Продукція > DMG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG6968U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG6968U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG6968U-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 6.5A 1.3W 25mΩ DMG6968U-7 Diodes TDMG6968u кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | на замовлення 45770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes | MOSFET DUAL N-CHANNEL Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 850mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 850mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 850mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 5441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs DUAL N-CHANNEL | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD Case: SOT26 Mounting: SMD Semiconductor structure: common drain Kind of package: 7 inch reel; tape Power dissipation: 0.85W Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 5.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 24mΩ | на замовлення 111 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 850mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 850mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 850mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG6968UDM-7 Код товару: 190714
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 6.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Application: automotive industry Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 1.3W Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM | на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7401SFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10.8A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V | на замовлення 49415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7401SFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10.8A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V | на замовлення 6426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 6952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7401SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss | на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7401SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7408SFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 66A Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFG | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V | на замовлення 25878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 7000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 100977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V | на замовлення 25885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 7000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFGQ | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7430LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7430LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7702SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7702SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7702SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 12A - 9.5A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7702SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7702SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8,2K | на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7702SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG7N65SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7N65SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7N65SCTI | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7N65SCTI | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7N65SJ3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG7N65SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG8000 | LOVATO | Description: LOVATO - DMG8000 - Einbauinstrument, Multifunktion, 4mA-6A, 40-830V, 45-66Hz, 360-440Hz, 20-830V Versorgung tariffCode: 90283019 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Funktionsumfang: Strom, Spannung, Frequenz, Leistung, Energie Höhe des Frontplattenausschnitts: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -20°C Versorgungsspannung, min.: 40V Breite des Frontplattenausschnitts: - euEccn: NLR Messbereich: 4mA bis 6A, 40V bis 830V, 45Hz bis 66Hz, 360Hz bis 440Hz Ziffernhöhe: - Produktpalette: DMG Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 830V Betriebstemperatur, max.: 60°C Anzahl der Ziffern / Zeichen: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG800D048 | LOVATO ELECTRIC | Category: Power Network Meters and Analyzers Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD Supply voltage: 12...48V DC Mounting: on panel Kind of meter: digital; mounting Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer IP rating: IP20 at terminal side; IP65 (from the front) Kind of display used: LCD Type of meter: network parameters Kind of network: three-phase True effective value measurement: True RMS Illumination: yes AC current measuring range: 10mA...6A Mounting hole dimensions: 92x92mm Dimensions (W x H x D): 96x96x80mm AC voltage measuring accuracy: ±0.2% AC current measuring accuracy: ±0.2% Active power measuring accuracy: ±0.5% Input current: 1A; 5A AC voltage measuring range: 10...400V Frequency measuring range: 45...65Hz Display resolution: 128x80 Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power Interface language: CS; EN; PL; RU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG80480C043_02WN | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 4.3"; 480x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2 Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART Supply voltage: 4.5...5.5V DC Related items: HDL662B Screen size: 