Продукція > FCP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCP400N80ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; Idm: 33A; 195W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP4N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chl MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+106.10 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600-48GBel Power SolutionsDescription: AC/DC CONVERTER 48V 3.35V 600W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60Zonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60ZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCP600N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
50+134.43 грн
100+110.61 грн
500+87.83 грн
1000+74.53 грн
2000+70.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.41 грн
10+131.33 грн
100+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.54 грн
10+153.63 грн
100+106.48 грн
500+80.01 грн
1000+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N65S3R0ON Semiconductor
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.91 грн
10+188.58 грн
100+163.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Zonsemi / FairchildMOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60FSC07+ QFP-80
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.84 грн
10+115.50 грн
100+108.89 грн
500+93.40 грн
1000+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Pulsed drain current: 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60
Код товару: 208584
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.79 грн
10+216.22 грн
100+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60ONS/FAIIGBT, N-ch, 7A, 600V, TO-220 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+563.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
50+118.49 грн
100+107.18 грн
500+81.99 грн
1000+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.99 грн
100+106.85 грн
800+77.64 грн
1600+72.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZonsemiMOSFETs 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON Semiconductor
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 33480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+126.37 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60Nonsemi / FairchildMOSFET SupreMOS 9A
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60Nfairchild2011+
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60N-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9N60N-F102onsemi / FairchildMOSFET FCP9N60N, in TO220 F102 T/F option
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9PP-1323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X32 SPLITTER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-1083GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X8 SPLITTER;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-1323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X32 SPLITTER
Packaging: Bulk
Connector Type: SC
Type: Patch Panel, Fiber
Number of Rows: 1
Number of Positions: 32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-1323GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 1x32 splitter; single splice input; 32 SC-APC outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2083GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X8 SPLITTER;
Number of Positions: 8
Number of Rows: 1
Type: Patch Panel, Fiber
Connector Type: SC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2083GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x8 splitter; dual splice inputs; 8 SC-APC outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2163GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X16 SPLITTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2163GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x16 splitter; dual splice inputs; 16 SC-APC outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X32 SPLITTER
Packaging: Bulk
Connector Type: SC
Type: Patch Panel, Fiber
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Number of Positions: 32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP9SP-2323GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x32 splitter; dual splice inputs; 32 SC-APC outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPAPER1HellermannTytonDescription: 1 MICRON POLISHING PAPER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPAPER5HellermannTytonDescription: POLISHING FILM
Part Status: Obsolete
Applications: Fiber Optic Connector Polishing
Type: Polishing Film
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPAPERSMHellermannTytonDescription: 1MICRON DIAMOND POLISH PPR SING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPBBK1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
Number of Cells: 1
Part Status: Active
Charge Current - Max: 2.4A
Voltage - Nominal: 5V, 9V, 12V
Charge Time: 3.5 Hrs
Power - Max: 18W
Termination Style: USB A Receptacle, USB C Receptacle
Type: Wireless Charger
Voltage - Input: 5V
Mounting Type: Desktop
Size / Dimension: 5.67" L x 2.83" W x 1.30" H (144.00mm x 72.00mm x 33.00mm)
Features: LED Indicator, USB Pluggable
Packaging: Box
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7837.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPBNA1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
Number of Cells: 1
Part Status: Active
Charge Current - Max: 2.4A
Voltage - Nominal: 5V, 9V, 12V
Charge Time: 3.5 Hrs
Power - Max: 18W
Termination Style: USB A Receptacle, USB C Receptacle
Type: Wireless Charger
Voltage - Input: 5V
Mounting Type: Desktop
Size / Dimension: 5.67" L x 2.83" W x 1.30" H (144.00mm x 72.00mm x 33.00mm)
Features: LED Indicator, USB Pluggable
Packaging: Box
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7837.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPBYE1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPEUS0A201GlobalscaleDescription: ESPRESSObin Ultra
Speed: 1.2GHz
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
RAM Capacity/Installed: 1GB/-
Number of Cores: 2
Storage Interface: eMMC
Watchdog Timer: No
USB: USB 2.0 (1), USB 3.0 (1), USB Micro (1)
Ethernet: GbE (4)
Expansion Site/Bus: M.2, Mini-PCIe, PCIe, SIM, Wi-Fi, UART
Core Processor: ARMADA, ARM® Cortex®-A35 Dual
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9405.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.31 грн
5+447.88 грн
10+319.45 грн
50+289.84 грн
100+261.27 грн
250+256.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ONS/FAIMOSFET N-CH 650V 44A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.08 грн
50+292.98 грн
100+269.40 грн
500+218.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
на замовлення 11449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V
на замовлення 80132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.83 грн
50+233.24 грн
100+213.60 грн
500+168.18 грн
1000+165.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3
Код товару: 142690
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+246.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+491.77 грн
10+312.95 грн
100+276.37 грн
500+184.92 грн
1000+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+305.26 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ONS/FAI650В; 11А; TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60onsemiMOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
500+175.62 грн
1000+165.01 грн
10000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
50+151.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.62 грн
10+182.89 грн
100+148.75 грн
500+118.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON-SemiconductorN-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+122.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.56 грн
10+131.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+138.33 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60
Код товару: 166014
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60/FSCFSC08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.95 грн
10+176.12 грн
50+155.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FonsemiMOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.28 грн
50+162.31 грн
100+147.70 грн
500+114.59 грн
1000+106.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
500+206.26 грн
1000+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]