Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122993) > Сторінка 427 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EVALHBPARALLELGANTOBO1 EVALHBPARALLELGANTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluationboard_EVAL_HB_ParallelGaN-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717861cc8a11c4 Description: EVAL_HB_PARALLELGAN
Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Non-Isolated
Supplied Contents: Board(s)
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck-Boost
Current - Output: 24A
Packaging: Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10145.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R037P7X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH HI POWER WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMB8753AV2.04 Infineon Technologies Description: INFINEON PMB8753AV TELECOM IC -
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+381.06 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMB8787V2.0 Infineon Technologies PMB8787.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: PMB8787V2.0 TELECOM IC
Packaging: Bulk
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+427.53 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2261NV2.0G Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NGV2.0 Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+1073.76 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2261NV2.0 Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CHANNEL CODEC FILT
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NWDGV2.0 Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1186.71 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NV2.0 Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CHANNEL CODEC FILT
Packaging: Bulk
на замовлення 27371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1192.58 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R075CFD7XTMA1 IPDQ60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R075CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465868a09094e Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+195.18 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R055CFD7XTMA1 IPDQ60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465a43edc09a9 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1 IPDQ60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R045CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465c80ad309dd Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+283.45 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1 IPDQ60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R035CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d30184656b09ef091c Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+404.41 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7XTMA1 IPDQ60R022S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R022S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06a8ffdb1518 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.62 грн
50+106.16 грн
100+95.75 грн
500+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHP1050N10N5AUMA1 DHP1050N10N5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174 Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHP1050N10N5AUMA1 DHP1050N10N5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174 Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHP0050N10N5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174 Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-IQFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 6A
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6 IPU60R1K4C6 Infineon Technologies INFNS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1072+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 1072 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 IPDD60R145CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ea92342b7 Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+104.26 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183 Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 60A EASY1B1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 174 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 ISP14EP15LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.04 грн
2000+13.97 грн
3000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 ISP14EP15LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
на замовлення 3824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
14+22.24 грн
25+19.82 грн
100+16.10 грн
250+14.91 грн
500+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B100N06S2L_05-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43227e5573c&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDK03G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb7618470089 Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: OPTIGA TRUST M V3 HIGH TEMP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
Core Processor: 16-Bit
Applications: Security
Program Memory Type: NVM (10kB)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Interface: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: OPTIGA TRUST M V3 HIGH TEMP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
Core Processor: 16-Bit
Applications: Security
Program Memory Type: NVM (10kB)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Interface: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07 Description: MOSFET_)40V,60V)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14 Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14 Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.45 грн
10+110.29 грн
100+75.76 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.02 грн
50+116.72 грн
100+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7BOMA1 FS25R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12W1T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f188efca7334 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY1B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2206.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7PB11BPSA1 FS25R12W1T7PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12W1T7P_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173e165e5d65778 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2666.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B3BPSA1 FP25R12W1T7B3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4 Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Supplier Device Package: AG-EASY1B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7BOMA1 FP25R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4 Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY1B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T7BPSA1 FP25R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742692f69465ca Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY2B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY2B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2988.82 грн
15+2073.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7PBPSA1 FP25R12W1T7PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4 Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY1B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3057.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F475R07W2H3B51BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-75R07W2H3_B51-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497522b7240cf9 Description: IGBT MODULE 650V 75A 250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 37.5A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SD418F2FZ1200R33KNPSA1 Infineon Technologies Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2336B40F20LAAKXUMA1 XC2336B40F20LAAKXUMA1 Infineon Technologies XC2336B.pdf Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC2336B40F80LAAKXUMA1 XC2336B40F80LAAKXUMA1 Infineon Technologies XC2336B.pdf Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMB2411FV1.1 Infineon Technologies Description: DUAL BAND RECIEVER