4.3" Colour: RGB Kind of controller: T5L1 Touchpad: none Operating temperature: -10...60°C Window dimensions (H x W): 56.16x93.6mm Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x800 Luminosity: 300cd/m2 Memory: 16MB FLASH Connector pinout layout: 1x10 Dimensions: 62x120.7x12.3mm Connection: 10pin; SD No. of colours: 16.7M Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480C043_02WTR | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 4.3"; 480x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2 Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART Supply voltage: 4.5...5.5V DC Related items: HDL662B Screen size: 4.3" Colour: RGB Kind of controller: T5L1 Touchpad: resistance Operating temperature: -10...60°C Window dimensions (H x W): 56.16x93.6mm Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x800 Luminosity: 250cd/m2 Memory: 16MB FLASH Connector pinout layout: 1x10 Dimensions: 62x120.7x13.8mm Connection: 10pin; SD No. of colours: 16.7M Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480C050_03WN | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 5"; 800x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART Dimensions: 143.51x80.9x13.6mm Related items: HDL662B Screen size: 5" Colour: RGB Kind of controller: T5L1 Touchpad: none Operating temperature: -20...70°C Window dimensions (H x W): 108x64.8mm Kind of display: graphical; matrix TN Display resolution: 800x480 Luminosity: 300cd/m2 Memory: 16MB FLASH Connector pinout layout: 1x10 Connection: 10pin; SD No. of colours: 16.7M Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480C050_03WTC | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 5"; 800x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART Dimensions: 143.51x80.9x15.8mm Related items: HDL662B Screen size: 5" Colour: RGB Kind of controller: T5L1 Touchpad: capacitive Operating temperature: -20...70°C Window dimensions (H x W): 108x64.8mm Kind of display: graphical; matrix TN Display resolution: 800x480 Luminosity: 250cd/m2 Memory: 16MB FLASH Connector pinout layout: 1x10 Connection: 10pin; SD No. of colours: 16.7M Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480C050_03WTR | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 5"; 800x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART Dimensions: 143.51x80.9x15.4mm Related items: HDL662B Screen size: 5" Colour: RGB Kind of controller: T5L1 Touchpad: resistance Operating temperature: -20...70°C Window dimensions (H x W): 108x64.8mm Kind of display: graphical; matrix TN Display resolution: 800x480 Luminosity: 250cd/m2 Memory: 16MB FLASH Connector pinout layout: 1x10 Connection: 10pin; SD No. of colours: 16.7M Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480T043_01WN | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 4.3"; 480x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2 Type of display: TFT Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x800 Dimensions: 121.92x73.15x12.4mm Window dimensions (H x W): 93.6x56.16mm Screen size: 4.3" Illumination: LED Kind of controller: T5L0 Connector pinout layout: 1x8 Supply voltage: 9...36V DC Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART No. of colours: 262k Colour: RGB Touchpad: none Connection: 8pin; SD Operating temperature: -20...70°C Luminosity: 300cd/m2 Memory: 16MB FLASH Related items: HDL65011; HDL65013 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG80480T043_01WTC | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 4.3"; 480x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2 Type of display: TFT Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x800 Dimensions: 121.92x73.15x14.2mm Window dimensions (H x W): 93.6x56.16mm Screen size: 4.3" Illumination: LED Kind of controller: T5L0 Connector pinout layout: 1x8 Supply voltage: 9...36V DC Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART No. of colours: 262k Colour: RGB Touchpad: capacitive Connection: 8pin; SD Operating temperature: -20...70°C Luminosity: 250cd/m2 Memory: 16MB FLASH Related items: HDL65011; HDL65013 | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480T043_01WTR | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 4.3"; 480x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2 Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART Supply voltage: 9...36V DC Related items: HDL65011; HDL65013 Screen size: 4.3" Colour: RGB Kind of controller: T5L0 Touchpad: resistance Operating temperature: -20...70°C Window dimensions (H x W): 93.6x56.16mm Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x800 Luminosity: 250cd/m2 Memory: 16MB FLASH Connector pinout layout: 1x8 Dimensions: 121.92x73.15x13.95mm Connection: 8pin; SD No. of colours: 262k Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480T043_09WN | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 4.3"; 480x800; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 900cd/m2 Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART Supply voltage: 9...36V DC Related items: HDL65011; HDL65013 Screen size: 4.3" Colour: RGB Kind of controller: T5L0 Touchpad: none Operating temperature: -10...60°C Window dimensions (H x W): 93.6x56.16mm Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x800 Luminosity: 900cd/m2 Memory: 8MB FLASH Connector pinout layout: 1x8 Dimensions: 121.92x73.15x12.4mm Connection: 8pin; SD No. of colours: 262k Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480T043_09WN Код товару: 215612
Додати до обраних
Обраний товар
| Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DMG80480T043_09WTC | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 4.3"; 480x800; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 800cd/m2 Operating temperature: -10...60°C Related items: HDL65011; HDL65013 Screen size: 4.3" Colour: RGB Kind of controller: T5L0 Touchpad: capacitive Window dimensions (H x W): 93.6x56.16mm Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x800 Luminosity: 800cd/m2 Memory: 8MB FLASH Connector pinout layout: 1x8 Dimensions: 121.92x73.15x14.2mm Connection: 8pin; SD Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART No. of colours: 262k Illumination: LED Supply voltage: 9...36V DC Type of display: TFT | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480T043_09WTR | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 4.3"; 480x800; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 700cd/m2 Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART Supply voltage: 9...36V DC Related items: HDL65011; HDL65013 Screen size: 4.3" Colour: RGB Kind of controller: T5L0 Touchpad: resistance Operating temperature: -10...60°C Window dimensions (H x W): 93.6x56.16mm Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x800 Luminosity: 700cd/m2 Memory: 8MB FLASH Connector pinout layout: 1x8 Dimensions: 121.92x73.15x13.95mm Connection: 8pin; SD No. of colours: 262k Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480T050_32WTC | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 5"; 800x480; Illumin: LED; 2GBRAM,8GBeMMC; RGB; 1.8GHz Interface: Ethernet; RS232; TTL; USB Operating system: Android 11 Related items: T050-32ZJB Screen size: 5" Colour: RGB Touchpad: capacitive WiFi: 2,4GHz Operating temperature: -20...65°C Kind of architecture: Cortex A55 Window dimensions (H x W): 108x64.8mm Kind of display: graphical; matrix IPS Clock frequency: 1.8GHz Display resolution: 800x480 Luminosity: 250cd/m2 Memory: 2GB RAM; 8GB eMMC Dimensions: 143.4x80.8x25.1mm Processor: Rockchip RK3566 Connection: 2pin; 10pin; RJ45; SD; USB; USB C Communictions protocol: IEEE 802.11b/g/n Bluetooth version: 4.2 No. of colours: 16.7M Illumination: LED Supply voltage: 9...36V DC Type of display: TFT | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG80480T070_05WTC | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 7"; 800x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2 Type of display: TFT Kind of display: graphical; matrix TN Display resolution: 800x480 Dimensions: 190.5x105.41x13.7mm Window dimensions (H x W): 154.08x85.92mm Screen size: 7" Illumination: LED Kind of controller: T5L0 Connector pinout layout: 1x8 Supply voltage: 12V DC Interface: RS232; TTL Colour: RGB Touchpad: capacitive Connection: 8pin; SD Operating temperature: -20...70°C Luminosity: 250cd/m2 Memory: 16MB FLASH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG80480T070_05WTR | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 7"; 800x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2 Type of display: TFT Kind of display: graphical; matrix TN Display resolution: 800x480 Dimensions: 190.5x105.41x13.4mm Window dimensions (H x W): 154.08x85.92mm Screen size: 7" Illumination: LED Kind of controller: T5L0 Connector pinout layout: 1x8 Supply voltage: 12V DC Interface: RS232; TTL Colour: RGB Touchpad: resistance Connection: 8pin; SD Operating temperature: -20...70°C Luminosity: 250cd/m2 Memory: 16MB FLASH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG85480C050_03WN | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 5"; 480x854; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2 Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART Supply voltage: 4.5...5.5V DC Memory: 16MB FLASH Operating temperature: -20...70°C Colour: RGB Kind of controller: T5L1 Touchpad: none Window dimensions (H x W): 61.6x109.7mm Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x854 Luminosity: 300cd/m2 Connector pinout layout: 1x10 Dimensions: 67.5x138.3x10.2mm Connection: 10pin; SD No. of colours: 16.7M Illumination: LED Type of display: TFT Related items: HDL662B Screen size: 5" | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG85480C050_03WTC | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 5"; 480x854; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 270cd/m2 Type of display: TFT Kind of display: graphical; matrix IPS Screen size: 5" Display resolution: 480x854 Illumination: LED Window dimensions (H x W): 61.6x109.7mm Dimensions: 67.5x138.3x12mm Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; SD; UART Luminosity: 270cd/m2 Connector pinout layout: 1x10 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Touchpad: capacitive Related items: HDL662B Colour: RGB Kind of controller: T5L1 Operating temperature: -20...70°C Memory: 16MB FLASH Connection: 10pin; SD No. of colours: 16.7M | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG85480C050_03WTR | Dwin Technology | Category: Intelligent displays modules Description: Display: TFT; 5"; 480x854; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2 Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART Supply voltage: 4.5...5.5V DC Related items: HDL662B Screen size: 5" Colour: RGB Kind of controller: T5L1 Touchpad: resistance Operating temperature: -20...70°C Window dimensions (H x W): 61.6x109.7mm Kind of display: graphical; matrix IPS Display resolution: 480x854 Luminosity: 250cd/m2 Memory: 16MB FLASH Connector pinout layout: 1x10 Dimensions: 67.5x138.3x11.8mm Connection: 10pin; SD No. of colours: 16.7M Illumination: LED Type of display: TFT | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMG8601UFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 920mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 920mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMG8601UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 920mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

