Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (129539) > Сторінка 2159 з 2159

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDW40E65D2FKSA1 IDW40E65D2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40E65D2FKSA1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO247-3; tube; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC035N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 1247A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 1247A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N04NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD023N04NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7454a3f0a90 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd7e72316e18 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7815pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7820-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7854pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7862pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Case: TO220
On-state resistance: 8.3mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 292A
Gate charge: 30nC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+148.71 грн
50+129.62 грн
100+123.69 грн
300+107.59 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L-08 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: DPAK
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
74+63.32 грн
100+53.80 грн
300+50.75 грн
500+50.15 грн
1000+44.56 грн
2000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4310z-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.37 грн
10+101.66 грн
27+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF7749L1TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V01A-G FM24V01A-G INFINEON TECHNOLOGIES FM24V01A-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; I2C; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 128kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 16kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V02A-G FM24V02A-G INFINEON TECHNOLOGIES FM24V02A-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V02A-GTR FM24V02A-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM24V02A-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V01A-GTR FM24V01A-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM24V01A-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; I2C; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 128kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 16kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128PBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ir2127-datasheet-en.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70802EPZXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7080-2EPZ-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016dfe5ac16211be Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-fz400r12ke4-datasheet-en.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 62MM; screw; 2.4kW
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 800A
Electrical mounting: screw
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12KE3GBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS25R12KE3G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43119f05374 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2B; Inverter; 145W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 145W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS225R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311f1b5390 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 325A; 1.15kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 450A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 325A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP25R12KT3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316c90543e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 155W
Technology: EconoPIM™ 2
Application: Inverter
Case: ECONO2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-idh08g65c5-datasheet-en.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R10W3S7B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS200R10W3S7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facd999cf408e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Application: Inverter
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R10W3S7B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F3L400R10W3S7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717e23fe8d2713 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 235A; Field Stop,Trench
Collector current: 235A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R10W3S7FB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F3L400R10W3S7F_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920172078a6a58799d Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 220A; Inverter
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 220A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L600R10W3S7B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L600R10W4S7FC22BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F3L600R10W4S7F_C22-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20182109c0e7675a6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS3L200R10W3S7F_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920172079cc70479ac Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; Inverter; Field Stop,Trench
Application: Inverter
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS3L200R10W3S7F_B94-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f891f5f5043c0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; Inverter; Field Stop,Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS3L400R10W3S7F_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183efdd85ab4609 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 200A; Inverter
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipn60r600pfd7s-datasheet-cn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 IPN70R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R1K0CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 15.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+151.45 грн
50+98.27 грн
100+92.34 грн
300+88.11 грн
500+78.79 грн
1000+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ikd06n60rc2-datasheet-cn.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 11.7A; 51.7W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 11.7A
Power dissipation: 51.7W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 18A
Gate charge: 31nC
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD430N22KOFHPSA1 TD430N22KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD430N22KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.78V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 430A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 14kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 800A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD430N22KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-tt430n-datasheet-en.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.78V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 430A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 14kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 800A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2452AM INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRS2452AM-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584ee4f1f00713 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D4810N22TVFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-D4810N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08cde54047 Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPLK70R900P7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017ce0bd2c1b2d5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R900P7S INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 700V; 6A; Idm: 12.8A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12.8A
Gate charge: 6.8nC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
93+63.32 грн
100+52.70 грн
300+48.63 грн
500+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1600U45X122XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-D1600U45X122-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fa5df802f3973 Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD16001200R17HP4B2BOSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD1600_1200R17HP4_B2-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e4ef1716b70 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 10.5kW
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 10.5kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD16001200R17HP4KB INFINEON TECHNOLOGIES Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5045-2EKA BTS5045-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5045-2EKA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25W256-G FM25W256-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25W256-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD215N22KOFTIMHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-tt215n-datasheet-de.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 215A; Ifsm: 7kA; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 215A
Max. forward impulse current: 7kA
Gate current: 200mA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD162N16KOFTIMHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-tt162n-datasheet-en.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 162A; Ufmax: 1.41V; Ifsm: 5.2kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 162A
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 150mA
Max. forward voltage: 1.41V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD520N22KOFTIMHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT520N22KOF-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d461464245d3014666905b5960e7 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 520A; Ifsm: 18kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 520A
Max. forward impulse current: 18kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD600N16KOFTIMHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-tt600n16kof-datasheet-de.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 600A; Ifsm: 21kA; Igt: 250mA; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Max. forward impulse current: 21kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD700N22KOFTIMHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT700N22KOF-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2db628f01c6 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 700A; Ifsm: 20.4kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 700A