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+199.62 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMB7860V1.1E-GICM Infineon Technologies PMB7860.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: INFINEON PMB7860V1.1E TELECOM IC
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+367.86 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F118MWPMC-GSE1 MB95F118MWPMC-GSE1 Infineon Technologies 5047 Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 52LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.4V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Number of I/O: 39
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F118MWPMC-GSE1 MB95F118MWPMC-GSE1 Infineon Technologies 5047 Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 52LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.4V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Number of I/O: 39
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC06T60EX7SA1 Infineon Technologies Description: IGBT 3 CHIP 600V 10A WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1000R16KF4NOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 15647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.28 грн
10+136.85 грн
25+129.24 грн
100+111.48 грн
250+105.59 грн
500+101.43 грн
1000+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC277TC-64F200N DC SAK-TC277TC-64F200N DC Infineon Technologies Infineon-TC27xDC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953972c57046a Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 424K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 24K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 60x12b SAR, Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.17V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1IM828ATOBO1 EVALM1IM828ATOBO1 Infineon Technologies Infineon-UG-2020-27-EVAL-M1-IM828-A-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301763c2ddc0024c0 Description: EVAL BOARD FOR IM828-XCC
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IM828-XCC
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12081.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCA505BG2XUMA1 TCA505BG2XUMA1 Infineon Technologies Description: INDUSTRIAL/ACCESSORY IC PG-DSO-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Analog
Mounting Type: Surface Mount
Type: Proximity Detector
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Input Type: Analog
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Part Status: Obsolete
Current - Supply: 840 µA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2 IKD06N60RAATMA2 Infineon Technologies 2156_infineon-ikd06n60ra-ds-v02_01-en.pdf_fileid%3Ddb3a30433ee50ba8013eea3563ba14bf.pdf Description: IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB30N65H5ATMA1 AIGB30N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB30N65DF5ATMA1 AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Hybrid%20electric%20and%20electric%20cars%202019-ApplicationBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f427b36a6 Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB30N65DF5ATMA1 AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Hybrid%20electric%20and%20electric%20cars%202019-ApplicationBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f427b36a6 Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.59 грн
10+212.07 грн
25+195.18 грн
100+165.72 грн
250+157.40 грн
500+152.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALHBPARALLELGANTOBO1 Infineon-Evaluationboard_EVAL_HB_ParallelGaN-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717861cc8a11c4
EVALHBPARALLELGANTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL_HB_PARALLELGAN
Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Non-Isolated
Supplied Contents: Board(s)
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck-Boost
Current - Output: 24A
Packaging: Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10145.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R037P7X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH HI POWER WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMB8753AV2.04
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PMB8753AV TELECOM IC -
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+381.06 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMB8787V2.0 PMB8787.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: Infineon Technologies
Description: PMB8787V2.0 TELECOM IC
Packaging: Bulk
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+427.53 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2261NV2.0G
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NGV2.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+1073.76 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2261NV2.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CHANNEL CODEC FILT
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NWDGV2.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+1186.71 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NV2.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CHANNEL CODEC FILT
Packaging: Bulk
на замовлення 27371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+1192.58 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
IAUC60N06S5N074ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
IAUC60N06S5L073ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R075CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R075CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465868a09094e
IPDQ60R075CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+195.18 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R055CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465a43edc09a9
IPDQ60R055CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R045CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465c80ad309dd
IPDQ60R045CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+283.45 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R035CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d30184656b09ef091c
IPDQ60R035CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+404.41 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R022S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06a8ffdb1518
IPDQ60R022S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008
IPP050N10NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.62 грн
50+106.16 грн
100+95.75 грн
500+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHP1050N10N5AUMA1 Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174
DHP1050N10N5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHP1050N10N5AUMA1 Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174
DHP1050N10N5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHP0050N10N5AUMA1 Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174
Виробник: Infineon Technologies
Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-IQFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 6A
