Результат пошуку "irf78" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF
Код товару: 30646 		irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 54 шт
1+26.5 грн
IRF7805ATRPBF IRF7805ATRPBF Infineon Technologies irf7805pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+9.49 грн
62+ 9.34 грн
63+ 9.18 грн
100+ 8.71 грн
250+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 61
IRF7805ATRPBF IRF7805ATRPBF Infineon Technologies irf7805pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7805TRPBF IRF7805TRPBF International Rectifier IRSDS10170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 607
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF INFINEON 107873.pdf Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.56 грн
12+ 63.49 грн
100+ 45.68 грн
500+ 35.89 грн
1000+ 24.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF INFINEON 107873.pdf Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.68 грн
500+ 35.89 грн
1000+ 24.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies irf7805z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+44.06 грн
295+ 39.68 грн
306+ 38.23 грн
500+ 35.18 грн
1000+ 31.09 грн
4000+ 27.18 грн
8000+ 27.1 грн
Мінімальне замовлення: 265
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies irf7805z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+63.32 грн
187+ 62.65 грн
240+ 48.68 грн
250+ 46.47 грн
500+ 36.16 грн
1000+ 24.01 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies irf7805z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.12 грн
10+ 58.79 грн
25+ 58.18 грн
100+ 43.59 грн
250+ 39.95 грн
500+ 32.24 грн
1000+ 22.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7805ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7805z.pdf Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7805ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies TRENCH <= 40V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7807TR International Rectifier IRF7807%28A%29.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7807TRPBF International Rectifier/Infineon irf7807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560823871cd7 N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,3; Rds = 25 мО; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+104.01 грн
10+ 62.4 грн
100+ 31.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7807VD2TRPBF IRF7807VD2TRPBF Infineon Technologies irf7807vd2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7807VD2TRPBF IRF7807VD2TRPBF Infineon Technologies irf7807vd2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+8.99 грн
66+ 8.84 грн
67+ 8.7 грн
100+ 8.26 грн
250+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 65
IRF7807ZTR International Rectifier IRF7807Z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7807ZTRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irf7807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608622e1ce8 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608622e1ce8 Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.74 грн
10+ 43.79 грн
100+ 30.3 грн
500+ 23.76 грн
1000+ 20.22 грн
2000+ 18.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF Infineon Technologies irf7807z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON 107876.pdf Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON 107876.pdf Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7809AVTRPBF IRF7809AVTRPBF Infineon Technologies irf7809avpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560871781cec description Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7811AVPBF International Rectifier/Infineon irf7811avpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560898001cf6 description P-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
32+19.91 грн
34+ 18.58 грн
100+ 17.25 грн
Мінімальне замовлення: 32
IRF7811AVTR-VB VBsemi Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7811AVTR-VB VBsemi N-MOSFET HEXFET 10.8A 30V 2.5W 0.014Ω IRF7811AV TIRF7811av
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.6 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.99 грн
8000+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+39.75 грн
8000+ 37.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF INFINEON 657104.pdf Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.43 грн
500+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+88.12 грн
146+ 80.34 грн
179+ 65.36 грн
200+ 58.9 грн
500+ 54.36 грн
1000+ 46.35 грн
2000+ 43.27 грн
4000+ 42.19 грн
8000+ 42.11 грн
Мінімальне замовлення: 133
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF INFINEON 657104.pdf Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.73 грн
10+ 78.34 грн
100+ 57.43 грн
500+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Infineon Technologies irf7815pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608b8891cfe Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
на замовлення 5285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.24 грн
10+ 68.01 грн
100+ 52.88 грн
500+ 42.06 грн
1000+ 34.26 грн
2000+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7820TR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.51 грн
8000+ 41.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies irf7820pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608c10e1d00 Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+71.2 грн
172+ 67.89 грн
193+ 60.6 грн
201+ 56.18 грн
500+ 51.93 грн
1000+ 46.44 грн
2000+ 44.44 грн
4000+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 164
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
на замовлення 25358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.47 грн
10+ 90.17 грн
100+ 67.18 грн
500+ 52.91 грн
1000+ 42.45 грн
5000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies irf7820pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608c10e1d00 Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.64 грн
10+ 76.59 грн
100+ 59.58 грн
500+ 47.4 грн
1000+ 38.61 грн
2000+ 36.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+39.57 грн
8000+ 38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF INFINEON 1670912.pdf Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
на замовлення 25358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.18 грн
500+ 52.91 грн
1000+ 42.45 грн
5000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Infineon Technologies irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.23 грн
