c2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPD04N60C2
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 45850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
567+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327 INFNS10711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SMBTA42E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4226G tle4226g.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4226G
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+125.44 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N65C3IN INFNS14202-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-384F150EAC INFNS30466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-TC1797-384F150EAC
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 3MB (3M x 8)
RAM Size: 176K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-10
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N65C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120A INFNS16654-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+672.49 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-512F180EAC INFNS16628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-TC1797-512F180EAC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 416BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-10
Number of I/O: 219
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA7255VXUMA1 Infineon-TDA7255V-DS-v01_01-EN.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TDA7255VXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 40VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz ~ 435MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.1V ~ 5.5V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 8.6mA ~ 9.1mA
Data Rate (Max): 100kbps
Current - Transmitting: 5mA ~ 18.3mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-8
Modulation: ASK, FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60CFD Infineon-SPP24N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e323b4975
SPP24N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW12N50C3XK Infineon-SPW12N50C3-DS-v02_05-en.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPW12N50C3XK
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1197-512F180EAC INFNS14223-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-TC1197-512F180EAC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 416BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-10
Number of I/O: 219
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPS04N60C3 INFNS27829-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPS04N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 76415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027C-IE6747
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH SPEED SENSOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E2000FUMA
TLE5009E2000FUMA
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH ANGLE SENSOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDK5110GEG
TDK5110GEG
Виробник: Infineon Technologies
Description: ASK/FSK TRANSMITTE 868/433 MHZ
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373E6327 INFNS08240-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP373E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XCM1100-T038F0064AA Infineon-xmc1100_AB-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4bdaff9325bd
XCM1100-T038F0064AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT MCU XMC1000 ARM CORTEX-M0
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+89.33 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IPI034NE7N3G INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI034NE7N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
234+110.13 грн
Мінімальне замовлення: 234
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S3L-06 INFNS13305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S3L-06
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]