Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117863) > Сторінка 431 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 426 427 428 429 430 431 432 433 434 435 436 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW20N65R5 IHW20N65R5 Infineon Technologies Infineon-IHW20N65R5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146ae1140b900d8 Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.96 грн
10+232.87 грн
100+165.99 грн
500+138.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.99 грн
10+80.44 грн
100+54.24 грн
500+40.37 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1 IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde08b35a1bae Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1 IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde08b35a1bae Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.64 грн
10+79.01 грн
100+53.07 грн
500+39.36 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101NA-ZS45XI CY14B101NA-ZS45XI Infineon Technologies Infineon-CY14B101LA_CY14B101NA_1-Mbit_(128_K_8_64_K_16)_nvSRAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd6cf32ff4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1778.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1263KV18-550BZXC CY7C1263KV18-550BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6203.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1568KV18-550BZXI CY7C1568KV18-550BZXI Infineon Technologies download Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23817.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1570KV18-550BZXC CY7C1570KV18-550BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 36
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22354.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2168KV18-550BZC CY7C2168KV18-550BZC Infineon Technologies Infineon-CY7C2168KV18_CY7C2170KV18_18-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2014936e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4528.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2170KV18-550BZXC CY7C2170KV18-550BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C2168KV18_CY7C2170KV18_18-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2014936e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4528.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7110TR AUIRFN7110TR Infineon Technologies auirfn7110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1638a1438 Description: MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS600R07A2E3BOSA1 Infineon Technologies Description: MODULE IGBT 600V HYBRID PACK 2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 39 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies Infineon-F3L11MR12W2M1_B74-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b9447dce438e Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10945.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327 BA595E6327 Infineon Technologies INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BA595 - PIN DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BA885E6327 Infineon Technologies INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BA885 - PIN DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3752+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3752
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327HTSA1 BA885E6327HTSA1 Infineon Technologies BA595_885_895_Series.pdf Description: RF DIODE PIN 50V SOT23-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA892-02V-E6327 BA892-02V-E6327 Infineon Technologies INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, 35V
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA892-02VE6327 BA892-02VE6327 Infineon Technologies INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, 35V
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202LE6327 BA89202LE6327 Infineon Technologies INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE STANDAR 35V PG-TSLP-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-882
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
на замовлення 38046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2834+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 2834
В кошику  од. на суму  грн.
BA895-E6327 BA895-E6327 Infineon Technologies INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA895E6327 BA895E6327 Infineon Technologies INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE PIN 50V SCD-80
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-80
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Resistance @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: SCD-80
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4724+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 4724
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99E6327 BAL99E6327 Infineon Technologies INFNS10749-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
на замовлення 249164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8266+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 8266
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99E6327HTSA1 BAL99E6327HTSA1 Infineon Technologies bal99series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b842ae203f6 Description: DIODE STANDARD 80V 250MA PGSOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
на замовлення 403400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8266+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 8266
В кошику  од. на суму  грн.
