Продукція > UF4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UF4010G_AY_00001PanJit SemiconductorCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1.85V
Case: DO201AD
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 1.85V
Max. forward impulse current: 150A
Load current: 4A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4010G_AY_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 1000V 4A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.76 грн
13+23.72 грн
100+18.39 грн
500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF4010G_AY_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF4010G_B0_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF4012GP-APMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers Super Fast Recovery Rectifiers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF405
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4054
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF405VMR флюс-гель низької активності, шприц 10 мл
Код товару: 212939
2 Додати до обраних Обраний товар
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Активний флюс
Опис: Нетоксичний і неагресивний щодо металів вʼязкий універсальний органічний екофлюс низької активності на основі хімічно модифікованої каніфолі. Тип флюсу - R (неактивована каніфоль), клас флюсу 1.1.1.C/ROL0. Флюс не містить токсичних сполук, а його пари безпечні для здоровʼя. Призначений для ремонтних робіт, пайки радіодеталей SMD, чипів BGA та інших електронних компонентів. Флюс легко змивається полярними органічними розчинниками (спирт, ізопропанол, ацетон, етилацетат) і спиртобензиновою сумішшю. Не викликає корозії металів. Не зашлаковує і не «зʼїдає» жало паяльника, не створює неприємних запахів.
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 мл
у наявності: 19 шт
  • 6 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+220.00 грн
10+209.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF408G_AY_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.78 грн
10+37.05 грн
100+24.01 грн
500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF408G_AY_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF408G_AY_00001PanjitRectifiers 800V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF408G_AY_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF436
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF450LTO-247
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF460LTO-247
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053B7SonsemiDescription: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053B7SQorvoSiC MOSFETs UF4C120053B7S
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053B7SonsemiDescription: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.31 грн
10+724.18 грн
100+611.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053B7SSBonsemiDescription: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053B7SSRonsemiDescription: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053B7SSRonsemiSiC MOSFETs UF4C120053B7S
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053B7SSRQorvoSiC MOSFETs UF4C120053B7S
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3SonsemiDescription: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1130.09 грн
30+673.22 грн
120+584.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3SQORVODescription: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/53mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/53mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K4SonsemiDescription: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1162.94 грн
30+694.54 грн
120+606.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7SQorvoSiC MOSFETs UF4C120070B7S
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7SonsemiDescription: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 12785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.93 грн
10+576.73 грн
100+503.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7SonsemiDescription: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+427.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7SSBonsemiDescription: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7SSRQorvoSiC MOSFETs UF4C120070B7S
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7SSRonsemiDescription: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7SSRonsemiSiC MOSFETs UF4C120070B7S
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3SQORVODescription: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3SonsemiDescription: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.09 грн
30+555.34 грн
120+477.24 грн
510+436.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K4SonsemiDescription: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 28840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.88 грн
30+578.89 грн
120+496.78 грн
510+421.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023B7SQorvoSiC MOSFETs UF4SC120023B7S
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023B7SonsemiDescription: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO26
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023B7SonsemiDescription: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1737.76 грн
10+1212.12 грн
100+1139.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023B7SSBonsemiDescription: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023K4SonsemiDescription: 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1733.06 грн
30+1238.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030B7SonsemiDescription: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1355.33 грн
10+935.66 грн
100+907.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030B7SQorvoSiC MOSFETs UF4SC120030B7S
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030B7SonsemiDescription: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+770.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030B7SSBonsemiDescription: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030B7SSRonsemiDescription: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030K4SonsemiDescription: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1537.55 грн
30+940.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/30mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10