Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148760) > Сторінка 428 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSM25GD120DN2E3224BPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 1200V 35A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4CC30UB Infineon Technologies IRG4CC30UB_9-27-07.pdf Description: IGBT CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4356XKWBGT CYW4356XKWBGT Infineon Technologies Infineon-CYW4356_CG8674_Single-Chip_5G_WiFi_IEEE_802.11ac_2x2_MAC_Baseband_Radio_with_Integrated_Bluetooth_5.0-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee4c6ad6bfa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaig Description: IC RF TXRX+MCU BLE 395WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 395-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -95dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.3V
Power - Output: 19.5dBm
Protocol: 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1
Supplier Device Package: 395-WLCSP (4.87x7.67)
GPIO: 16
Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, WiFi
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4339XKWBGT Infineon Technologies download Description: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 286XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 286-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -95.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz, 5GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.3V
Power - Output: 13dBm
Protocol: 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 110mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 340mA
Supplier Device Package: 286-WLCSP (4.87x5.41)
GPIO: 16
Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, WiFi
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SL6E6327 Infineon Technologies INFNS28176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: GENERAL PURPOSE SWITCH SPDT
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, WCDMA
Frequency Range: 100MHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: TSLP-6-4
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2251+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 2251
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12AL7-4E6327 Infineon Technologies INFNS13340-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XDFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.5dB
Frequency Range: 30MHz ~ 3GHz
Test Frequency: 2GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-4
Part Status: Active
на замовлення 39074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.50 грн
10+405.15 грн
100+296.76 грн
500+245.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+321.76 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.67 грн
10+412.40 грн
100+314.48 грн
500+290.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.38 грн
10+69.30 грн
100+46.12 грн
500+33.95 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PX8143HDMG018XTMA1 Infineon Technologies Description: LED PX8143HDMG018XTMA1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED24427N01FXUMA1 2ED24427N01FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED24427N01F-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175c0b0b3833ee7 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-900
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 10A, 10A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC224TFTTOBO1 KITAURIXTC224TFTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-KIT_AURIX_TC224_TFT-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c85c5843a7f4c Description: EVAL TC224 TFT AURIX
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC224
Platform: AURIX
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20357.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC265TFTTOBO1 KITAURIXTC265TFTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-KIT_AURIX_TC2x5_TFT-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c860ebecf0149 Description: AURIX APPLICATION KIT TC265 TFT
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC265
Platform: AURIX
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21948.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHP0070N10N5AUMA1 Infineon Technologies Description: IC GATE DRVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALHBPARALLELGANTOBO1 EVALHBPARALLELGANTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluationboard_EVAL_HB_ParallelGaN-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717861cc8a11c4 Description: EVAL_HB_PARALLELGAN
Packaging: Bulk
Current - Output: 24A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck-Boost
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Non-Isolated
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11202.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R037P7X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH HI POWER WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMB8753AV2.04 Infineon Technologies Description: INFINEON PMB8753AV TELECOM IC -
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+416.54 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
PMB8787V2.0 Infineon Technologies PMB8787.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: PMB8787V2.0 TELECOM IC
Packaging: Bulk
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+467.34 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2261NV2.0G Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NGV2.0 Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+1185.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2261NV2.0 Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CHANNEL CODEC FILT
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NWDGV2.0 Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1310.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NV2.0 Infineon Technologies Description: SICOFI 2 DUAL CHANNEL CODEC FILT
Packaging: Bulk
на замовлення 27371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1316.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R075CFD7XTMA1 IPDQ60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R075CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465868a09094e Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+215.52 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R055CFD7XTMA1 IPDQ60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465a43edc09a9 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1 IPDQ60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R045CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465c80ad309dd Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+312.99 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1 IPDQ60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R035CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d30184656b09ef091c Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+446.55 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7XTMA1 IPDQ60R022S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R022S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06a8ffdb1518 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.81 грн
50+75.94 грн
100+74.50 грн
500+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DHP1050N10N5AUMA1 DHP1050N10N5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174 Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHP1050N10N5AUMA1 DHP1050N10N5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174 Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHP0050N10N5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174 Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-IQFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 6A
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6 IPU60R1K4C6 Infineon Technologies INFNS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1072+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 1072
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 IPDD60R145CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ea92342b7 Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+115.12 грн
Мінімальне замовлення: 1700
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183 Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 60A EASY1B1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 174 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 ISP14EP15LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 ISP14EP15LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.80 грн
16+20.85 грн
25+18.59 грн
100+15.08 грн
250+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B100N06S2L_05-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43227e5573c&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDK03G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb7618470089 Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: OPTIGA TRUST M V3 HIGH TEMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVM (10kB)
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: OPTIGA TRUST M V3 HIGH TEMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVM (10kB)
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07 Description: MOSFET_)40V,60V)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14 Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14 Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+121.78 грн
100+83.66 грн
500+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.41 грн
50+128.89 грн
100+118.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7BOMA1 FS25R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12W1T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f188efca7334 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2436.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7PB11BPSA1 FS25R12W1T7PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12W1T7P_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173e165e5d65778 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2944.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B3BPSA1 FP25R12W1T7B3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4 Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7BOMA1 FP25R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4 Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T7BPSA1 FP25R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742692f69465ca Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3300.29 грн
15+2289.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7PBPSA1 FP25R12W1T7PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4 Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3375.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F475R07W2H3B51BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-75R07W2H3_B51-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497522b7240cf9 Description: IGBT MODULE 650V 75A 250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 37.5A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SD418F2FZ1200R33KNPSA1 Infineon Technologies Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 35A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4CC30UB IRG4CC30UB_9-27-07.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4356XKWBGT Infineon-CYW4356_CG8674_Single-Chip_5G_WiFi_IEEE_802.11ac_2x2_MAC_Baseband_Radio_with_Integrated_Bluetooth_5.0-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee4c6ad6bfa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaig
