Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC8462ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.40 грн
6000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+81.14 грн
100+57.33 грн
500+43.87 грн
1000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554onsemi / FairchildMOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554onsemiMOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.62 грн
549+64.46 грн
1000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588ON Semiconductor / FairchildMOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.72 грн
23+33.68 грн
25+33.61 грн
100+30.78 грн
250+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 976 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588DCFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588DConsemi / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.52 грн
500+102.16 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.52 грн
500+102.16 грн
1000+94.22 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.31 грн
10+161.20 грн
100+110.22 грн
500+85.23 грн
1000+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.52 грн
500+102.16 грн
1000+94.22 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.50 грн
100+81.65 грн
500+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.52 грн
500+102.16 грн
1000+94.22 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.21 грн
277+51.20 грн
280+50.69 грн
291+43.42 грн
500+40.05 грн
1000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102onsemiMOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100/20V N-Chan Power Trench
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 41W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102onsemi / FairchildMOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.59 грн
6000+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
10+152.47 грн
50+117.16 грн
100+99.25 грн
500+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.77 грн
6000+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8
Case: MLP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+96.63 грн
500+86.96 грн
1000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.34 грн
124+114.80 грн
159+89.44 грн
250+82.19 грн
500+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+96.63 грн
500+86.96 грн
1000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.70 грн
10+89.26 грн
25+88.38 грн
100+69.51 грн
250+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+104.16 грн
100+70.84 грн
500+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.26 грн
161+88.38 грн
197+72.08 грн
250+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+124.61 грн
50+95.16 грн
100+80.38 грн
500+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.75 грн
6000+71.31 грн
9000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.68 грн
10+113.40 грн
25+111.48 грн
100+89.45 грн
250+82.00 грн
500+69.88 грн
1000+67.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.43 грн
6000+64.23 грн
9000+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.68 грн
125+113.40 грн
127+111.48 грн
153+89.45 грн
250+82.00 грн
500+69.88 грн
1000+67.71 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 17986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86106LZON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86106LZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
на замовлення 199808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.20 грн
176+80.79 грн
251+56.53 грн
500+46.50 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.13 грн
6000+33.63 грн
9000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZonsemiMOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.05 грн
6000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 15A; 19W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 19W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.01 грн
6000+37.34 грн
9000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.65 грн
12+63.16 грн
25+62.52 грн
100+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 14357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.18 грн
50+56.38 грн
100+47.22 грн
500+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.50 грн
250+93.18 грн
500+91.85 грн
1000+85.15 грн
3000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139POn SemiconductorMOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.52 грн
10+110.39 грн
25+109.28 грн
50+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PonsemiMOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.94 грн
6000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P
Код товару: 183309
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.54 грн
10+92.25 грн
25+82.19 грн
50+75.48 грн
100+68.77 грн
250+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.