Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148596) > Сторінка 430 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 425 426 427 428 429 430 431 432 433 434 435 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE9562QXXUMA1 TLE9562QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9562QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca35c75d3879 Description: BLDC_DRIVER_IC PG-VQFN-48
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 250mA
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.44 грн
10+223.15 грн
25+205.13 грн
100+173.95 грн
250+165.10 грн
500+159.77 грн
1000+152.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95613QXXUMA1 TLE95613QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9561-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca359c2e386d Description: BLDC_DRIVER_IC PG-VQFN-48
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 250mA
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.27 грн
10+220.55 грн
25+202.77 грн
100+171.93 грн
250+163.16 грн
500+157.88 грн
1000+151.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95623QXXUMA1 TLE95623QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9562-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca35b1603873 Description: BLDC_DRIVER_IC PG-VQFN-48
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 250mA
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.59 грн
10+228.74 грн
25+210.36 грн
100+178.46 грн
250+169.41 грн
500+163.96 грн
1000+156.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N08NM5ATMA1 IPTC012N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC012N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519df392538 Description: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.08 грн
10+438.59 грн
100+324.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3BPSA1 FF225R65T3E3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464 Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LEDFRONTHBLBREFTOBO1 LEDFRONTHBLBREFTOBO1 Infineon Technologies Infineon-TLD5099EP-Front_light-SEPIC-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274306ce1017433fa5bd560d9 Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Clock Generator
Type: Timing
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17438.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 1200V 45A 205W EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R07N2E4_B11 FS75R07N2E4_B11 Infineon Technologies INFNS28594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FS75R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R07N2E4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f5008fe012f52f916333979 Description: IGBT MODULE 650V 75A 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R07N2E4B11BOSA1 FS75R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R07N2E4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043300464130130401d2e50571e Description: IGBT MODULE 650V 75A 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R07N2E4B11BOSA1 FS75R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R07N2E4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043300464130130401d2e50571e Description: FS75R07 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1 IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c133bde4271 Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1 IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c133bde4271 Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.68 грн
10+347.92 грн
100+257.14 грн
500+206.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 IPDD60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R045CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2e742942a8 Description: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1 IPDD60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R075CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00e6964257 Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1 IPDD60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R075CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00e6964257 Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.85 грн
10+281.26 грн
100+202.90 грн
500+159.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1387D-167AXC CY7C1387D-167AXC Infineon Technologies ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1888.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1 IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R075CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a0edb30e3 Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.47 грн
10+293.72 грн
100+212.05 грн
500+166.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2 Description: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2 Description: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.69 грн
10+365.50 грн
100+267.75 грн
500+221.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1 IPT60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R045CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a61cc30ec Description: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.35 грн
10+414.43 грн
100+305.42 грн
500+257.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R035CFD7XTMA1 IPT60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R035CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a2c2130e6 Description: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 351W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.51 грн
10+456.78 грн
100+365.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1 IPT60R145CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R145CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df45b2483180 Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1 IPT60R145CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R145CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df45b2483180 Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.03 грн
10+195.25 грн
100+137.64 грн
500+106.09 грн
1000+98.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R105CFD7XTMA1 IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R105CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a7e5530ef Description: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R105CFD7XTMA1 IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R105CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a7e5530ef Description: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.73 грн
10+223.08 грн
100+158.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS208D1EJV33XUMA1 TLS208D1EJV33XUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR 3.3V 800MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 170 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable, Reset
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 62dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 1V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 250 µA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R07ME4B11BPSA1 FF600R07ME4B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF600R07ME4_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304334c41e910134e5a1098f5412 Description: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8786.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540 BFP540 Infineon Technologies INFNS30134-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 540F E6327 BFP 540F E6327 Infineon Technologies BFP%20540F%20E6327.pdf Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540FESDE6327 BFP540FESDE6327 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540E6327BTSA1 BFP540E6327BTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540ESDE6327HTSA1 BFP540ESDE6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540ESDE6327HTSA1 BFP540ESDE6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R210CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633a2feadc39b8 Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R210CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633a2feadc39b8 Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.67 грн
10+140.05 грн
100+96.88 грн
500+73.61 грн
1000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.59 грн
10+154.66 грн
100+113.34 грн
500+92.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CP Infineon Technologies Description: IPB60R199CP
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PL6327 BSP321PL6327 Infineon Technologies INFNS15380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
на замовлення 37989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 1154
В кошику  од. на суму  грн.
