Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD2512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+112.12 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2512 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
на замовлення 78008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 84908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V
на замовлення 84908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+110.58 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
10000+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.40 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Power Trench
на замовлення 19441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.4nC
On-state resistance: 146mΩ
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 135W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.89 грн
10+113.22 грн
25+99.80 грн
100+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.01 грн
86+165.95 грн
102+139.55 грн
500+93.65 грн
1000+83.26 грн
2000+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.14 грн
10+128.54 грн
100+88.66 грн
500+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572onsemiMOSFETs N-Ch Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 29
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-NLFSC09+ SSOP-56
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572F085Fairchild SemiconductorDescription: 41500.054OHN-CHANNPOWMOSFETO-252
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+80.84 грн
50+60.84 грн
100+51.01 грн
500+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582
Код товару: 181480
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 172mΩ
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ONS/FAIMOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582onsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.58 грн
134+105.60 грн
200+96.18 грн
500+66.83 грн
1000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.22 грн
500+103.70 грн
1000+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.22 грн
500+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670onsemi / FairchildMOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+103.71 грн
100+74.00 грн
500+55.78 грн
1000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670onsemiMOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670
Код товару: 126745
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+98.78 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
10000+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD26AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-CHAN PwrTrench 60V 36A 26mOhm
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
на замовлення 30877500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2712SOP-8 0327+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2SA-GABB Installation ProductsEnclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG 2HUB 3/4IN AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300003Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300003Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300003Diodes ZetexOscillator XO 133MHz 15pF LVCMOS/LVTTL 55% 3.3V 4-Pin CSMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300004Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 133 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300004Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300004Diodes ZetexCrystal Clock Oscillator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PonsemiMOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 29364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PON-SemiconductorP-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306Ponsemi / FairchildMOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 43391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD330003Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 133.3300MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 133.33 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD330005Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC SEAM5032 SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.053" (1.35mm)
Frequency: 133.33 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 13.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510Honsemi / FairchildMOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 5144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3570onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3572FAIRCHILDSO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3580ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3580 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.