Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 9973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.56 грн
100+93.57 грн
500+70.98 грн
1000+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1
Код товару: 185447
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.64 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+253.61 грн
50+154.44 грн
250+117.05 грн
1000+88.31 грн
3000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 10677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+251.98 грн
50+156.07 грн
250+112.99 грн
1000+77.74 грн
3000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 6921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.31 грн
10+123.56 грн
100+85.01 грн
500+64.32 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+91.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 3,7 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,8 В @ 72 мкА, Р, Вт = 2,5, 114, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.16 грн
81+174.82 грн
88+161.30 грн
112+122.17 грн
250+108.24 грн
500+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 11195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.32 грн
84+169.72 грн
111+128.23 грн
500+78.65 грн
1000+60.28 грн
2000+54.96 грн
5000+49.46 грн
7500+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.16 грн
10+174.82 грн
25+161.30 грн
100+122.17 грн
250+108.24 грн
500+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1InfineonMOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 10677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.07 грн
250+112.99 грн
1000+77.74 грн
3000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+92.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.21 грн
10+169.07 грн
100+124.37 грн
500+89.06 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+89.06 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.18 грн
95+150.22 грн
100+145.13 грн
250+135.70 грн
500+122.23 грн
1000+114.47 грн
2500+111.94 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.69 грн
108+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
на замовлення 9349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.98 грн
170+83.24 грн
176+80.81 грн
199+68.84 грн
250+63.52 грн
500+58.97 грн
1000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.63 грн
250+59.83 грн
1000+51.78 грн
3000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 82226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+102.27 грн
500+92.04 грн
1000+84.89 грн
10000+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 33852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.59 грн
214+66.10 грн
217+65.44 грн
234+58.46 грн
2000+52.79 грн
5000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.96 грн
10+84.18 грн
25+83.43 грн
50+78.09 грн
100+63.88 грн
250+61.13 грн
500+59.12 грн
1000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.04 грн
10000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+102.27 грн
500+92.04 грн
1000+84.89 грн
10000+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.89 грн
12+66.91 грн
25+66.41 грн
100+58.95 грн
250+54.47 грн
500+51.22 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+44.66 грн
330+42.86 грн
500+41.32 грн
1000+38.54 грн
2500+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.91 грн
213+66.41 грн
232+61.13 грн
250+58.83 грн
500+53.36 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1InfineonN-Channel 60V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 50012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+104.69 грн
100+71.30 грн
500+53.48 грн
1000+49.17 грн
2000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.12 грн
500+103.41 грн
1000+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.00 грн
10+191.02 грн
100+134.12 грн
500+103.41 грн
1000+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
10+178.66 грн
100+125.40 грн
500+96.35 грн
1000+89.49 грн
2000+88.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0402NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 9000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+86.05 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.39 грн
10+158.88 грн
100+110.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 9000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.90 грн
10+136.56 грн
100+95.10 грн
500+86.05 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5Infineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+220.27 грн
67+211.88 грн
100+204.68 грн
250+191.39 грн
500+172.39 грн
1000+161.45 грн
2500+157.89 грн
5000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.09 грн
10+141.82 грн
100+97.51 грн
500+73.72 грн
1000+68.00 грн
2000+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.74 грн
50+85.35 грн
250+70.07 грн
1000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 100A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.17 грн
10000+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.42 грн
250+86.16 грн
1000+64.61 грн
3000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TBSC040n08ns5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.98 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4100 @ 50, Qg, нКл = 58, Rds = 4 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 139, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 7474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5InfineonMOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+275.40 грн
54+264.92 грн
100+255.92 грн
250+239.30 грн
500+215.55 грн
1000+201.86 грн
2500+197.41 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5Infineon
на замовлення 120052 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 14125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+113.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 29268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.39 грн
10+157.52 грн
100+108.86 грн
500+82.64 грн
1000+76.37 грн
2000+71.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 44320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.84 грн
50+124.37 грн
250+96.73 грн
1000+69.67 грн
3000+63.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.93 грн
10+145.70 грн
25+144.85 грн
100+115.76 грн
250+106.51 грн
500+97.02 грн
1000+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+107.07 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 100A QFN-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 44320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.37 грн
250+96.73 грн
1000+69.67 грн
3000+63.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.33 грн
100+144.97 грн
2000+135.25 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 140A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.54 грн
43+334.52 грн
50+321.77 грн
100+299.76 грн
250+269.14 грн
500+251.34 грн
1000+245.19 грн
2500+239.78 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 140 A, 3400 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.56 грн
500+127.56 грн
1000+116.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1InfineonN-Channel 100V 140A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-WSON-8-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 140A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 140 A, 3400 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.95 грн
10+204.02 грн
100+149.56 грн
500+127.56 грн
1000+116.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA2Infineon TechnologiesDescription: BSC040N10NS5SCATMA2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSINF09+
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]