Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124881) > Сторінка 735 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 730 731 732 733 734 735 736 737 738 739 740 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STK14C88-5L35M STK14C88-5L35M Infineon Technologies download Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 32PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STK14C88-3WF45 STK14C88-3WF45 Infineon Technologies STK14C88-3.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 32DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-PDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STK14C88C-1XWI Infineon Technologies Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 32CDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-CDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-CDIP
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 32K x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD10G200C5XKSA1 IDWD10G200C5XKSA1 Infineon Technologies IDWD10G200C5XKSA1.pdf Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2 kV
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD25G200C5XKSA1 IDWD25G200C5XKSA1 Infineon Technologies IDWD25G200C5XKSA1.pdf Description: DIODE SIC 2000V 77A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2850pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 77A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 2 kV
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1203.78 грн
30+722.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50G200C5XKSA1 IDWD50G200C5XKSA1 Infineon Technologies IDWD50G200C5XKSA1.pdf Description: DIODE SIC 2000V 140A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 5700pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 2 kV
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2046.43 грн
30+1286.06 грн
120+1248.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDYH10G200C5XKSA1 IDYH10G200C5XKSA1 Infineon Technologies Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO247U04
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: PG-TO247-U04
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2000 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.33 грн
30+524.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDYH50G200C5XKSA1 IDYH50G200C5XKSA1 Infineon Technologies Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2542.70 грн
30+1612.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8114PBF IRL8114PBF Infineon Technologies IRSD-S-A0000692125-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 15 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G18-55BVXI CY62157G18-55BVXI Infineon Technologies download Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54 Description: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.84 грн
10+368.18 грн
100+269.57 грн
500+246.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.00 грн
10+396.89 грн
100+291.87 грн
500+271.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-15VXC CY7C109B-15VXC Infineon Technologies CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-15ZC CY7C109B-15ZC Infineon Technologies CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Bag
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109BN-12ZXC CY7C109BN-12ZXC Infineon Technologies CY7C109BN%2CCY7C1009BN.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-15VC CY7C109B-15VC Infineon Technologies CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-20ZXC CY7C109B-20ZXC Infineon Technologies Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Bag
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-20ZC CY7C109B-20ZC Infineon Technologies CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Bag
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
cy7c109b-12vc cy7c109b-12vc Infineon Technologies CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF126BPMC-GSK5E2 MB9DF126BPMC-GSK5E2 Infineon Technologies Infineon-CY9DF126_-_Atlas_CY9DF126_Series-AdditionalTechnicalInformation-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ee7c30a4d1c54&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 128MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 208K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-R4
Data Converters: A/D 50x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LQFP (24x24)
Number of I/O: 141
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF126PMC-GSK5E2 MB9DF126PMC-GSK5E2 Infineon Technologies Infineon-CY9DF126_-_Atlas_CY9DF126_Series-AdditionalTechnicalInformation-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ee7c30a4d1c54&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 128MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 208K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-R4
Data Converters: A/D 50x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LQFP (24x24)
Number of I/O: 141
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9DF566MAEEQ-GTE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, FlexRay, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Number of I/O: 125
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92633BQXXUMA2 TLE92633BQXXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9263-3BQX-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016097f386a63984 Description: OPTIREG SYST BASIS CHIPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: System Basis Chip
Current - Supply: 3.5mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.93 грн
10+199.91 грн
25+183.77 грн
100+155.85 грн
250+147.92 грн
500+147.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM10GD120DN2E3224BPSA1 Infineon Technologies Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 80 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12KT4PBPSA2 Infineon Technologies Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12N3T4PB81BPSA1 Infineon Technologies Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 IGD03N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 IGD03N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+74.11 грн
100+49.68 грн
500+36.79 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10FHI030 S29GL01GT10FHI030 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4262GMXUMA2 TLE4262GMXUMA2 Infineon Technologies TLE4262GMXUMA1.pdf?t.download=true&amp;u=n9mhyd Description: OPTIREG LINEAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50241ELXUMA2 TLF50241ELXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLF50241EL-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2bb0641ee Description: IC REG BUCK 5V 500MA PGSSOP14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.25MHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-EP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 41736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38725A0000AUMA1 TDA38725A0000AUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA38740A_TDA38725A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe58f9e6a7c Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.12V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38725A0000AUMA1 TDA38725A0000AUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA38740A_TDA38725A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe58f9e6a7c Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.12V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38740A0000AUMA1 TDA38740A0000AUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA38740A_TDA38725A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe58f9e6a7c Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.12V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38740A0000AUMA1 TDA38740A0000AUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA38740A_TDA38725A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe58f9e6a7c Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.12V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.47 грн
10+261.60 грн
25+241.20 грн
100+205.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38640A0000AUMA1 TDA38640A0000AUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA38640A-0000-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190fe81a8fd00fc Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.04V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38640A0000AUMA1 TDA38640A0000AUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA38640A-0000-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190fe81a8fd00fc Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.04V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF12501AUMA1 TLF12501AUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLF12501-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810184118dac153d8b Description: IC GATE DRVR VIQFN36
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAMS12UP60A-2 IRAMS12UP60A-2 Infineon Technologies IRAMS12UP60A.pdf Description: POWER DRIVER 3 PHASE 600V MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 12 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1 ISC055N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1 ISC055N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.99 грн
