Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670onsemiMOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670
Код товару: 126745
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
10000+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 42115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+98.78 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD26AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-CHAN PwrTrench 60V 36A 26mOhm
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
на замовлення 30877500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2712ПЙНЇSOP-8 0327+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2SA-GABB Installation ProductsEnclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG 2HUB 3/4IN AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300003Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300003Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300003Diodes ZetexOscillator XO 133MHz 15pF LVCMOS/LVTTL 55% 3.3V 4-Pin CSMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300004Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300004Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 133 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD300004Diodes ZetexCrystal Clock Oscillator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.50 грн
100+41.62 грн
500+30.64 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.46 грн
50+64.46 грн
100+43.65 грн
500+32.61 грн
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PonsemiMOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 29364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PON-SemiconductorP-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.65 грн
500+32.61 грн
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306Ponsemi / FairchildMOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 43391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD330003Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 133.3300MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 133.33 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD330005Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC SEAM5032 SMD
Function: Enable/Disable
Output: HCMOS, LVCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Resonator: Crystal
Frequency: 133.33 MHz
Height - Seated (Max): 0.053" (1.35mm)
Current - Supply (Max): 45mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±25ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 13.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510Honsemi / FairchildMOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3510HON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3570onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3570FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 5144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3572FAIRCHILDSO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3580ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3580 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+72.10 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3580FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 100A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.98 грн
115+123.31 грн
172+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670
Код товару: 221616
Додати до обраних Обраний товар
VbsemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 40 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 30 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2600/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується 25.07.2026
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.16 грн
500+64.38 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
10+105.37 грн
100+71.84 грн
500+53.98 грн
1000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670On SemiconductorMOSFET N-CH 100V 34A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.71 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670
Код товару: 66963
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 34 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670onsemi / FairchildMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.19 грн
50+115.42 грн
100+78.28 грн
500+58.27 грн
1000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670MOSFET N-CH 100V 34A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670onsemiMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672onsemi / FairchildMOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.25 грн
10+124.72 грн
25+123.47 грн
100+94.66 грн
250+86.74 грн
500+73.19 грн
1000+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+80.54 грн
100+64.92 грн
500+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672
Код товару: 92624
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 44 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 28 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1710/24
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+55.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.06 грн
50+95.92 грн
100+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.39 грн
5000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 6V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-F085onsemi / FairchildMOSFET 100V NChannel UniFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-NLFAIRCHIL09+ DFN10
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680onsemi / FairchildMOSFET 100V NCh PowerTrench
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.76 грн
5000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.48 грн
500+35.63 грн
1000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.62 грн
25+42.93 грн
100+40.74 грн
250+37.11 грн
500+35.04 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+43.62 грн
330+42.93 грн
335+42.25 грн
341+40.08 грн
500+36.50 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+36.98 грн
100+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.80 грн
50+47.96 грн
100+40.48 грн
500+35.63 грн
1000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]