Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149640) > Сторінка 428 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS50R12KT4B15BOSA1 FS50R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12KT4_B15-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a4955bbac00fc Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12MT4B23BOSA1 F3L300R12MT4B23BOSA1 Infineon Technologies Infineon-F3L300R12MT4_B23-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333b8a7ca0133f9d470e0434c Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20232.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF11MR12W1M1_B70-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc74390178365dff877ca9 Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
92-0263PBF Infineon Technologies Description: IC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R600C6 IPU60R600C6 Infineon Technologies INFNS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6 IPP60R600C6 Infineon Technologies INFN-S-A0001299750-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1 BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a501c81dd0f7e Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.03 грн
10+173.06 грн
25+154.52 грн
100+130.50 грн
250+116.01 грн
500+101.50 грн
1000+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.03 грн
10+144.83 грн
25+130.71 грн
100+106.41 грн
250+97.78 грн
500+92.19 грн
1000+85.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c02958e0092d Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.61 грн
30+233.25 грн
120+194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TUA6010XS TUA6010XS Infineon Technologies tua_6010xs.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: VIDEO TUNER, 2-BAND
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+72.06 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IPB22N03S4L15ATMA1 IPB22N03S4L15ATMA1 Infineon Technologies IPx22N03S4L-15.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+106.65 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPB22N03S4L-15 IPB22N03S4L-15 Infineon Technologies INFNS10907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB22N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+102.45 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60E6422HTMA1 BCW60E6422HTMA1 Infineon Technologies 2156_Infineon_PD_185_14.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.05V @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22623EV2.1-G Infineon Technologies Description: ONE CHIP RATE ADAPTIVE TRANSCEIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2372.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SD315AINPSA1 Infineon Technologies Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD315AI33NPSA1 Infineon Technologies Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N22KOFHPSA1 TZ310N22KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TZ310N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afb549e3ff5 Description: SCR MODULE 2.2KV 700A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N26KOFHPSA1 TZ310N26KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TZ310N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afb549e3ff5 Description: SCR MODULE 2.6KV 700A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N20KOFHPSA1 TZ310N20KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ310N.pdf Description: SCR MODULE 2KV 700A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 9000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 445 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 700 A
Voltage - Off State: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N24KOFHPSA1 TZ310N24KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ310N.pdf Description: SCR MODULE 2.4KV 700A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N26KOGHPSA1 TZ310N26KOGHPSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE 2.6KV 700A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 9000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 445 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 700 A
Voltage - Off State: 2.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70SFI010 Infineon Technologies Description: IC FLASH 8MBIT PARALLEL 56SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-SOP (0.524", 13.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-SSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4115-7TRL Infineon Technologies INFN-S-A0002296895-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET_(120V,300V)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+206.39 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4PB11BPSA1 FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R12ME4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015ab228341760f9 Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42694GXUMA2 TLE42694GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE42694-2EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f967f7863e53 Description: IC REG LINEAR 5V 100MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 70dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 8 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SAH-XC2288H-200F80LAB Infineon Technologies Description: 16-BIT C166 MMC - XC2200 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 1.6MB (1.6M x 8)
RAM Size: 138K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 24x10b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: DMA, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-13
Part Status: Active
Number of I/O: 118
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2288I-136F128LAA SAK-XC2288I-136F128LAA Infineon Technologies INFNS28076-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT C166 MMC - XC2200 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 128MHz
Program Memory Size: 1.088MB (1.088M x 8)
RAM Size: 90K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 28x12b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FlexRay, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: DMA, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-13
Part Status: Active
Number of I/O: 118
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2288I136F128LAAKXUMA1 XC2288I136F128LAAKXUMA1 Infineon Technologies XC2288I_89I_v1.2_2012-06.pdf Description: IC MCU 16BIT 144LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.77 грн
2000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.27 грн
10+33.16 грн
100+21.38 грн
500+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704E6583HTSA1 BAT1704E6583HTSA1 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2981+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 2981