BAR50-03WE6327 BAR50-03WE6327 Infineon Technologies INFNS15693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7493+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 7493
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19426-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.07 грн
30000+4.77 грн
45000+4.72 грн
75000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002LRHE6327XTSA1 BAR9002LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies bar90series.pdf Description: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-7
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 2220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6918+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 6918
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3CHAMA1 TLE4998C3CHAMA1 Infineon Technologies TLE4998C3C_Data_Sheet_Rev1.1.pdf?folderId=db3a30431ce5fb52011d3dd6e8012582&fileId=db3a30431ce5fb52011d3e52cfdd259e Description: SENSOR HALL PWM SSO3-10
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-10
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 16 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+184.74 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998P3C TLE4998P3C Infineon Technologies Infineon-TLE4998P3C-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d3ea4f5e225b8 Description: TLE4998 - PROGRAMMABLE LINEAR HA
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+316.66 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998P4 Infineon Technologies Infineon-TLE4998P-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d3e9a9f3425b1 Description: TLE4998 - PROGRAMMABLE LINEAR HA
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, SSO-4-1
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-4-1
Part Status: Active
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+161.10 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998P4HALA1 TLE4998P4HALA1 Infineon Technologies TLE4998P_Data_Sheet_V1.0.pdf?folderId=db3a30431ce5fb52011d3dd6e8012582&fileId=db3a30431ce5fb52011d3e9a9f3425b1 Description: SENSOR HALL EFFECT PWM SSO4
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, SSO-4-1
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-4-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+164.16 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998S3C TLE4998S3C Infineon Technologies Infineon-TLE4998S3C-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d3ecb064425c2 Description: TLE4998 - PROGRAMMABLE LINEAR HA
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: SENT
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 16 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
на замовлення 19068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+194.52 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C8DXUMA2 TLE4998C8DXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4998C8D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891ed2f31ac Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+276.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C8DXUMA2 TLE4998C8DXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4998C8D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891ed2f31ac Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.01 грн
10+386.96 грн
25+358.00 грн
100+290.56 грн
500+272.40 грн
1000+254.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C8XUMA2 TLE4998C8XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4998C8D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891ed2f31ac Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+313.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C8XUMA2 TLE4998C8XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4998C8D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891ed2f31ac Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.25 грн
10+439.38 грн
25+406.43 грн
100+329.88 грн
500+309.26 грн
1000+288.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P2BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464 Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P3BPMA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464 Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P4BPMA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464 Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P5BPMA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464 Description: IGBT MOD 5900V 225A AG-XHP3K65
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P6BPMA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464 Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P3BPMA1 Infineon Technologies infineon-ff450r33t3e3-b5-datasheet-en.pdf Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP3K33
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K33
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC822MT-1FRA AA SAK-XC822MT-1FRA AA Infineon Technologies INFNS19723-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 4KB (4K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: XC800
Data Converters: A/D 4x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.5V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, SSC, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-16-1
Part Status: Active
Number of I/O: 13
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM512L6AXKMA1 IM512L6AXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM512-L6A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162d21e08915a28 Description: CIPOS MINI COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver
Current - Output: 10A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 14V ~ 18.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 24-DIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+611.91 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IM512L6AXKMA1 IM512L6AXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM512-L6A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162d21e08915a28 Description: CIPOS MINI COOLMOS
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver
Current - Output: 10A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 14V ~ 18.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 24-DIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL128SDABHN020 S26KL128SDABHN020 Infineon Technologies Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Description: IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+425.01 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL128SDABHN020 S26KL128SDABHN020 Infineon Technologies Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Description: IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL256SDABHB020 S26KL256SDABHB020 Infineon Technologies Description: IC FLASH 256MBIT PAR 24FBGA
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+544.00 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9845QXXUMA1 TLE9845QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9845QX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a892c44910243 Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (48kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3B9BPSA1 FS75R12KE3B9BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12KE3_B9-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a7caf0c5c68d3 Description: IGBT MOD 1200V 105A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5578.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BPSA1 FS75R12KE3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380 Description: IGBT MOD 1200V 105A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5474.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR205WH6327 Infineon Technologies Description: DC-DC LED DRIVER AND CONTROL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500-F144F1024AB XMC4500-F144F1024AB Infineon Technologies INFNS27688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 32-BIT MCU XMC4000 ARM CORTEX-M4
Packaging: Bulk
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 160K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 28x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Peripherals: DMA, I²S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-24
Part Status: Active
Number of I/O: 91
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F144K1024ABXQMA1 Infineon Technologies Description: 32-BIT INDUSTRIAL MICROCONTROLLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYV15G0104TRB-BGXC CYV15G0104TRB-BGXC Infineon Technologies download Description: IC SERDES HOTLINK 256LBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 256-BGA Exposed Pad