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6 INFNS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPU60R1K4C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1072+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 1072 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ea92342b7
IPDD60R145CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1700+104.26 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 60A EASY1B1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 174 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b
ISP14EP15LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.04 грн
2000+13.97 грн
3000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b
ISP14EP15LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
на замовлення 3824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
14+22.24 грн
25+19.82 грн
100+16.10 грн
250+14.91 грн
500+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 Infineon-IPP_B100N06S2L_05-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43227e5573c&ack=t
IPB100N06S2L05ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 Infineon-IDK03G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb7618470089
IDK03G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
347+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIGA TRUST M V3 HIGH TEMP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
Core Processor: 16-Bit
Applications: Security
Program Memory Type: NVM (10kB)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Interface: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIGA TRUST M V3 HIGH TEMP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
Core Processor: 16-Bit
Applications: Security
Program Memory Type: NVM (10kB)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Interface: I2C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+436.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V,60V)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.45 грн
10+110.29 грн
100+75.76 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7
IPP80P03P4L04AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.02 грн
50+116.72 грн
100+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7BOMA1 Infineon-FS25R12W1T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f188efca7334
FS25R12W1T7BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY1B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2206.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7PB11BPSA1 Infineon-FS25R12W1T7P_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173e165e5d65778
FS25R12W1T7PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2666.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B3BPSA1 Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4
FP25R12W1T7B3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Supplier Device Package: AG-EASY1B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7BOMA1 Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4
FP25R12W1T7BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY1B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T7BPSA1 Infineon-FP25R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742692f69465ca
FP25R12W2T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY2B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY2B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2988.82 грн
15+2073.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7PBPSA1 Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4
FP25R12W1T7PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY1B
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3057.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F475R07W2H3B51BPSA1 Infineon-F4-75R07W2H3_B51-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497522b7240cf9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 75A 250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 37.5A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SD418F2FZ1200R33KNPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2336B40F20LAAKXUMA1 XC2336B.pdf
XC2336B40F20LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC2336B40F80LAAKXUMA1 XC2336B.pdf
XC2336B40F80LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMB2411FV1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DUAL BAND RECIEVER
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+199.62 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMB7860V1.1E-GICM PMB7860.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PMB7860V1.1E TELECOM IC
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+367.86 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F118MWPMC-GSE1 5047
MB95F118MWPMC-GSE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 52LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.4V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Number of I/O: 39
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F118MWPMC-GSE1 5047
MB95F118MWPMC-GSE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 52LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.4V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Number of I/O: 39
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC06T60EX7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 3 CHIP 600V 10A WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1000R16KF4NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+98.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 15647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.28 грн
10+136.85 грн
25+129.24 грн
100+111.48 грн
250+105.59 грн
500+101.43 грн
1000+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC277TC-64F200N DC Infineon-TC27xDC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953972c57046a
SAK-TC277TC-64F200N DC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 424K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 24K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 60x12b SAR, Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.17V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1IM828ATOBO1 Infineon-UG-2020-27-EVAL-M1-IM828-A-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301763c2ddc0024c0
EVALM1IM828ATOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IM828-XCC
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IM828-XCC
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12081.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCA505BG2XUMA1
TCA505BG2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INDUSTRIAL/ACCESSORY IC PG-DSO-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Analog
Mounting Type: Surface Mount
Type: Proximity Detector
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Input Type: Analog
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Part Status: Obsolete
Current - Supply: 840 µA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2 2156_infineon-ikd06n60ra-ds-v02_01-en.pdf_fileid%3Ddb3a30433ee50ba8013eea3563ba14bf.pdf
IKD06N60RAATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB30N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB30N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon-Hybrid%20electric%20and%20electric%20cars%202019-ApplicationBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f427b36a6
AIKB30N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon-Hybrid%20electric%20and%20electric%20cars%202019-ApplicationBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f427b36a6
AIKB30N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.59 грн
10+212.07 грн
25+195.18 грн
100+165.72 грн
250+157.40 грн
500+152.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]