Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2028USS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.69 грн
6000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.27 грн
100+14.21 грн
500+10.04 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 110032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.02 грн
100+17.37 грн
500+12.36 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1171 @ 10, Qg, нКл = 18,6 @ 8 В, Rds = 25 мОм @ 6,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Dual N-Ch ENH 20V 25mOhm 4.5V 5.8A
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.43 грн
5000+9.16 грн
7500+8.71 грн
12500+7.70 грн
17500+7.42 грн
25000+7.15 грн
62500+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.82 грн
20000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.72 грн
6000+7.12 грн
9000+6.41 грн
30000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2030UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1111-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2030UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.3A 4DSN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 523pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 160µA
Supplier Device Package: X4-DSN1111-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.45W
Case: X2-WLB1616-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.10 грн
25+36.08 грн
50+29.75 грн
100+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.42 грн
100+19.55 грн
500+13.97 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.66 грн
5000+9.84 грн
7500+9.80 грн
12500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.89W
Gate charge: 5.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
13+33.80 грн
100+19.46 грн
500+13.92 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 18891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.98 грн
100+13.28 грн
500+9.34 грн
1000+8.33 грн
2000+7.48 грн
5000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.91 грн
100+10.65 грн
500+7.46 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+20.83 грн
100+10.51 грн
500+8.74 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
6000+6.34 грн
9000+5.62 грн
30000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.68 грн
100+10.51 грн
500+7.36 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 14830 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.63A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.34 грн
5000+10.88 грн
7500+10.37 грн
12500+9.19 грн
17500+8.87 грн
25000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.65 грн
5000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 166243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.40 грн
100+20.28 грн
500+14.53 грн
1000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.92A; Idm: 30A; 1.16W; SO8
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.92A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.16W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.65 грн
5000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.46 грн
100+15.64 грн
500+11.09 грн
1000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 7908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.08 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.18W
Case: U-WLB1010-4
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
13+32.29 грн
100+20.88 грн
500+15.93 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1137190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.57 грн
100+22.43 грн
500+16.13 грн
1000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.45 грн
6000+11.91 грн
9000+11.37 грн
15000+10.11 грн
21000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]