8000+ 25.89 грн
12000+ 24.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+63.42 грн
217+ 53.99 грн
253+ 46.2 грн
267+ 42.21 грн
500+ 36.56 грн
1000+ 33.01 грн
4000+ 29.01 грн
8000+ 28.93 грн
16000+ 27.18 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.18 грн
10+ 57.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Infineon Technologies irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 14423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.42 грн
10+ 53.74 грн
100+ 41.82 грн
500+ 33.26 грн
1000+ 27.1 грн
2000+ 25.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7821TRPBF INFINEON IRSDS10300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.31 грн
500+ 35.69 грн
1000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7821TRPBF INFINEON IRSDS10300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.56 грн
12+ 62.97 грн
100+ 45.31 грн
500+ 35.69 грн
1000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON 3980135.pdf Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.9 грн
500+ 36.17 грн
1000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON 3980135.pdf Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+82.78 грн
12+ 63.78 грн
100+ 45.9 грн
500+ 36.17 грн
1000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7821TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.42 грн
10+ 53.74 грн
100+ 41.82 грн
500+ 33.26 грн
1000+ 27.1 грн
2000+ 25.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7821TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.5 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7831TRPBF International Rectifier/Infineon irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 description N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 21 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15; Qg, нКл = 60 @ 4,5 В; Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 109.51 грн
100+ 101.68 грн
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF INFINEON 196835.pdf description Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.48 грн
50+ 52.7 грн
250+ 44.94 грн
1000+ 33.01 грн
2000+ 29.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+85.88 грн
10+ 65.75 грн
25+ 60.26 грн
100+ 52.22 грн
250+ 46.79 грн
500+ 40.12 грн
1000+ 28.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF Infineon Technologies irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 description Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.47 грн
8000+ 30.7 грн
12000+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF
Код товару: 30646		 description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 54 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26.5 грн
IRF7805ATRPBF irf7805pbf.pdf
IRF7805ATRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+9.49 грн
62+ 9.34 грн
63+ 9.18 грн
100+ 8.71 грн
250+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 61
IRF7805ATRPBF irf7805pbf.pdf
IRF7805ATRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7805TRPBF description IRSDS10170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7805TRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
607+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 607
IRF7805ZTRPBF 107873.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.56 грн
12+ 63.49 грн
100+ 45.68 грн
500+ 35.89 грн
1000+ 24.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7805ZTRPBF 107873.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.68 грн
500+ 35.89 грн
1000+ 24.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7805ZTRPBF irf7805z.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
265+44.06 грн
295+ 39.68 грн
306+ 38.23 грн
500+ 35.18 грн
1000+ 31.09 грн
4000+ 27.18 грн
8000+ 27.1 грн
Мінімальне замовлення: 265
IRF7805ZTRPBF irf7805z.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
185+63.32 грн
187+ 62.65 грн
240+ 48.68 грн
250+ 46.47 грн
500+ 36.16 грн
1000+ 24.01 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRF7805ZTRPBF irf7805z.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+71.12 грн
10+ 58.79 грн
25+ 58.18 грн
100+ 43.59 грн
250+ 39.95 грн
500+ 32.24 грн
1000+ 22.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7805ZTRPBFXTMA1 irf7805z.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7805ZTRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
TRENCH <= 40V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7807TR IRF7807%28A%29.pdf
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7807TRPBF irf7807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560823871cd7
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,3; Rds = 25 мО; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.01 грн
10+ 62.4 грн
100+ 31.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7807VD2TRPBF irf7807vd2.pdf
IRF7807VD2TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7807VD2TRPBF irf7807vd2.pdf
IRF7807VD2TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+8.99 грн
66+ 8.84 грн
67+ 8.7 грн
100+ 8.26 грн
250+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 65
IRF7807ZTR IRF7807Z.pdf
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7807ZTRPBF irf7807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608622e1ce8
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7807ZTRPBF irf7807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608622e1ce8
IRF7807ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.74 грн
10+ 43.79 грн
100+ 30.3 грн
500+ 23.76 грн
1000+ 20.22 грн
2000+ 18.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7807ZTRPBF irf7807z.pdf
IRF7807ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7807ZTRPBF 107876.pdf
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7807ZTRPBF 107876.pdf
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7809AVTRPBF description irf7809avpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560871781cec
IRF7809AVTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7811AVPBF description irf7811avpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560898001cf6
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+19.91 грн
34+ 18.58 грн
100+ 17.25 грн
Мінімальне замовлення: 32
IRF7811AVTR-VB
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7811AVTR-VB
Виробник: VBsemi
N-MOSFET HEXFET 10.8A 30V 2.5W 0.014Ω IRF7811AV TIRF7811av