CYW4356XKWBGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 395WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 395-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -95dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.3V
Power - Output: 19.5dBm
Protocol: 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1
Supplier Device Package: 395-WLCSP (4.87x7.67)
GPIO: 16
Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, WiFi
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4339XKWBGT download
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 286XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 286-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -95.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz, 5GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.3V
Power - Output: 13dBm
Protocol: 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 110mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 340mA
Supplier Device Package: 286-WLCSP (4.87x5.41)
GPIO: 16
Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, WiFi
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SL6E6327 INFNS28176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: GENERAL PURPOSE SWITCH SPDT
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, WCDMA
Frequency Range: 100MHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: TSLP-6-4
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2251+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 2251
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12AL7-4E6327 INFNS13340-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XDFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.5dB
Frequency Range: 30MHz ~ 3GHz
Test Frequency: 2GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-4
Part Status: Active
на замовлення 39074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1731+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
IPTG111N20NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
IPTG111N20NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+619.50 грн
10+405.15 грн
100+296.76 грн
500+245.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb
IPTG210N25NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+321.76 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb
IPTG210N25NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.67 грн
10+412.40 грн
100+314.48 грн
500+290.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1 Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a
ISC028N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1 Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a
ISC028N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.38 грн
10+69.30 грн
100+46.12 грн
500+33.95 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PX8143HDMG018XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LED PX8143HDMG018XTMA1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED24427N01FXUMA1 Infineon-2ED24427N01F-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175c0b0b3833ee7
2ED24427N01FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-900
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 10A, 10A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC224TFTTOBO1 Infineon-KIT_AURIX_TC224_TFT-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c85c5843a7f4c
KITAURIXTC224TFTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL TC224 TFT AURIX
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC224
Platform: AURIX
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20357.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC265TFTTOBO1 Infineon-KIT_AURIX_TC2x5_TFT-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c860ebecf0149
KITAURIXTC265TFTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX APPLICATION KIT TC265 TFT
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC265
Platform: AURIX
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21948.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DHP0070N10N5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALHBPARALLELGANTOBO1 Infineon-Evaluationboard_EVAL_HB_ParallelGaN-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717861cc8a11c4
EVALHBPARALLELGANTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL_HB_PARALLELGAN
Packaging: Bulk
Current - Output: 24A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck-Boost
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Non-Isolated
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11202.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R037P7X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH HI POWER WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMB8753AV2.04
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PMB8753AV TELECOM IC -
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+416.54 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
PMB8787V2.0 PMB8787.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: Infineon Technologies
Description: PMB8787V2.0 TELECOM IC
Packaging: Bulk
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+467.34 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2261NV2.0G
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NGV2.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+1185.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2261NV2.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CHANNEL CODEC FILT
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NWDGV2.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CH CODEC FILTER
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+1310.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2261NV2.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI 2 DUAL CHANNEL CODEC FILT
Packaging: Bulk
на замовлення 27371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+1316.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
IAUC60N06S5N074ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
IAUC60N06S5L073ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R075CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R075CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465868a09094e
IPDQ60R075CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+215.52 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R055CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465a43edc09a9
IPDQ60R055CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R045CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018465c80ad309dd
IPDQ60R045CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+312.99 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R035CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d30184656b09ef091c
IPDQ60R035CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+446.55 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R022S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06a8ffdb1518
IPDQ60R022S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008
IPP050N10NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.81 грн
50+75.94 грн
100+74.50 грн
500+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DHP1050N10N5AUMA1 Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174
DHP1050N10N5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHP1050N10N5AUMA1 Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174
DHP1050N10N5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHP0050N10N5AUMA1 Infineon-DHPX050N10N5_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b2bf3e3db0174
Виробник: Infineon Technologies
Description: INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-IQFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 17V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 90 V
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-1
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 6A
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R1K4C6 INFNS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPU60R1K4C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1072+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 1072
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ea92342b7
IPDD60R145CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1700+115.12 грн
Мінімальне замовлення: 1700
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 60A EASY1B1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 174 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b
ISP14EP15LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b
ISP14EP15LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.80 грн
16+20.85 грн
25+18.59 грн
100+15.08 грн
250+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 Infineon-IPP_B100N06S2L_05-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43227e5573c&ack=t
IPB100N06S2L05ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 Infineon-IDK03G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb7618470089
IDK03G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIGA TRUST M V3 HIGH TEMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVM (10kB)
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
SLS32AIA010MLUSON10XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIGA TRUST M V3 HIGH TEMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVM (10kB)
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V,60V)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon-IPP_B_I80P04P4L-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782f18402e14
IPB80P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.95 грн
10+121.78 грн
100+83.66 грн
500+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7
IPP80P03P4L04AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.41 грн
50+128.89 грн
100+118.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7BOMA1 Infineon-FS25R12W1T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f188efca7334
FS25R12W1T7BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2436.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7PB11BPSA1 Infineon-FS25R12W1T7P_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173e165e5d65778
FS25R12W1T7PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2944.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B3BPSA1 Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4
FP25R12W1T7B3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7BOMA1 Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4
FP25R12W1T7BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T7BPSA1 Infineon-FP25R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742692f69465ca
FP25R12W2T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3300.29 грн
15+2289.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7PBPSA1 Infineon-FP25R12W1T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f017426870cd665c4
FP25R12W1T7PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3375.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F475R07W2H3B51BPSA1 Infineon-F4-75R07W2H3_B51-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497522b7240cf9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 75A 250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 37.5A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SD418F2FZ1200R33KNPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]