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200WDBKXUMA1 TC275T64F200WDBKXUMA1 Infineon Technologies Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC275TP64F200WDBLXUMA1 TC275TP64F200WDBLXUMA1 Infineon Technologies Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz146n10ls5-datasheet-en.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1a0a327fc Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED3124MX12HTOBO1 EVAL1ED3124MX12HTOBO1 Infineon Technologies Infineon-EVAL-1ED3124Mx12H-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274f6cd4c0174f821fa040272 Description: EVAL BOARD FOR 1ED3124MU12H
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 1ED3124MU12H, 1ED3124MC12H
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Driver with IGBT Power Module, 25A, 600V with 1-Phase Bridge
Embedded: Yes, MCU
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6640.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1625KV18-250BZXC CY7C1625KV18-250BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1625KV18_CY7C1612KV18_CY7C1614KV18_144-MBIT_QDR(R)_II_SRAM_TWO-WORD_BURST_ARCHITECTURE-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdd63830ca&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 144Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 16M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7072.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1625KV18-250BZXI CY7C1625KV18-250BZXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1625KV18_CY7C1612KV18_CY7C1614KV18_144-MBIT_QDR(R)_II_SRAM_TWO-WORD_BURST_ARCHITECTURE-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdd63830ca&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl Description: IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 144Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 16M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7090.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS52352GXUMA1 Infineon Technologies bts5235-2g.pdf Description: BTS5235-2G - SMART HIGH-SIDE POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 50535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+182.09 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBFXUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0002952955-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BTS54040 - SPOC SPI POWER CONTRO
Packaging: Bulk
на замовлення 38316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+217.41 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54220LBBXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS54220-LBA-DS-v02_02-EN.pdf Description: HSS W/ SERIAL INTERFACE
Packaging: Bulk
на замовлення 155790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+245.62 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
SP12 SP12 Infineon Technologies SP12%20Product%20Brief.pdf Description: IC TIRE PRESSURE SENSOR PDSO-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPS3301XUMA1 XDPS3301XUMA1 Infineon Technologies Description: XDP SMPS TV/PC PG-DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FX167CI32F20FBBAXT Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 144TQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6 Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 13765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.09 грн
10+73.19 грн
100+48.75 грн
500+35.91 грн
1000+32.75 грн
2000+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224BPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 1200V 35A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4CC30UB Infineon Technologies IRG4CC30UB_9-27-07.pdf Description: IGBT CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4356XKWBGT CYW4356XKWBGT Infineon Technologies Infineon-CYW4356_CG8674_Single-Chip_5G_WiFi_IEEE_802.11ac_2x2_MAC_Baseband_Radio_with_Integrated_Bluetooth_5.0-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee4c6ad6bfa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaig Description: IC RF TXRX+MCU BLE 395WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 395-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -95dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.3V
Power - Output: 19.5dBm
Protocol: 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1
Supplier Device Package: 395-WLCSP (4.87x7.67)
GPIO: 16
Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, WiFi
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4339XKWBGT Infineon Technologies download Description: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 286XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 286-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -95.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz, 5GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.3V
Power - Output: 13dBm
Protocol: 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 110mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 340mA
Supplier Device Package: 286-WLCSP (4.87x5.41)
GPIO: 16
Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, WiFi
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SL6E6327 Infineon Technologies INFNS28176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: GENERAL PURPOSE SWITCH SPDT
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, WCDMA
Frequency Range: 100MHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: TSLP-6-4
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2251+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 2251
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12AL7-4E6327 Infineon Technologies INFNS13340-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XDFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.5dB
Frequency Range: 30MHz ~ 3GHz
Test Frequency: 2GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-4
Part Status: Active
на замовлення 39074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.00 грн
10+397.63 грн
100+291.25 грн
500+240.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+315.78 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.53 грн
10+404.74 грн
100+308.65 грн
500+285.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.33 грн
10+68.01 грн
100+45.26 грн
500+33.32 грн
1000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PX8143HDMG018XTMA1 Infineon Technologies Description: LED PX8143HDMG018XTMA1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED24427N01FXUMA1 2ED24427N01FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED24427N01F-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175c0b0b3833ee7 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-900
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 10A, 10A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC224TFTTOBO1 KITAURIXTC224TFTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-KIT_AURIX_TC224_TFT-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c85c5843a7f4c Description: EVAL TC224 TFT AURIX