Output Type: PECL
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1/10
Function: Serializer/Deserializer
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.15V ~ 3.45V
Data Rate: 1.485Gbps
Input Type: PECL
Number of Inputs: 10/1
Supplier Device Package: 256-L2BGA (27x27)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10790.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1347G-166AXC CY7C1347G-166AXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1347G_4_MBIT_(128K_X_36)_PIPELINED_SYNC_SRAM-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd1d7d2f3a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4.5Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.15V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 128K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+455.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5 Infineon-IHW20N65R5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146ae1140b900d8
IHW20N65R5
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
IPB330P10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+133.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
IPB330P10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.96 грн
10+232.87 грн
100+165.99 грн
500+138.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1 Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43
IPD18DP10LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1 Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43
IPD18DP10LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.99 грн
10+80.44 грн
100+54.24 грн
500+40.37 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1 Infineon-IPD19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde08b35a1bae
IPD19DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1 Infineon-IPD19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde08b35a1bae
IPD19DP10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.64 грн
10+79.01 грн
100+53.07 грн
500+39.36 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101NA-ZS45XI Infineon-CY14B101LA_CY14B101NA_1-Mbit_(128_K_8_64_K_16)_nvSRAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd6cf32ff4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY14B101NA-ZS45XI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1778.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1263KV18-550BZXC download
CY7C1263KV18-550BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6203.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1568KV18-550BZXI download
CY7C1568KV18-550BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23817.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1570KV18-550BZXC download
CY7C1570KV18-550BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 36
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22354.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2168KV18-550BZC Infineon-CY7C2168KV18_CY7C2170KV18_18-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2014936e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_
CY7C2168KV18-550BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+4528.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2170KV18-550BZXC Infineon-CY7C2168KV18_CY7C2170KV18_18-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2014936e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_
CY7C2170KV18-550BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+4528.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7110TR auirfn7110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1638a1438
AUIRFN7110TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS600R07A2E3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V HYBRID PACK 2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 39 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon-F3L11MR12W2M1_B74-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b9447dce438e
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10945.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BA595E6327 INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA595E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BA595 - PIN DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA885E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BA885 - PIN DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3752+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3752
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327HTSA1 BA595_885_895_Series.pdf
BA885E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V SOT23-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BA892-02V-E6327 INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA892-02V-E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, 35V
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA892-02VE6327 INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA892-02VE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, 35V
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202LE6327 INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA89202LE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE STANDAR 35V PG-TSLP-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-882
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
на замовлення 38046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2834+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 2834
В кошику  од. на суму  грн.
BA895-E6327 INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA895-E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA895E6327 INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA895E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V SCD-80
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-80
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Resistance @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: SCD-80
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4724+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 4724
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99E6327 INFNS10749-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAL99E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
на замовлення 249164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8266+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 8266
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99E6327HTSA1 bal99series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b842ae203f6
BAL99E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 80V 250MA PGSOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
на замовлення 403400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8266+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 8266
В кошику  од. на суму  грн.
BAR50-03WE6327 INFNS15693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR50-03WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 50V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7493+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 7493
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002ELSE6327XTSA1 INFNS19426-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR9002ELSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+5.07 грн
30000+4.77 грн
45000+4.72 грн
75000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002LRHE6327XTSA1 bar90series.pdf
BAR9002LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-7
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 2220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6918+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 6918
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3CHAMA1 TLE4998C3C_Data_Sheet_Rev1.1.pdf?folderId=db3a30431ce5fb52011d3dd6e8012582&fileId=db3a30431ce5fb52011d3e52cfdd259e
TLE4998C3CHAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR HALL PWM SSO3-10
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-10
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 16 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+184.74 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998P3C Infineon-TLE4998P3C-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d3ea4f5e225b8
TLE4998P3C
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4998 - PROGRAMMABLE LINEAR HA