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+23.6 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7815TRPBF infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7815TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+36.99 грн
8000+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7815TRPBF infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7815TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+39.75 грн
8000+ 37.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7815TRPBF 657104.pdf
IRF7815TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.43 грн
500+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7815TRPBF infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7815TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7815TRPBF infineon-irf7815-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7815TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
133+88.12 грн
146+ 80.34 грн
179+ 65.36 грн
200+ 58.9 грн
500+ 54.36 грн
1000+ 46.35 грн
2000+ 43.27 грн
4000+ 42.19 грн
8000+ 42.11 грн
Мінімальне замовлення: 133
IRF7815TRPBF 657104.pdf
IRF7815TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.73 грн
10+ 78.34 грн
100+ 57.43 грн
500+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7815TRPBF irf7815pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608b8891cfe
IRF7815TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
на замовлення 5285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.24 грн
10+ 68.01 грн
100+ 52.88 грн
500+ 42.06 грн
1000+ 34.26 грн
2000+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7820TR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+42.51 грн
8000+ 41.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7820TRPBF irf7820pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608c10e1d00
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
164+71.2 грн
172+ 67.89 грн
193+ 60.6 грн
201+ 56.18 грн
500+ 51.93 грн
1000+ 46.44 грн
2000+ 44.44 грн
4000+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 164
IRF7820TRPBF 1670912.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
на замовлення 25358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.47 грн
10+ 90.17 грн
100+ 67.18 грн
500+ 52.91 грн
1000+ 42.45 грн
5000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7820TRPBF irf7820pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608c10e1d00
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.64 грн
10+ 76.59 грн
100+ 59.58 грн
500+ 47.4 грн
1000+ 38.61 грн
2000+ 36.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+39.57 грн
8000+ 38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7820TRPBF 1670912.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
на замовлення 25358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+67.18 грн
500+ 52.91 грн
1000+ 42.45 грн
5000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7821TRPBF irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06
IRF7821TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.23 грн
8000+ 25.89 грн
12000+ 24.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBF infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7821TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
185+63.42 грн
217+ 53.99 грн
253+ 46.2 грн
267+ 42.21 грн
500+ 36.56 грн
1000+ 33.01 грн
4000+ 29.01 грн
8000+ 28.93 грн
16000+ 27.18 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRF7821TRPBF infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7821TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.18 грн
10+ 57.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7821TRPBF infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7821TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBF irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06
IRF7821TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 14423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.42 грн
10+ 53.74 грн
100+ 41.82 грн
500+ 33.26 грн
1000+ 27.1 грн
2000+ 25.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7821TRPBF IRSDS10300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.31 грн
500+ 35.69 грн
1000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7821TRPBF IRSDS10300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.56 грн
12+ 62.97 грн
100+ 45.31 грн
500+ 35.69 грн
1000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7821TRPBF infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7821TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBFXTMA1 3980135.pdf
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.9 грн
500+ 36.17 грн
1000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7821TRPBFXTMA1 3980135.pdf
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+82.78 грн
12+ 63.78 грн
100+ 45.9 грн
500+ 36.17 грн
1000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7821TRPBFXTMA1 infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBFXTMA1 irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.42 грн
10+ 53.74 грн
100+ 41.82 грн
500+ 33.26 грн
1000+ 27.1 грн
2000+ 25.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7821TRPBFXTMA1 infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7821TRPBFXTMA1 infineon-irf7821-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.5 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7831TRPBF description irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 21 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15; Qg, нКл = 60 @ 4,5 В; Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 109.51 грн
100+ 101.68 грн
IRF7831TRPBF description 196835.pdf
IRF7831TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+69.48 грн
50+ 52.7 грн
250+ 44.94 грн
1000+ 33.01 грн
2000+ 29.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7831TRPBF description infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7831TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7831TRPBF description infineon-irf7831-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7831TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+85.88 грн
10+ 65.75 грн
25+ 60.26 грн
100+ 52.22 грн
250+ 46.79 грн
500+ 40.12 грн
1000+ 28.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7831TRPBF description irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10
IRF7831TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.47 грн
8000+ 30.7 грн
12000+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]