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC224
Platform: AURIX
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19979.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B15BOSA1 Infineon-FS50R12KT4_B15-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a4955bbac00fc
FS50R12KT4B15BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12MT4B23BOSA1 Infineon-F3L300R12MT4_B23-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333b8a7ca0133f9d470e0434c
F3L300R12MT4B23BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20232.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 Infineon-FF11MR12W1M1_B70-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc74390178365dff877ca9
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
92-0263PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU60R600C6 INFNS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPU60R600C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6 INFN-S-A0001299750-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP60R600C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: 7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a501c81dd0f7e
BSZ009NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.03 грн
10+173.06 грн
25+154.52 грн
100+130.50 грн
250+116.01 грн
500+101.50 грн
1000+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1
BSZ010NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1
BSZ010NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.03 грн
10+144.83 грн
25+130.71 грн
100+106.41 грн
250+97.78 грн
500+92.19 грн
1000+85.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c02958e0092d
IPW65R115CFD7AXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.61 грн
30+233.25 грн
120+194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TUA6010XS tua_6010xs.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TUA6010XS
Виробник: Infineon Technologies
Description: VIDEO TUNER, 2-BAND
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+72.06 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IPB22N03S4L15ATMA1 IPx22N03S4L-15.pdf
IPB22N03S4L15ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+106.65 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPB22N03S4L-15 INFNS10907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB22N03S4L-15
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB22N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+102.45 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60E6422HTMA1 2156_Infineon_PD_185_14.pdf
BCW60E6422HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.05V @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22623EV2.1-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: ONE CHIP RATE ADAPTIVE TRANSCEIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2372.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SD315AINPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD315AI33NPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N22KOFHPSA1 Infineon-TZ310N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afb549e3ff5
TZ310N22KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2.2KV 700A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N26KOFHPSA1 Infineon-TZ310N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afb549e3ff5
TZ310N26KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2.6KV 700A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N20KOFHPSA1 TZ310N.pdf
TZ310N20KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2KV 700A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 9000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 445 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 700 A
Voltage - Off State: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N24KOFHPSA1 TZ310N.pdf
TZ310N24KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2.4KV 700A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ310N26KOGHPSA1
TZ310N26KOGHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2.6KV 700A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 9000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 445 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 700 A
Voltage - Off State: 2.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70SFI010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 8MBIT PARALLEL 56SSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-SOP (0.524", 13.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-SSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4115-7TRL INFN-S-A0002296895-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V,300V)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+206.39 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon-FF225R12ME4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015ab228341760f9
FF225R12ME4PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42694GXUMA2 Infineon-TLE42694-2EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f967f7863e53
TLE42694GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 70dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 8 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SAH-XC2288H-200F80LAB
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MMC - XC2200 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 1.6MB (1.6M x 8)
RAM Size: 138K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 24x10b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: DMA, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-13
Part Status: Active
Number of I/O: 118
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2288I-136F128LAA INFNS28076-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-XC2288I-136F128LAA
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MMC - XC2200 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 128MHz
Program Memory Size: 1.088MB (1.088M x 8)
RAM Size: 90K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 28x12b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FlexRay, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: DMA, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-13
Part Status: Active
Number of I/O: 118
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2288I136F128LAAKXUMA1 XC2288I_89I_v1.2_2012-06.pdf
XC2288I136F128LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 144LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e
BSP135IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.77 грн
2000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e
BSP135IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.27 грн
10+33.16 грн
100+21.38 грн
500+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704E6583HTSA1 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT1704E6583HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2981+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 2981
В кошику  од. на суму  грн.