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+316.66 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998P4 Infineon-TLE4998P-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d3e9a9f3425b1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4998 - PROGRAMMABLE LINEAR HA
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, SSO-4-1
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-4-1
Part Status: Active
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+161.10 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998P4HALA1 TLE4998P_Data_Sheet_V1.0.pdf?folderId=db3a30431ce5fb52011d3dd6e8012582&fileId=db3a30431ce5fb52011d3e9a9f3425b1
TLE4998P4HALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR HALL EFFECT PWM SSO4
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, SSO-4-1
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-4-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+164.16 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998S3C Infineon-TLE4998S3C-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d3ecb064425c2
TLE4998S3C
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4998 - PROGRAMMABLE LINEAR HA
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP Module
Output Type: SENT
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 16 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
на замовлення 19068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+194.52 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C8DXUMA2 Infineon-TLE4998C8D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891ed2f31ac
TLE4998C8DXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+276.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C8DXUMA2 Infineon-TLE4998C8D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891ed2f31ac
TLE4998C8DXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.01 грн
10+386.96 грн
25+358.00 грн
100+290.56 грн
500+272.40 грн
1000+254.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C8XUMA2 Infineon-TLE4998C8D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891ed2f31ac
TLE4998C8XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+313.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C8XUMA2 Infineon-TLE4998C8D-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891ed2f31ac
TLE4998C8XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.25 грн
10+439.38 грн
25+406.43 грн
100+329.88 грн
500+309.26 грн
1000+288.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P2BPSA1 Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464
Виробник: Infineon Technologies
Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P3BPMA1 Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464
Виробник: Infineon Technologies
Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P4BPMA1 Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464
Виробник: Infineon Technologies
Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P5BPMA1 Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 5900V 225A AG-XHP3K65
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R65T3E3P6BPMA1 Infineon-FF225R65T3E3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a0ea3ac750464
Виробник: Infineon Technologies
Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K65
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5900 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5P3BPMA1 infineon-ff450r33t3e3-b5-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP3K33
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K33
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC822MT-1FRA AA INFNS19723-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-XC822MT-1FRA AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 4KB (4K x 8)
RAM Size: 512 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: XC800
Data Converters: A/D 4x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.5V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, SSC, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-16-1
Part Status: Active
Number of I/O: 13
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217
IAUZ40N10S5L120ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM512L6AXKMA1 Infineon-IM512-L6A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162d21e08915a28
IM512L6AXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MINI COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver
Current - Output: 10A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 14V ~ 18.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 24-DIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+611.91 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IM512L6AXKMA1 Infineon-IM512-L6A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162d21e08915a28
IM512L6AXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MINI COOLMOS
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver
Current - Output: 10A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 14V ~ 18.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 24-DIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL128SDABHN020 Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
S26KL128SDABHN020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+425.01 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL128SDABHN020 Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
S26KL128SDABHN020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL256SDABHB020
S26KL256SDABHB020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT PAR 24FBGA
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+544.00 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9845QXXUMA1 Infineon-TLE9845QX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a892c44910243
TLE9845QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LIN, SSI, UART
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Program Memory Type: FLASH (48kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3B9BPSA1 Infineon-FS75R12KE3_B9-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a7caf0c5c68d3
FS75R12KE3B9BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 105A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5578.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BPSA1 Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380
FS75R12KE3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 105A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5474.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR205WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DC-DC LED DRIVER AND CONTROL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500-F144F1024AB INFNS27688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
XMC4500-F144F1024AB
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT MCU XMC4000 ARM CORTEX-M4
Packaging: Bulk
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 160K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 28x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Peripherals: DMA, I²S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-24
Part Status: Active
Number of I/O: 91
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F144K1024ABXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT INDUSTRIAL MICROCONTROLLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35
IAUA180N08S5N026AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYV15G0104TRB-BGXC download
CYV15G0104TRB-BGXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SERDES HOTLINK 256LBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 256-BGA Exposed Pad
Output Type: PECL
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1/10
Function: Serializer/Deserializer
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.15V ~ 3.45V
Data Rate: 1.485Gbps
Input Type: PECL
Number of Inputs: 10/1
Supplier Device Package: 256-L2BGA (27x27)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+10790.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1347G-166AXC Infineon-CY7C1347G_4_MBIT_(128K_X_36)_PIPELINED_SYNC_SRAM-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd1d7d2f3a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1347G-166AXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4.5Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.15V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 128K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+455.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 426 427 428 429 430 431 432 433 434 435 436 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]