REFDAB11KIZSICSYSTOBO1 REFDAB11KIZSICSYSTOBO1 Infineon Technologies Infineon-UG-2020-31_REF_DAB11KIZSICSYS-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a0177060f64a829de Description: EVAL BOARD FOR IMBF170R1K0M1
Packaging: Bulk
Voltage - Input: 750V
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: IMBF170R1K0M1, IMZ120R030M1H, XMC4400
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 11kW
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+132910.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FZ1200R17KE3_B2_Rev2.1_2013-11-25.pdf Description: IGBT MODULE 1700V 1200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54B5003 BAT54B5003 Infineon Technologies INFNS09503-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717HR Infineon Technologies Description: IRF3717HR
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B-B5003 BC847B-B5003 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
KP253XTMA2 KP253XTMA2 Infineon Technologies KP253.pdf Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: Board Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP253XTMA2 KP253XTMA2 Infineon Technologies KP253.pdf Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8
Packaging: Cut Tape (CT)
Applications: Board Mount
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.74 грн
5+344.02 грн
10+329.57 грн
25+293.18 грн
50+282.14 грн
100+272.02 грн
500+247.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALICB2FL03GTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Lighting_ballast_controller_IC_design_54W_UV_C_disinfection_lamp_ICB2FL03G-ApplicationNotes-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304331c8f8560131d28a549d0675 Description: EVAL KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA143GL10E6327XTSA1 BGSA143GL10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSA143GL10-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626da6c043016dde5887c33cb9 Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ TSLP10-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP4T
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 42V
Frequency Range: 6GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-10-2
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVAZ172NS-TPBF PVAZ172NS-TPBF Infineon Technologies pvaz172.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c42ea329e4 Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-60V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+695.40 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
PVAZ172 PVAZ172 Infineon Technologies pvaz172.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c42ea329e4 Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R520CPXKSA1 IPP50R520CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP50R520CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123854bec2a6712 Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 9318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 415
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R350CP IPP50R350CP Infineon Technologies INFNS17740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: COOLMOS 10A, 500V N-CHANNEL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+64.11 грн
Мінімальне замовлення: 376
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R299CPXKSA1 IPP50R299CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP50R299CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123852caf2b65fc Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+71.36 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N12S3LAKSA1 IPP50N12S3LAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I50N12S3L-15-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf9b3517ffa Description: OPTIMOS POWER-TRANSISTOR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R399CP IPP50R399CP Infineon Technologies INFNS17023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP50R399 - 500V COOLMOS N-CHANN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B11BOSA1 FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327 BSS606NH6327 Infineon Technologies INFNS26386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSS606 - 250V-600V SMALL SIGNAL
на замовлення 350865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT320N18SOFHPSA1 TT320N18SOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT320N18SOF-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e572e77eea Description: SCR MODULE 1800V 520A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9562QXXUMA1 Infineon-TLE9562QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca35c75d3879
TLE9562QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_DRIVER_IC PG-VQFN-48
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 250mA
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.44 грн
10+223.15 грн
25+205.13 грн
100+173.95 грн
250+165.10 грн
500+159.77 грн
1000+152.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95613QXXUMA1 Infineon-TLE9561-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca359c2e386d
TLE95613QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_DRIVER_IC PG-VQFN-48
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 250mA
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.27 грн
10+220.55 грн
25+202.77 грн
100+171.93 грн
250+163.16 грн
500+157.88 грн
1000+151.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95623QXXUMA1 Infineon-TLE9562-3QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178ca35b1603873
TLE95623QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_DRIVER_IC PG-VQFN-48
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 250mA
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.59 грн
10+228.74 грн
25+210.36 грн
100+178.46 грн
250+169.41 грн
500+163.96 грн
1000+156.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N08NM5ATMA1 Infineon-IPTC012N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519df392538
IPTC012N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+666.08 грн
10+438.59 грн
100+324.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3BPSA1 Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464
FF225R65T3E3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LEDFRONTHBLBREFTOBO1 Infineon-TLD5099EP-Front_light-SEPIC-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274306ce1017433fa5bd560d9
LEDFRONTHBLBREFTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Clock Generator
Type: Timing
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17438.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T4PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 45A 205W EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R07N2E4_B11 INFNS28594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FS75R07N2E4_B11
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS75R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R07N2E4BOSA1 Infineon-FS75R07N2E4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f5008fe012f52f916333979
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 75A 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R07N2E4B11BOSA1 Infineon-FS75R07N2E4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043300464130130401d2e50571e
FS75R07N2E4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 75A 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R07N2E4B11BOSA1 Infineon-FS75R07N2E4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043300464130130401d2e50571e
FS75R07N2E4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS75R07 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c133bde4271
IPDD60R055CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c133bde4271
IPDD60R055CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.68 грн
10+347.92 грн
100+257.14 грн
500+206.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R045CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2e742942a8
IPDD60R045CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R075CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00e6964257
IPDD60R075CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R075CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00e6964257
IPDD60R075CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.85 грн
10+281.26 грн
100+202.90 грн
500+159.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1387D-167AXC ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1387D-167AXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1888.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R075CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a0edb30e3
