Продукція > DMG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
14+21.42 грн
100+13.61 грн
500+9.59 грн
1000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
6000+7.59 грн
9000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+8.72 грн
9000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+8.72 грн
9000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+20.37 грн
100+12.92 грн
500+9.11 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.8W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 100/140mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/9nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
6000+6.48 грн
9000+6.15 грн
15000+5.42 грн
21000+5.22 грн
30000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.39 грн
44+18.64 грн
100+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 37809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13Diodes Inc./ZetexTransistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 9.5A 8-Pin SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.28W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 11806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+41.12 грн
100+26.80 грн
500+19.37 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHAN
на замовлення 31461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.15 грн
5000+15.52 грн
7500+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
на замовлення 10546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.31 грн
500+23.43 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.28W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 24984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+52.98 грн
100+36.65 грн
500+28.74 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.81 грн
17+47.33 грн
100+32.31 грн
500+23.43 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.11 грн
5000+21.99 грн
12500+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.5A, 1.8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 90468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
14+21.71 грн
100+13.80 грн
500+9.73 грн
1000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.70 грн
6000+6.10 грн
9000+5.93 грн
15000+5.66 грн
21000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.74 грн
50+24.83 грн
100+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 89700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
6000+7.13 грн
9000+6.77 грн
15000+5.97 грн
21000+5.74 грн
30000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7DiodesMOSFET P-CH 20V 6.5A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.70 грн
6000+6.10 грн
9000+5.93 грн
15000+5.66 грн
21000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 23751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7
Код товару: 190714
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.13 грн
500+15.97 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
6000+13.80 грн
9000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7DiodesMOSFET DUAL N-CHANNEL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 850mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 51661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
11+27.24 грн
100+18.07 грн
500+13.81 грн
1000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs DUAL N-CHANNEL
на замовлення 6353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.98 грн
6000+13.85 грн
9000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.39 грн
26+31.74 грн
100+21.13 грн
500+15.97 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 850mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.70 грн
6000+10.07 грн
9000+9.60 грн
15000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.00 грн
11+38.64 грн
13+33.66 грн
100+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
6000+7.65 грн
9000+7.20 грн
15000+6.36 грн
21000+6.13 грн
30000+5.90 грн
75000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.86 грн
6000+41.44 грн
9000+41.02 грн
12000+39.15 грн
15000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.47 грн
30+27.00 грн
100+17.28 грн
500+12.24 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.86 грн
6000+41.44 грн
9000+41.02 грн
12000+39.15 грн
15000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 425205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
14+22.61 грн
100+11.25 грн
500+10.25 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.28 грн
500+12.24 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.55 грн
24+34.56 грн
100+23.47 грн
500+17.24 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.47 грн
500+17.24 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+30.67 грн
100+20.07 грн
500+14.89 грн
1000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
на замовлення 49415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+34.10 грн
100+22.10 грн
500+15.89 грн
1000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
на замовлення 6426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+34.10 грн
100+22.10 грн
500+15.89 грн
1000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.97 грн
4000+12.31 грн
6000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7408SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 272574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
12+25.97 грн
100+19.39 грн
500+14.30 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7408SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 272000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.04 грн
6000+9.94 грн
10000+9.26 грн
50000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7408SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7408SFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 66A
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7408SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 272574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
10+32.24 грн
100+21.94 грн
500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.24 грн
4000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.24 грн
4000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.88 грн
500+8.58 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
13+23.43 грн
100+14.89 грн
500+10.53 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 100977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.24 грн
4000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 7000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.19 грн
33+24.43 грн
100+16.72 грн
500+11.79 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.24 грн
4000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGQDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.73 грн
6000+16.64 грн
9000+15.93 грн
15000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.89 грн
4000+16.70 грн
6000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7430LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]