Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+184.28 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125, Rds = 69 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 341, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.35 грн
10+118.04 грн
100+100.55 грн
500+97.76 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBF
Код товару: 58576
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB41N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB41N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB41N15DPBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB41N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4212
Код товару: 99478
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/15
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+25.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4212Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4212IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4212PBFIR08+ DO-35
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4215PBFIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227International RectifierN-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 73210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.49 грн
128+110.96 грн
500+87.48 грн
1000+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF
Код товару: 25579
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
у наявності: 64 шт
  • 45 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+225.00 грн
10+199.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+263.91 грн
56+253.86 грн
100+245.25 грн
250+229.32 грн
500+206.55 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.96 грн
10+143.38 грн
100+87.98 грн
500+65.51 грн
1000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.63 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.03 грн
50+101.93 грн
100+91.65 грн
500+69.10 грн
1000+63.67 грн
2000+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.06 грн
10+112.63 грн
25+101.70 грн
50+89.09 грн
100+77.33 грн
250+64.72 грн
500+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 73210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.89 грн
10+114.03 грн
100+111.49 грн
500+84.76 грн
1000+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Id = 65 A, Ptot, Вт = 330, Vdss В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 24 mOhm @ 46A, 10V, Ciss @ Vds = 4600pF @ 25V, Qg,нКл = 98nC @ 10V, Vgs(th) = 5V @ 250µA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 1000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+277.86 грн
97+146.96 грн
106+134.51 грн
500+102.83 грн
1000+90.26 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.81 грн
10+112.83 грн
100+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.55 грн
121+117.37 грн
133+106.84 грн
500+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.85 грн
10+112.42 грн
100+76.11 грн
500+64.87 грн
1000+57.05 грн
2000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.31 грн
500+107.38 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.33 грн
50+86.46 грн
100+82.41 грн
500+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.92 грн
10+116.50 грн
100+90.43 грн
500+71.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.91 грн
165+86.05 грн
173+82.03 грн
500+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.41 грн
10+103.38 грн
25+89.94 грн
50+81.53 грн
100+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228International RectifierN-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+173.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.55 грн
500+170.10 грн
1000+160.65 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.55 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.78 грн
10+267.40 грн
500+125.69 грн
1000+106.14 грн
2000+104.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.24 грн
10+278.61 грн
100+206.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+368.59 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.55 грн
500+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFInfineonMOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4228PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+158.29 грн
1000+146.48 грн
10000+125.30 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.74 грн
54+265.54 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+158.29 грн
1000+146.48 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.79 грн
10+104.45 грн
100+102.45 грн
500+90.78 грн
1000+79.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.94 грн
85+168.58 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.72 грн
10+124.40 грн
50+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.84 грн
136+104.50 грн
139+102.49 грн
500+90.82 грн
1000+79.95 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.74 грн
50+112.26 грн
100+101.48 грн
500+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF
Код товару: 118259
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+115.00 грн
10+97.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+158.29 грн
1000+146.48 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.40 грн
37+391.82 грн
50+376.88 грн
100+351.10 грн
250+315.22 грн
500+294.39 грн
1000+287.19 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.54 грн
10+162.12 грн
100+138.49 грн
500+107.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.96 грн
100+186.15 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.46 грн
50+108.48 грн
100+98.51 грн
500+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4229PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.06 грн
10+131.16 грн
100+118.12 грн
500+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.62 грн
10+127.68 грн
100+100.55 грн
500+81.70 грн
1000+80.30 грн
2000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesMOSFETs PDP SWITCH 230V 1 N-CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 230 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 220, Id = 44 A, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3430 @ 25, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+142.51 грн
100+122.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 42.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DPBFInfineon / IRMOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310
Код товару: 126728
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
irfb4310International RectifierN-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+162.16 грн
93+152.93 грн
108+131.56 грн
500+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.34 грн
10+106.75 грн
50+89.09 грн
100+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
на замовлення 29844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.16 грн
50+143.50 грн
100+129.81 грн
500+99.29 грн
1000+92.05 грн
2000+85.97 грн
5000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]