Max. forward impulse current: 20.4kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD820N16KOFTIMHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT820N16KOF-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e4577001f3 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; Ufmax: 1.27V; 250mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.27V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF024N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF024N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f45eff876221 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB024N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b175891b01 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5E8197ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40E65D2FKSA1 IDW40E65D2FKSA1.pdf
IDW40E65D2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO247-3; tube; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG-DTE.pdf
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBF irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 1247A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 1247A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N04NF2SATMA1 Infineon-IPD023N04NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7454a3f0a90
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1 Infineon-ISZ0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd7e72316e18
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF irf7815pbf.pdf
IRF7815TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBF irf7854pbf.pdf
IRF7854TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF irf7862pbf.pdf
IRF7862TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5XKSA1 Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Case: TO220
On-state resistance: 8.3mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 292A
Gate charge: 30nC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+148.71 грн
50+129.62 грн
100+123.69 грн
300+107.59 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L-08
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: DPAK
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+63.32 грн
100+53.80 грн
300+50.75 грн
500+50.15 грн
1000+44.56 грн
2000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 infineon-irfp4310z-datasheet-en.pdf
IRFP4310ZPBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.37 грн
10+101.66 грн
27+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF.pdf
IRF7749L1TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LS-DTE.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSI-DTE.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V01A-G FM24V01A-DTE.pdf
FM24V01A-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; I2C; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 128kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 16kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V02A-G FM24V02A-DTE.pdf
FM24V02A-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V02A-GTR FM24V02A-DTE.pdf
FM24V02A-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V01A-GTR FM24V01A-DTE.pdf
FM24V01A-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; I2C; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 128kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 16kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128PBF infineon-ir2127-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70802EPZXUMA1 Infineon-BTS7080-2EPZ-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016dfe5ac16211be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE4HOSA1 infineon-fz400r12ke4-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 62MM; screw; 2.4kW
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 800A
Electrical mounting: screw
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12KE3GBPSA1 Infineon-FS25R12KE3G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43119f05374
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2B; Inverter; 145W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 145W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R12KE3BOSA1 Infineon-FS225R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311f1b5390
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 325A; 1.15kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 450A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 325A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT3BPSA1 Infineon-FP25R12KT3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316c90543e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 155W
Technology: EconoPIM™ 2
Application: Inverter
Case: ECONO2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5XKSA2 infineon-idh08g65c5-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R10W3S7B11BPSA1 Infineon-FS200R10W3S7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facd999cf408e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Application: Inverter
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R10W3S7B11BPSA1 Infineon-F3L400R10W3S7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717e23fe8d2713
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 235A; Field Stop,Trench
Collector current: 235A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R10W3S7FB11BPSA1 Infineon-F3L400R10W3S7F_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920172078a6a58799d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 220A; Inverter
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 220A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L600R10W3S7B11BPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L600R10W4S7FC22BPSA1 Infineon-F3L600R10W4S7F_C22-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20182109c0e7675a6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 Infineon-FS3L200R10W3S7F_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920172079cc70479ac
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; Inverter; Field Stop,Trench
Application: Inverter
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 Infineon-FS3L200R10W3S7F_B94-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f891f5f5043c0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; Inverter; Field Stop,Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 Infineon-FS3L400R10W3S7F_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183efdd85ab4609
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 200A; Inverter
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1 infineon-ipn60r600pfd7s-datasheet-cn.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 IPN70R1K0CE.pdf
IPN70R1K0CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 15.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+151.45 грн
50+98.27 грн
100+92.34 грн
300+88.11 грн
500+78.79 грн
1000+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 infineon-ikd06n60rc2-datasheet-cn.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 11.7A; 51.7W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 11.7A
Power dissipation: 51.7W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 18A
Gate charge: 31nC
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD430N22KOFHPSA1 TD430N22KOF.pdf
TD430N22KOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.78V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 430A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 14kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 800A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD430N22KOFHPSA2 infineon-tt430n-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.78V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 430A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 14kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 800A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2452AM Infineon-IRS2452AM-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584ee4f1f00713
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D4810N22TVFXPSA1 Infineon-D4810N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08cde54047
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1 Infineon-IPLK70R900P7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017ce0bd2c1b2d5f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R900P7S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 700V; 6A; Idm: 12.8A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12.8A
Gate charge: 6.8nC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+63.32 грн
100+52.70 грн
300+48.63 грн
500+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1600U45X122XPSA1 Infineon-D1600U45X122-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fa5df802f3973
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Infineon-FD1600_1200R17HP4_B2-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e4ef1716b70
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 10.5kW
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 10.5kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD16001200R17HP4KB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5045-2EKA BTS5045-2EKA.pdf
BTS5045-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25W256-G FM25W256-G.pdf
FM25W256-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD215N22KOFTIMHPSA1 infineon-tt215n-datasheet-de.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 215A; Ifsm: 7kA; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 215A
Max. forward impulse current: 7kA
Gate current: 200mA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD162N16KOFTIMHPSA2 infineon-tt162n-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 162A; Ufmax: 1.41V; Ifsm: 5.2kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 162A
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 150mA
Max. forward voltage: 1.41V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD520N22KOFTIMHPSA1 Infineon-TT520N22KOF-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d461464245d3014666905b5960e7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 520A; Ifsm: 18kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 520A
Max. forward impulse current: 18kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD600N16KOFTIMHPSA1 infineon-tt600n16kof-datasheet-de.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 600A; Ifsm: 21kA; Igt: 250mA; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Max. forward impulse current: 21kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD700N22KOFTIMHPSA1 Infineon-TT700N22KOF-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2db628f01c6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 700A; Ifsm: 20.4kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 700A
Max. forward impulse current: 20.4kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD820N16KOFTIMHPSA1 Infineon-TT820N16KOF-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e4577001f3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; Ufmax: 1.27V; 250mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.27V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF024N10NF2SATMA1 Infineon-IPF024N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f45eff876221
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08NF2SATMA1 Infineon-IPB024N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b175891b01
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5E8197ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.