Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC035N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.85 грн
100+150.57 грн
500+130.16 грн
5000+117.09 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.37 грн
103+138.11 грн
104+136.73 грн
113+121.64 грн
250+111.51 грн
500+100.38 грн
1000+99.38 грн
3000+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+117.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1
Код товару: 192220
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.85 грн
100+150.57 грн
500+130.16 грн
5000+117.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.37 грн
10+138.11 грн
25+136.73 грн
100+121.64 грн
250+111.51 грн
500+100.38 грн
1000+99.38 грн
3000+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+117.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5
на замовлення 8544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3 GInfineonMOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.70 грн
77+186.32 грн
100+179.99 грн
250+168.30 грн
500+151.60 грн
1000+141.97 грн
2500+138.84 грн
5000+136.07 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1
Код товару: 185447
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.41 грн
10+114.10 грн
25+113.53 грн
100+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 10126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 20992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.50 грн
10+117.42 грн
50+89.37 грн
100+75.38 грн
500+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.95 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1InfineonN-Channel 75V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.41 грн
125+113.53 грн
169+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.58 грн
107+133.20 грн
118+120.97 грн
500+95.41 грн
1000+85.65 грн
2500+80.44 грн
5000+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1InfineonMOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.58 грн
10+133.20 грн
100+120.97 грн
500+95.41 грн
1000+85.65 грн
2500+80.44 грн
5000+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 19251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+122.50 грн
50+93.35 грн
100+78.80 грн
500+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 3,7 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,8 В @ 72 мкА, Р, Вт = 2,5, 114, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.00 грн
108+132.35 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.53 грн
95+150.56 грн
100+145.45 грн
250+136.00 грн
500+122.50 грн
1000+114.73 грн
2500+112.19 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 33852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.74 грн
214+66.24 грн
217+65.58 грн
234+58.59 грн
2000+52.90 грн
5000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1InfineonN-Channel 60V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.20 грн
10+84.37 грн
25+83.61 грн
50+78.27 грн
100+64.02 грн
250+61.27 грн
500+59.25 грн
1000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 47900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.92 грн
15000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+102.49 грн
500+92.24 грн
1000+85.08 грн
10000+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.06 грн
12+67.06 грн
25+66.56 грн
100+59.08 грн
250+54.59 грн
500+51.34 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+44.76 грн
330+42.96 грн
500+41.41 грн
1000+38.63 грн
2500+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+67.06 грн
213+66.56 грн
232+61.26 грн
250+58.96 грн
500+53.48 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 48775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+63.94 грн
50+47.70 грн
100+39.82 грн
500+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+84.17 грн
170+83.42 грн
176+80.99 грн
199+68.99 грн
250+63.66 грн
500+59.11 грн
1000+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 82226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+102.49 грн
500+92.24 грн
1000+85.08 грн
10000+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+177.02 грн
100+124.25 грн
500+95.46 грн
1000+88.67 грн
2000+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 9000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 11662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.08 грн
10+157.43 грн
100+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+220.76 грн
67+212.35 грн
100+205.14 грн
250+191.82 грн
500+172.77 грн
1000+161.81 грн
2500+158.24 грн
5000+155.08 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5InfineonBSC040N08NS5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 100A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TBSC040n08ns5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+248.54 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.22 грн
50+88.40 грн
100+74.54 грн
500+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5InfineonMOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+276.02 грн
54+265.51 грн
100+256.49 грн
250+239.83 грн
500+216.03 грн
1000+202.31 грн
2500+197.85 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4100 @ 50, Qg, нКл = 58, Rds = 4 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 139, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100A; Idm: 400A; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 100A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 58nC
Application: automotive industry
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+223.72 грн
30+175.33 грн
50+169.52 грн
100+164.53 грн
200+145.42 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.66 грн
10000+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 39719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.76 грн
10+111.58 грн
25+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 42834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.