Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+660.43 грн
5+537.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PIXYSMOSFETs 600V 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+487.90 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.57 грн
30+379.39 грн
120+322.11 грн
510+277.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+956.58 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60QMOSFET N-CH 600V 26A TO247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60QIXYSMOSFETs 600V 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2IXYSDescription: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+800.57 грн
5+658.82 грн
10+516.26 грн
50+441.24 грн
100+393.49 грн
250+379.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2LittelfuseIXFH26N65X2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X3LittelfuseMOSFETs TO247 650V 26A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO24
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+260.59 грн
60+234.98 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH270N06T3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH270N06T3 - MOSFET, N-CH, 60V, 270A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 270
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchT3 HiperFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH270N06T3IXYSMOSFET 60V/270A TrenchT3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+535.59 грн
10+452.52 грн
30+356.91 грн
120+327.91 грн
270+308.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH280N085IXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N50FIXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 28A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3IXYSMOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.69 грн
10+436.64 грн
120+312.72 грн
510+309.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+606.73 грн
5+477.81 грн
10+431.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH28N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 695
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 695
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60X3LittelfuseMOSFETs TO247 600V 28A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N40QIXYSMOSFETs 30 Amps 400V 0.16 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N40QIXYSDescription: MOSFET N-CH 400V 30A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50
Код товару: 44458
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50IXYSMOSFETs 30 Amps 500V 0.16 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+878.47 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50P
Код товару: 60729
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIXYSMOSFETs 500V 30A
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703.11 грн
10+475.54 грн
120+346.55 грн
510+336.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.89 грн
30+384.88 грн
120+326.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1199.12 грн
30+714.54 грн
120+618.21 грн
510+544.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 690
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 690
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1026.88 грн
10+635.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PIXYSMOSFETs 600V 30A
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+939.09 грн
10+558.90 грн
120+449.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.68 грн
30+520.32 грн
120+445.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60QIXYSMOSFETs 30 Amps 600V 0.23 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+635.29 грн
30+512.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1343.58 грн
30+808.65 грн
120+702.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1501.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1398.17 грн
10+864.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1076.55 грн
5+835.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1274.94 грн
5+1032.52 грн
10+789.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH32N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1143.20 грн
30+927.56 грн
120+909.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH32N100XIXYSMOSFETs 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1657.51 грн
10+1157.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH32N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH32N50IXYSMOSFETs 500V 32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH32N50QТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH32N50QIXYSMOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH32N50Q
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH32N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4925 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH340N075T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH340N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 340 A, 3200 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH340N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 340A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.95 грн
10+695.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH340N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH340N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+877.88 грн
10+531.11 грн
120+451.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 34A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+839.22 грн
10+495.39 грн
120+388.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1063.96 грн
17+877.19 грн
30+669.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2AIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+527.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2AIXYSMOSFET DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+416.21 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.89 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.13 грн
10+454.11 грн
120+350.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 3809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.58 грн
30+422.40 грн
120+359.01 грн
510+293.36 грн
1020+291.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Power dissipation: 540W
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+496.66 грн
10+382.24 грн
30+357.32 грн
120+337.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.75 грн
5+529.15 грн
10+469.55 грн
50+413.57 грн
100+360.36 грн
250+353.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2WIXYSMOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.78 грн
10+416.79 грн
120+306.51 грн
1020+303.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2WIXYSDescription: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.88 грн
30+387.17 грн
120+328.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X3IXYSMOSFETs TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703.11 грн
10+413.62 грн
120+325.84 грн
510+300.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X3IXYSDescription: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.78 грн
30+385.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH35N30IXYSMOSFETs 300V 35A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH35N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH35N30Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.59 грн
30+562.35 грн
120+503.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N50PIXYSMOSFETs 500V 36A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.14 грн
10+737.53 грн
30+446.65 грн
270+394.88 грн
510+391.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]