Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB16N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N50KPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N60LVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N60L
Код товару: 101998
Додати до обраних Обраний товар

8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N60LPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB16N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N20D
Код товару: 92179
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N20DPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.37 грн
11+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB17N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 16 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 220
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+661.03 грн
50+352.95 грн
100+323.17 грн
500+261.38 грн
1000+238.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishay SiliconixIRFB17N50LPBF MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.55 грн
50+260.13 грн
100+238.18 грн
500+187.48 грн
1000+184.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF
Код товару: 190279
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.13 грн
56+254.56 грн
100+247.78 грн
500+236.54 грн
1000+216.83 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 16 А, Ptot, Вт = 220, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N60KIR09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N60KVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 600V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.54 грн
10+108.30 грн
100+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBF
Код товару: 22900
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+220.82 грн
131+108.45 грн
141+100.11 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF
Код товару: 35981
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,21 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2870/110
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2870 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 4
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFB20N50KPBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+100.80 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 23 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+100.80 грн
500+90.72 грн
1000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+100.80 грн
500+90.72 грн
1000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF
Код товару: 161319
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB23N15DPBF - IRFB23N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+100.80 грн
500+90.72 грн
1000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBF
Код товару: 111171
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+171.69 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB23N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+73.95 грн
209+67.57 грн
225+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB24N20DIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NInternational RectifierN-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+213.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260N
Код товару: 32417
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 56A 40mOhm 150nC
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF
Код товару: 100231
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.16 грн
76+186.48 грн
97+146.12 грн
108+127.14 грн
500+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.65 грн
10+142.39 грн
50+109.01 грн
100+92.20 грн
500+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
10000+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.76 грн
50+158.25 грн
100+142.62 грн
500+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
на замовлення 39300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
10000+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004
Код товару: 99476
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9200/160
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+77.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004GPBF
Код товару: 177418
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004GPBFInternational RectifierMOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004GPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 195A 1.7 mOhm 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.94 грн
10+277.51 грн
100+235.19 грн
1000+209.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+246.96 грн
500+234.02 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.79 грн
10+234.17 грн
100+207.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.94 грн
51+277.51 грн
100+235.19 грн
1000+209.63 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.11 грн
10+185.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+322.79 грн
61+234.17 грн
100+207.07 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]