Продукція > NTH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTHL067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.98 грн
30+427.86 грн
60+393.09 грн
120+341.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+417.80 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+606.99 грн
100+582.24 грн
500+557.49 грн
1000+508.03 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+516.99 грн
30+516.14 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.16 грн
10+516.99 грн
30+516.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.43 грн
30+364.86 грн
120+308.09 грн
510+250.11 грн
1020+241.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1Aptina ImagingSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+622.69 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 120A
On-state resistance: 68mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.89 грн
30+411.53 грн
120+349.24 грн
510+284.95 грн
1020+281.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.69 грн
10+536.51 грн
30+443.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1Aptina ImagingSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+595.21 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+843.90 грн
100+809.72 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1ON SemiconductorMOSFET SIC MOS 80MW 1200V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1ONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+843.90 грн
100+809.72 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+777.54 грн
30+478.11 грн
120+466.47 грн
510+420.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 178W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F
Код товару: 209479
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.30 грн
10+507.59 грн
450+350.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+512.18 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+512.18 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-247
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HF
Код товару: 182440
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+583.42 грн
100+553.95 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+701.51 грн
30+401.24 грн
60+368.61 грн
120+320.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 47914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.59 грн
30+327.53 грн
120+276.50 грн
510+231.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.08 грн
30+383.43 грн
120+325.11 грн
510+278.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFONS/FAIN-Channel 650V 36A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5onsemiDescription: NTHL099N60S5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 400 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.83 грн
30+302.87 грн
60+276.84 грн
120+239.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL099N60S5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.0792 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0792ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5onsemiMOSFETs SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.26 грн
10+225.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 9611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.21 грн
30+350.85 грн
60+321.54 грн
120+278.63 грн
510+259.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2088 pF @ 400 V
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.59 грн
10+322.75 грн
50+256.87 грн
100+221.19 грн
500+192.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5ZonsemiMOSFETs SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.59 грн
30+309.01 грн
120+260.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 59W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 69A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+533.30 грн
28+520.48 грн
32+450.14 грн
100+421.97 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+533.30 грн
10+520.39 грн
25+450.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.73 грн
30+397.52 грн
120+336.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5HonsemiDescription: SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 12094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.94 грн
30+275.42 грн
120+230.80 грн
510+186.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]