10+248.82 грн
100+178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1314KV18-250BZXC CY7C1314KV18-250BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2359.41 грн
10+2016.41 грн
25+1922.68 грн
40+1760.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12N2T4BPSA1 Infineon Technologies InfineonFS100R12N2T4DSv0200EN.pdf Description: FS100R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9382.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFAG10 S25FL512SAGMFAG10 Infineon Technologies Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Qualification: AEC-Q100
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRUSTMV3SHIELDTOBO1 TRUSTMV3SHIELDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: TRUSTMV3SHIELDTOBO1
Packaging: Box
Function: Security
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: OPTIGA Trust E
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1808.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH30N67PR7XKSA1 IKWH30N67PR7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH30N67PR7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001933edc3c4d5e6a Description: IGBT TRENCH FS 670V 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns
Switching Energy: 450µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 9.8Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 179 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.64 грн
30+127.71 грн
120+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N67PR7XKSA1 IKWH40N67PR7XKSA1 Infineon Technologies IKWH40N67PR7XKSA1.pdf Description: IGBT TRENCH FS 670V 88A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/146ns
Switching Energy: 660µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 9.8Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.06 грн
30+138.78 грн
120+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+177.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 8976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.52 грн
10+307.30 грн
100+222.60 грн
500+196.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N15NM6AKSA1 IPP029N15NM6AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP029N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077531a58704f Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 197A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.07 грн
50+483.41 грн
100+412.20 грн
500+356.91 грн
1000+356.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1 IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1 IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1 IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB95R450PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb905600405 Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1 IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB95R450PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb905600405 Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.06 грн
10+166.48 грн
100+116.44 грн
500+89.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH36N04NM6ATMA1 IQFH36N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Description: IQFH36N04NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 656A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.36mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 309 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH36N04NM6ATMA1 IQFH36N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Description: IQFH36N04NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 656A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.36mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 309 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 20 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.67 грн
5+326.07 грн
10+312.31 грн
25+277.73 грн
50+267.21 грн
100+257.60 грн
500+234.32 грн
1000+227.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92623BQXV33XUMA2 TLE92623BQXV33XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE9262-3BQX%20V33-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160978ed9493954 Description: OPTIREG SYST BASIS CHIPS
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Current - Supply: 3.5mA
Applications: System Basis Chip
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STK14C88-5L35M download
STK14C88-5L35M
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 32PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STK14C88-3WF45 STK14C88-3.pdf
STK14C88-3WF45
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 32DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-PDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STK14C88C-1XWI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 32CDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-CDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-CDIP
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 32K x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD10G200C5XKSA1 IDWD10G200C5XKSA1.pdf
IDWD10G200C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2 kV
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+689.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD25G200C5XKSA1 IDWD25G200C5XKSA1.pdf
IDWD25G200C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 77A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2850pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 77A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 2 kV
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1203.78 грн
30+722.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50G200C5XKSA1 IDWD50G200C5XKSA1.pdf
IDWD50G200C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 140A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 5700pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 2 kV
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2046.43 грн
30+1286.06 грн
120+1248.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDYH10G200C5XKSA1
IDYH10G200C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO247U04
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: PG-TO247-U04
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2000 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+906.33 грн
30+524.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDYH50G200C5XKSA1
IDYH50G200C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2542.70 грн
30+1612.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8114PBF IRSD-S-A0000692125-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL8114PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 15 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
247+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157G18-55BVXI download
CY62157G18-55BVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54
IMT40R036M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54
IMT40R036M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+563.84 грн
10+368.18 грн
100+269.57 грн
500+246.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+605.00 грн
10+396.89 грн
100+291.87 грн
500+271.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-15VXC CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf
CY7C109B-15VXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-15ZC CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf
CY7C109B-15ZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Bag
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109BN-12ZXC CY7C109BN%2CCY7C1009BN.pdf
CY7C109BN-12ZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-15VC CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf
CY7C109B-15VC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-20ZXC
CY7C109B-20ZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Bag
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-20ZC CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf
CY7C109B-20ZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Bag
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
cy7c109b-12vc CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf
cy7c109b-12vc
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF126BPMC-GSK5E2 Infineon-CY9DF126_-_Atlas_CY9DF126_Series-AdditionalTechnicalInformation-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ee7c30a4d1c54&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
MB9DF126BPMC-GSK5E2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 128MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 208K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-R4
Data Converters: A/D 50x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LQFP (24x24)
Number of I/O: 141
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF126PMC-GSK5E2 Infineon-CY9DF126_-_Atlas_CY9DF126_Series-AdditionalTechnicalInformation-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ee7c30a4d1c54&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
