Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.02 грн
110+129.08 грн
111+127.78 грн
125+110.00 грн
250+99.53 грн
500+88.73 грн
1000+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LonsemiMOSFETs PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 34231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+61.21 грн
100+32.86 грн
500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LOn SemiconductorMOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.13 грн
1000+55.53 грн
3000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+55.19 грн
100+36.56 грн
500+26.79 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.63 грн
500+40.83 грн
1500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 60A; 30W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327Lonsemi / FairchildMOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 51913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+69.31 грн
100+46.94 грн
500+35.76 грн
1000+34.10 грн
3000+28.93 грн
6000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+50.88 грн
1000+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.26 грн
50+49.21 грн
100+46.63 грн
500+40.83 грн
1500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L-L701onsemiDescription: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L-L701onsemiDescription: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.69 грн
100+73.35 грн
500+55.07 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 240A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+118.29 грн
100+73.18 грн
500+60.54 грн
1000+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+127.06 грн
100+88.36 грн
500+67.43 грн
1000+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+90.87 грн
100+62.87 грн
500+46.20 грн
1000+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LET40ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 658A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LET40onsemi / FairchildMOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+101.62 грн
100+63.99 грн
500+49.43 грн
1000+43.63 грн
3000+42.73 грн
6000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.21 грн
10+130.98 грн
25+122.44 грн
100+84.19 грн
250+77.18 грн
500+65.21 грн
1000+40.78 грн
3000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.99 грн
10+151.41 грн
100+105.51 грн
500+79.27 грн
1000+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.09 грн
6000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.98 грн
116+122.44 грн
163+87.31 грн
250+83.35 грн
500+67.93 грн
1000+40.78 грн
3000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.33 грн
10+138.14 грн
100+96.65 грн
250+93.20 грн
500+82.15 грн
1000+70.41 грн
3000+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+79.42 грн
100+53.38 грн
500+39.64 грн
1000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.51 грн
500+79.27 грн
1000+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554onsemi / FairchildMOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+100.03 грн
100+59.23 грн
500+47.22 грн
1000+43.35 грн
3000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+80.40 грн
100+56.81 грн
500+43.47 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554onsemiMOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+83.36 грн
100+48.25 грн
500+38.18 грн
1000+34.93 грн
3000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.78 грн
549+64.60 грн
1000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554FAIRCHID
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8554ON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.79 грн
23+33.76 грн
25+33.69 грн
100+30.85 грн
250+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588ON Semiconductor / FairchildMOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
976+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 976 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588DConsemi / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8588DCFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.87 грн
10+161.56 грн
100+110.46 грн
500+85.42 грн
1000+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.77 грн
500+102.39 грн
1000+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.77 грн
500+102.39 грн
1000+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.72 грн
10+115.11 грн
100+73.18 грн
500+65.86 грн
1000+58.89 грн
3000+58.40 грн
6000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.33 грн
277+51.31 грн
280+50.80 грн
291+43.52 грн
500+40.14 грн
1000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.77 грн
500+102.39 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.42 грн
100+80.90 грн
500+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+120.67 грн
100+71.80 грн
500+60.54 грн
1000+53.64 грн
3000+50.67 грн
6000+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.77 грн
500+102.39 грн
1000+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100/20V N-Chan Power Trench
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102onsemi / FairchildMOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.11 грн
10+123.05 грн
100+80.77 грн
500+69.72 грн
1000+63.99 грн
3000+58.75 грн
6000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.79 грн
6000+85.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.97 грн
6000+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102onsemiMOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.73 грн
10+146.87 грн
100+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.38 грн
10+129.67 грн
100+96.65 грн
500+74.79 грн
1000+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 41W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.74 грн
100+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.15 грн
500+62.97 грн
1500+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.59 грн
124+115.05 грн
159+89.64 грн
250+82.38 грн
500+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
10+97.67 грн
100+66.31 грн
500+49.64 грн
1000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+96.84 грн
500+87.16 грн
1000+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.71 грн
50+123.23 грн
100+82.15 грн
500+62.97 грн
1500+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+92.09 грн
100+55.02 грн
500+45.84 грн
1000+42.94 грн
3000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.93 грн
10+89.46 грн
25+88.57 грн
100+69.67 грн
250+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8
Case: MLP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.46 грн
161+88.57 грн
197+72.25 грн
250+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.30 грн
10+104.00 грн
100+61.72 грн
500+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+96.84 грн
500+87.16 грн
1000+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+115.91 грн
100+74.56 грн
500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.03 грн
10+113.66 грн
25+111.73 грн
100+89.65 грн
250+82.18 грн
500+70.03 грн
1000+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.09 грн
500+74.79 грн
1500+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.58 грн
6000+64.37 грн
9000+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.04 грн
100+80.32 грн
500+60.62 грн
1000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+223.10 грн
50+140.94 грн
100+103.09 грн
500+74.79 грн
1500+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 17986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+66.61 грн
100+52.12 грн
500+50.33 грн
1000+49.84 грн
3000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+158.03 грн
125+113.66 грн
127+111.73 грн
153+89.65 грн
250+82.18 грн
500+70.03 грн
1000+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.92 грн
6000+71.47 грн
9000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.77 грн
549+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]