Продукція > FCP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCP600N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Zonsemi / FairchildMOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ONS/FAIIGBT, N-ch, 7A, 600V, TO-220 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.84 грн
10+115.50 грн
100+108.89 грн
500+93.40 грн
1000+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60
Код товару: 208584
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.85 грн
10+151.11 грн
50+116.80 грн
100+99.22 грн
500+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.99 грн
100+106.85 грн
800+77.64 грн
1600+72.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZonsemiMOSFETs 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 33480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+125.42 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60Nonsemi / FairchildMOSFET SupreMOS 9A
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60N-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60N-F102onsemi / FairchildMOSFET FCP9N60N, in TO220 F102 T/F option
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9PP-1323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X32 SPLITTER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-1083GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X8 SPLITTER;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-1323GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 1x32 splitter; single splice input; 32 SC-APC outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-1323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X32 SPLITTER
Packaging: Bulk
Connector Type: SC
Type: Patch Panel, Fiber
Number of Rows: 1
Number of Positions: 32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2083GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x8 splitter; dual splice inputs; 8 SC-APC outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2083GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X8 SPLITTER;
Number of Positions: 8
Number of Rows: 1
Type: Patch Panel, Fiber
Connector Type: SC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2163GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x16 splitter; dual splice inputs; 16 SC-APC outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2163GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X16 SPLITTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2323GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x32 splitter; dual splice inputs; 32 SC-APC outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X32 SPLITTER
Packaging: Bulk
Connector Type: SC
Type: Patch Panel, Fiber
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Number of Positions: 32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPAPER1HellermannTytonDescription: 1 MICRON POLISHING PAPER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPAPER5HellermannTytonDescription: POLISHING FILM
Part Status: Obsolete
Applications: Fiber Optic Connector Polishing
Type: Polishing Film
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPAPERSMHellermannTytonDescription: 1MICRON DIAMOND POLISH PPR SING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPBBK1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
Number of Cells: 1
Part Status: Active
Charge Current - Max: 2.4A
Voltage - Nominal: 5V, 9V, 12V
Charge Time: 3.5 Hrs
Power - Max: 18W
Termination Style: USB A Receptacle, USB C Receptacle
Type: Wireless Charger
Voltage - Input: 5V
Mounting Type: Desktop
Size / Dimension: 5.67" L x 2.83" W x 1.30" H (144.00mm x 72.00mm x 33.00mm)
Features: LED Indicator, USB Pluggable
Packaging: Box
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7837.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPBNA1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
Number of Cells: 1
Part Status: Active
Charge Current - Max: 2.4A
Voltage - Nominal: 5V, 9V, 12V
Charge Time: 3.5 Hrs
Power - Max: 18W
Termination Style: USB A Receptacle, USB C Receptacle
Type: Wireless Charger
Voltage - Input: 5V
Mounting Type: Desktop
Size / Dimension: 5.67" L x 2.83" W x 1.30" H (144.00mm x 72.00mm x 33.00mm)
Features: LED Indicator, USB Pluggable
Packaging: Box
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7837.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPBYE1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPEUS0A201GlobalscaleDescription: ESPRESSObin Ultra
Speed: 1.2GHz
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
RAM Capacity/Installed: 1GB/-
Number of Cores: 2
Storage Interface: eMMC
Watchdog Timer: No
USB: USB 2.0 (1), USB 3.0 (1), USB Micro (1)
Ethernet: GbE (4)
Expansion Site/Bus: M.2, Mini-PCIe, PCIe, SIM, Wi-Fi, UART
Core Processor: ARMADA, ARM® Cortex®-A35 Dual
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9405.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.00 грн
10+369.17 грн
50+295.72 грн
100+255.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 46W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ONS/FAIMOSFET N-CH 650V 44A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+305.26 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V
на замовлення 211115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.61 грн
10+295.20 грн
50+234.29 грн
100+201.49 грн
500+173.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3
Код товару: 142690
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+246.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
на замовлення 11108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON-SemiconductorN-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+122.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
10+195.34 грн
50+152.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ONS/FAI650В; 11А; TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60onsemiMOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+159.25 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60
Код товару: 166014
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
500+175.62 грн
1000+165.01 грн
10000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60/FSCFSC08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FonsemiMOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SJ-MOSFET
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.95 грн
10+176.12 грн
50+155.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.91 грн
10+213.98 грн
50+167.64 грн
100+143.32 грн
500+118.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NTFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
500+206.26 грн
1000+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NTFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
500+206.26 грн
1000+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+178.42 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NTFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
500+206.26 грн
1000+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NTonsemiMOSFETs SupreMOS 11A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60TONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SJ-MOSFET
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60TonsemiMOSFETs SUPERFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60TonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
10+217.53 грн
50+170.08 грн
100+145.31 грн
500+120.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60_Gonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N65ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3-PIN(3+TAB) TO-220F RAIL
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N65ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3-PIN(3+TAB) TO-220F RAIL
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N65onsemi / FairchildMOSFETs FG SUPERFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N65ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF11N65 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N65Fairchild SemiconductorDescription: TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+132.69 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N65_GonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.37 грн
10+263.50 грн
50+208.21 грн
100+178.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+362.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.