TC275T64F200WDBKXUMA1
TC275T64F200WDBKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC275TP64F200WDBLXUMA1
TC275TP64F200WDBLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1 infineon-bsz146n10ls5-datasheet-en.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1a0a327fc
BSZ146N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED3124MX12HTOBO1 Infineon-EVAL-1ED3124Mx12H-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274f6cd4c0174f821fa040272
EVAL1ED3124MX12HTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 1ED3124MU12H
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 1ED3124MU12H, 1ED3124MC12H
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Driver with IGBT Power Module, 25A, 600V with 1-Phase Bridge
Embedded: Yes, MCU
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6640.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1625KV18-250BZXC Infineon-CY7C1625KV18_CY7C1612KV18_CY7C1614KV18_144-MBIT_QDR(R)_II_SRAM_TWO-WORD_BURST_ARCHITECTURE-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdd63830ca&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl
CY7C1625KV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 144Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 16M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7072.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1625KV18-250BZXI Infineon-CY7C1625KV18_CY7C1612KV18_CY7C1614KV18_144-MBIT_QDR(R)_II_SRAM_TWO-WORD_BURST_ARCHITECTURE-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdd63830ca&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_gl
CY7C1625KV18-250BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 144Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 16M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7090.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS52352GXUMA1 bts5235-2g.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS5235-2G - SMART HIGH-SIDE POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 50535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+182.09 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBFXUMA1 INFN-S-A0002952955-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS54040 - SPOC SPI POWER CONTRO
Packaging: Bulk
на замовлення 38316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+217.41 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54220LBBXUMA1 Infineon-BTS54220-LBA-DS-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: HSS W/ SERIAL INTERFACE
Packaging: Bulk
на замовлення 155790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+245.62 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
SP12 SP12%20Product%20Brief.pdf
SP12
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TIRE PRESSURE SENSOR PDSO-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPS3301XUMA1
XDPS3301XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XDP SMPS TV/PC PG-DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FX167CI32F20FBBAXT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 144TQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 13765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.09 грн
10+73.19 грн
100+48.75 грн
500+35.91 грн
1000+32.75 грн
2000+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 35A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4CC30UB IRG4CC30UB_9-27-07.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4356XKWBGT Infineon-CYW4356_CG8674_Single-Chip_5G_WiFi_IEEE_802.11ac_2x2_MAC_Baseband_Radio_with_Integrated_Bluetooth_5.0-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee4c6ad6bfa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaig
CYW4356XKWBGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 395WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 395-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -95dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.3V
Power - Output: 19.5dBm
Protocol: 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1
Supplier Device Package: 395-WLCSP (4.87x7.67)
GPIO: 16
Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, WiFi
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4339XKWBGT download
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 286XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 286-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -95.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz, 5GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.3V
Power - Output: 13dBm
Protocol: 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 110mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 340mA
Supplier Device Package: 286-WLCSP (4.87x5.41)
GPIO: 16
Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth, WiFi
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SL6E6327 INFNS28176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: GENERAL PURPOSE SWITCH SPDT
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, WCDMA
Frequency Range: 100MHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: TSLP-6-4
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2251+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 2251
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12AL7-4E6327 INFNS13340-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XDFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.5dB
Frequency Range: 30MHz ~ 3GHz
Test Frequency: 2GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-4
Part Status: Active
на замовлення 39074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1731+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
IPTG111N20NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
IPTG111N20NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.00 грн
10+397.63 грн
100+291.25 грн
500+240.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb
IPTG210N25NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+315.78 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon-IPTG210N25NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa52f0487dfb
IPTG210N25NM3FDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.53 грн
10+404.74 грн
100+308.65 грн
500+285.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1 Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a
ISC028N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N04NM5ATMA1 Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a
ISC028N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.33 грн
10+68.01 грн
100+45.26 грн
500+33.32 грн
1000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PX8143HDMG018XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LED PX8143HDMG018XTMA1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED24427N01FXUMA1 Infineon-2ED24427N01F-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175c0b0b3833ee7
2ED24427N01FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-900
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 10A, 10A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC224TFTTOBO1 Infineon-KIT_AURIX_TC224_TFT-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c85c5843a7f4c
KITAURIXTC224TFTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL TC224 TFT AURIX
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC224
Platform: AURIX
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19979.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]