MB9DF126PMC-GSK5E2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 176LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 128MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 208K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-R4
Data Converters: A/D 50x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LQFP (24x24)
Number of I/O: 141
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9DF566MAEEQ-GTE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, FlexRay, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Number of I/O: 125
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92633BQXXUMA2 Infineon-TLE9263-3BQX-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016097f386a63984
TLE92633BQXXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG SYST BASIS CHIPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: System Basis Chip
Current - Supply: 3.5mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.93 грн
10+199.91 грн
25+183.77 грн
100+155.85 грн
250+147.92 грн
500+147.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM10GD120DN2E3224BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 80 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12N3T7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12KT4PBPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12N3T4PB81BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d
IGD03N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d
IGD03N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.15 грн
10+74.11 грн
100+49.68 грн
500+36.79 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10FHI030 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL01GT10FHI030
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4262GMXUMA2 TLE4262GMXUMA1.pdf?t.download=true&amp;u=n9mhyd
TLE4262GMXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG LINEAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
290+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50241ELXUMA2 Infineon-TLF50241EL-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2bb0641ee
TLF50241ELXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 5V 500MA PGSSOP14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.25MHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-EP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 41736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38725A0000AUMA1 Infineon-TDA38740A_TDA38725A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe58f9e6a7c
TDA38725A0000AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.12V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38725A0000AUMA1 Infineon-TDA38740A_TDA38725A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe58f9e6a7c
TDA38725A0000AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.12V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38740A0000AUMA1 Infineon-TDA38740A_TDA38725A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe58f9e6a7c
TDA38740A0000AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.12V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38740A0000AUMA1 Infineon-TDA38740A_TDA38725A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe58f9e6a7c
TDA38740A0000AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.12V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+356.47 грн
10+261.60 грн
25+241.20 грн
100+205.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38640A0000AUMA1 Infineon-TDA38640A-0000-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190fe81a8fd00fc
TDA38640A0000AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.04V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38640A0000AUMA1 Infineon-TDA38640A-0000-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190fe81a8fd00fc
TDA38640A0000AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS IPOL TDA38640A, TDA38740
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 400kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-3
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.04V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF12501AUMA1 Infineon-TLF12501-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810184118dac153d8b
TLF12501AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR VIQFN36
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAMS12UP60A-2 IRAMS12UP60A.pdf
IRAMS12UP60A-2
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER DRIVER 3 PHASE 600V MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 12 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9
ISC055N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9
ISC055N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.99 грн
10+248.82 грн
100+178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1314KV18-250BZXC download
CY7C1314KV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2359.41 грн
10+2016.41 грн
25+1922.68 грн
40+1760.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12N2T4BPSA1 InfineonFS100R12N2T4DSv0200EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS100R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+9382.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFAG10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SAGMFAG10
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Qualification: AEC-Q100
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRUSTMV3SHIELDTOBO1 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
TRUSTMV3SHIELDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRUSTMV3SHIELDTOBO1
Packaging: Box
Function: Security
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: OPTIGA Trust E
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1808.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH30N67PR7XKSA1 Infineon-IKWH30N67PR7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001933edc3c4d5e6a
IKWH30N67PR7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 670V 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns
Switching Energy: 450µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 9.8Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 179 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.64 грн
30+127.71 грн
120+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH40N67PR7XKSA1 IKWH40N67PR7XKSA1.pdf
IKWH40N67PR7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 670V 88A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/146ns
Switching Energy: 660µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 9.8Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.06 грн
30+138.78 грн
120+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c
IPT025N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+177.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c
IPT025N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 8976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+474.52 грн
10+307.30 грн
100+222.60 грн
500+196.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N15NM6AKSA1 Infineon-IPP029N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077531a58704f
IPP029N15NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 197A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+629.07 грн
50+483.41 грн
100+412.20 грн
500+356.91 грн
1000+356.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046
IPF026N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046
IPF026N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon-IPB95R450PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb905600405
IPB95R450PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon-IPB95R450PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fbb905600405
IPB95R450PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.06 грн
10+166.48 грн
100+116.44 грн
500+89.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH36N04NM6ATMA1
IQFH36N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQFH36N04NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 656A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.36mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 309 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH36N04NM6ATMA1
IQFH36N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQFH36N04NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 656A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.36mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 309 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 20 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+376.67 грн
5+326.07 грн
10+312.31 грн
25+277.73 грн
50+267.21 грн
100+257.60 грн
500+234.32 грн
1000+227.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92623BQXV33XUMA2 Infineon-TLE9262-3BQX%20V33-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160978ed9493954
TLE92623BQXV33XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG SYST BASIS CHIPS
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Current - Supply: 3.5mA
Applications: System Basis Chip
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 730 731 732 733 734 735 736 737 738 739 740 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]