IPT60R075CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.47 грн
10+293.72 грн
100+212.05 грн
500+166.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2
IPT60R040S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2
IPT60R040S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.69 грн
10+365.50 грн
100+267.75 грн
500+221.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R045CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a61cc30ec
IPT60R045CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.35 грн
10+414.43 грн
100+305.42 грн
500+257.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R035CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R035CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a2c2130e6
IPT60R035CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 351W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.51 грн
10+456.78 грн
100+365.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R145CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df45b2483180
IPT60R145CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R145CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df45b2483180
IPT60R145CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.03 грн
10+195.25 грн
100+137.64 грн
500+106.09 грн
1000+98.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R105CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a7e5530ef
IPT60R105CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R105CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a7e5530ef
IPT60R105CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.73 грн
10+223.08 грн
100+158.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS208D1EJV33XUMA1 INFN-S-A0001299229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLS208D1EJV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 3.3V 800MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 170 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable, Reset
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 62dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 1V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Current - Supply (Max): 250 µA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R07ME4B11BPSA1 Infineon-FF600R07ME4_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304334c41e910134e5a1098f5412
FF600R07ME4B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8786.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540 INFNS30134-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP540
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 540F E6327 BFP%20540F%20E6327.pdf
BFP 540F E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540FESDE6327 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP540FESDE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540E6327BTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BFP540E6327BTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540ESDE6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BFP540ESDE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP540ESDE6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BFP540ESDE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R210CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633a2feadc39b8
IPD60R210CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R210CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633a2feadc39b8
IPD60R210CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.67 грн
10+140.05 грн
100+96.88 грн
500+73.61 грн
1000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.59 грн
10+154.66 грн
100+113.34 грн
500+92.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB60R199CP
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PL6327 INFNS15380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP321PL6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
на замовлення 37989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1154+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 1154
В кошику  од. на суму  грн.
REFDAB11KIZSICSYSTOBO1 Infineon-UG-2020-31_REF_DAB11KIZSICSYS-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a0177060f64a829de
REFDAB11KIZSICSYSTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IMBF170R1K0M1
Packaging: Bulk
Voltage - Input: 750V
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: IMBF170R1K0M1, IMZ120R030M1H, XMC4400
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 11kW
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+132910.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R17KE3B2NOSA1 FZ1200R17KE3_B2_Rev2.1_2013-11-25.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54B5003 INFNS09503-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT54B5003
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13172+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717HR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF3717HR
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B-B5003 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC847B-B5003
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13172+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
KP253XTMA2 KP253.pdf
KP253XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: Board Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP253XTMA2 KP253.pdf
KP253XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8
Packaging: Cut Tape (CT)
Applications: Board Mount
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.74 грн
5+344.02 грн
10+329.57 грн
25+293.18 грн
50+282.14 грн
100+272.02 грн
500+247.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALICB2FL03GTOBO1 Infineon-Lighting_ballast_controller_IC_design_54W_UV_C_disinfection_lamp_ICB2FL03G-ApplicationNotes-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304331c8f8560131d28a549d0675
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA143GL10E6327XTSA1 Infineon-BGSA143GL10-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626da6c043016dde5887c33cb9
BGSA143GL10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ TSLP10-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP4T
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 42V
Frequency Range: 6GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-10-2
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVAZ172NS-TPBF pvaz172.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c42ea329e4
PVAZ172NS-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-60V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+695.40 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
PVAZ172 pvaz172.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c42ea329e4
PVAZ172
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R520CPXKSA1 Infineon-IPP50R520CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123854bec2a6712
IPP50R520CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 9318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
415+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 415
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R350CP INFNS17740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP50R350CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS 10A, 500V N-CHANNEL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
376+64.11 грн
Мінімальне замовлення: 376
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R299CPXKSA1 Infineon-IPP50R299CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123852caf2b65fc
IPP50R299CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
313+71.36 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N12S3LAKSA1 Infineon-IPP_B_I50N12S3L-15-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf9b3517ffa
IPP50N12S3LAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER-TRANSISTOR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R399CP INFNS17023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP50R399CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP50R399 - 500V COOLMOS N-CHANN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121
FS50R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327 INFNS26386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS606NH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSS606 - 250V-600V SMALL SIGNAL
на замовлення 350865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT320N18SOFHPSA1 Infineon-TT320N18SOF-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e572e77eea
TT320N18SOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 520A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 425 426 427 428 429 430 431 432 433 434 435 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]