Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFH24N80P транзистор
Код товару: 55518
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Power dissipation: 660W
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+829.10 грн
30+741.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.51 грн
30+812.73 грн
60+754.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1398.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100XIXYSMOSFETs 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1675.80 грн
30+1022.43 грн
60+952.22 грн
120+838.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 26A; 860W; TO247-3; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 860W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 300W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+1628.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50IXYSMOSFETs DIODE Id26 BVdass500
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50
Код товару: 42816
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 26
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+1078.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIXYSMOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P
Код товару: 127550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+743.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH26N50P. - DISCMOSFETN-CH HIPERFET-POLAR TO-247AD TUBE 03AH0568
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+777.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXFH26N50P3 ( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QPower MOSFET, N-CH, 500V, 26A, TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50Q - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QIXYSMOSFET 500V 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50Q
Код товару: 149259
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N55QIXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PIXYSMOSFETs 600V 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1091.69 грн
14+1016.45 грн
15+957.04 грн
30+815.94 грн
60+693.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PN-CH 600V 26A 460W 0.27 Om TO-247 задержка 200 нсек Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 460W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 72nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHV™
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+762.27 грн
5+635.70 грн
10+577.83 грн
15+538.41 грн
30+472.16 грн
60+432.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60QIXYSMOSFETs 600V 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60QMOSFET N-CH 600V 26A TO247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2IXYSDescription: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 460W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO24
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X3LittelfuseMOSFETs TO247 650V 26A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH270N06T3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH270N06T3 - MOSFET, N-CH, 60V, 270A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 270
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchT3 HiperFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH270N06T3IXYSMOSFET 60V/270A TrenchT3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+263.00 грн
60+237.15 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH280N085IXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 28A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N50FIXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.26Ω
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+612.34 грн
5+482.22 грн
10+435.26 грн
30+379.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3IXYSMOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH28N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 695
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 695
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.81 грн
30+411.84 грн
60+377.61 грн
120+327.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60X3LittelfuseMOSFETs TO247 600V 28A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N40QIXYSDescription: MOSFET N-CH 400V 30A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N40QIXYSMOSFETs 30 Amps 400V 0.16 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50IXYSMOSFETs 30 Amps 500V 0.16 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50
Код товару: 44458
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50P
Код товару: 60729
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+876.52 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 460W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIXYSMOSFETs 500V 30A
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+736.08 грн
3+628.15 грн
5+590.41 грн
10+533.38 грн
30+447.00 грн
60+432.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1237.64 грн
30+737.80 грн
120+638.35 грн
510+562.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 690
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 690
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.01 грн
30+528.95 грн
60+487.62 грн
120+424.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PIXYSMOSFETs 600V 30A
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.