Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2028UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.32 грн
36+22.47 грн
100+11.60 грн
500+10.25 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.44 грн
6000+7.80 грн
9000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.60 грн
500+10.25 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
13+25.64 грн
100+11.25 грн
500+11.05 грн
1000+10.01 грн
3000+7.46 грн
6000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 14253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+24.46 грн
100+12.29 грн
500+11.27 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3030-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+26.55 грн
100+16.99 грн
500+12.09 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDH-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDH-7Diodes IncorporatedMOSFETs DUAL N-CH MOSFET 20V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+28.98 грн
100+16.15 грн
500+12.29 грн
1000+11.05 грн
3000+8.28 грн
6000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3030-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.95 грн
6000+8.76 грн
9000+8.34 грн
15000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDH-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.71 грн
6000+10.32 грн
9000+9.83 грн
15000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.10 грн
27+30.69 грн
100+21.10 грн
500+15.33 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
12+27.39 грн
100+16.36 грн
500+12.84 грн
1000+11.53 грн
3000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 17473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+29.99 грн
100+19.29 грн
500+13.76 грн
1000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.10 грн
500+15.33 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13DiodesMOSFET N-CH 20V 7.3A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
12+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 23375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
18+17.20 грн
100+16.45 грн
500+14.36 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.58 грн
50+25.53 грн
100+24.97 грн
500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
18+18.10 грн
100+15.05 грн
500+13.25 грн
1000+12.43 грн
2500+11.39 грн
5000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.96 грн
5000+12.42 грн
7500+11.89 грн
12500+10.56 грн
17500+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.97 грн
500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
6000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.54 грн
14+23.18 грн
100+11.87 грн
500+9.80 грн
1000+8.70 грн
3000+7.04 грн
6000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+22.06 грн
100+14.07 грн
500+9.95 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.33 грн
5000+9.08 грн
7500+8.63 грн
12500+7.63 грн
17500+7.36 грн
25000+7.09 грн
62500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.67 грн
29+28.43 грн
100+17.64 грн
500+12.79 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 110032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+26.77 грн
100+17.21 грн
500+12.25 грн
1000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1171 @ 10, Qg, нКл = 18,6 @ 8 В, Rds = 25 мОм @ 6,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.64 грн
500+12.79 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Dual N-Ch ENH 20V 25mOhm 4.5V 5.8A
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.39 грн
12+28.34 грн
100+15.88 грн
500+12.01 грн
1000+10.56 грн
2500+8.97 грн
5000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.75 грн
20000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
14+23.02 грн
100+13.12 грн
500+9.60 грн
1000+8.56 грн
3000+6.49 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
6000+7.06 грн
9000+6.35 грн
30000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2030UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1111-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2030UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.3A 4DSN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 523pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 160µA
Supplier Device Package: X4-DSN1111-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
на замовлення 41726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+38.96 грн
100+25.29 грн
500+18.23 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.45W
Case: X2-WLB1616-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+41.52 грн
100+23.47 грн
500+18.02 грн
1000+16.29 грн
3000+14.01 грн
6000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.70 грн
6000+13.91 грн
9000+13.29 грн
15000+11.82 грн
21000+11.44 грн
30000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.03 грн
29+27.87 грн
100+22.79 грн
500+16.68 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.14 грн
100+19.37 грн
500+13.84 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.79 грн
500+16.68 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.56 грн
5000+9.75 грн
7500+9.71 грн
12500+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
11+30.80 грн
100+17.53 грн
500+13.32 грн
1000+11.87 грн
2500+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.92 грн
1000+4.42 грн
5000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 18891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.07 грн
18+17.78 грн
100+9.73 грн
500+7.32 грн
1000+5.73 грн
5000+4.90 грн
10000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 297101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
23+13.39 грн
100+6.04 грн
500+5.61 грн
1000+4.49 грн
2000+4.37 грн
5000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.31 грн
53+15.38 грн
117+6.92 грн
500+5.92 грн
1000+4.42 грн
5000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.53 грн
20000+4.29 грн
30000+4.10 грн
50000+3.81 грн
70000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
16+20.01 грн
100+7.80 грн
1000+6.08 грн
3000+4.76 грн
9000+4.14 грн
24000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.24 грн
500+8.53 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
18+16.75 грн
100+10.55 грн
500+7.39 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.49 грн
42+19.41 грн
100+12.24 грн
500+8.53 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.54 грн
16+21.12 грн
100+11.39 грн
1000+5.94 грн
3000+5.25 грн
9000+4.49 грн
24000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
15+20.64 грн
100+10.41 грн
500+8.66 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+6.29 грн
9000+5.57 грн
30000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.53 грн
500+8.53 грн
1000+6.12 грн
3000+4.98 грн
6000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 14830 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
8+43.65 грн
11+29.37 грн
100+13.39 грн
500+8.42 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.54 грн
34+24.08 грн
100+13.53 грн
500+8.53 грн
1000+6.12 грн
3000+4.98 грн
6000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
19+16.53 грн
100+10.42 грн
500+7.29 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.69 грн
5000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.89 грн
22+37.85 грн
100+24.48 грн
500+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+35.88 грн
100+20.16 грн
500+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.23 грн
5000+10.78 грн
7500+10.27 грн
12500+9.11 грн
17500+8.79 грн
25000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.92A; Idm: 30A; 1.16W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.92A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.16W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.69 грн
5000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]