Продукція > STL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL120N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4LF6AGSTMicroelectronicsSTL120N4LF6AG STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 40V 55A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R - Arrow.com
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+20.85 грн
690+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 679 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ., 55 A STripFET F6 in a PowerFLAT 5x6 package
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4LF6AGSTMicroelectronicsSTL120N4LF6AG STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 40V 55A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R - Arrow.com
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.19 грн
37+20.85 грн
50+19.78 грн
100+18.02 грн
250+17.02 грн
500+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+126.20 грн
100+87.25 грн
500+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.79 грн
147+96.26 грн
150+94.72 грн
152+89.87 грн
250+81.84 грн
500+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
на замовлення 7211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.53 грн
10+133.81 грн
100+79.43 грн
500+65.28 грн
1000+63.54 грн
9000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.79 грн
10+96.26 грн
25+94.72 грн
100+89.87 грн
250+81.84 грн
500+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120NH02V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10F8AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V, 4.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10F8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10F8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10F8AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V, 4.6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.14 грн
10+128.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10F8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.35 грн
10+186.95 грн
100+182.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N10LF8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.09 грн
10+140.22 грн
100+83.61 грн
500+68.28 грн
1000+67.09 грн
3000+56.71 грн
6000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N8F7AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N8F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.66 грн
10+140.22 грн
100+85.00 грн
500+71.76 грн
1000+66.54 грн
3000+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL125N8F7AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL128DSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High volt fast switching NPN power transistor
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.97 грн
10+54.32 грн
100+42.64 грн
500+34.42 грн
1000+32.33 грн
2000+29.47 грн
5000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL128DSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 700mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL128DSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 4A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL128DFPSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 700mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL128DNSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL128DNFPSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220FP
Power - Max: 28 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220FP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12HN65M2STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.0079 Ohm 12A STripFET V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.57 грн
10+110.57 грн
100+65.28 грн
500+52.11 грн
1000+47.31 грн
3000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6.4A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.08 грн
10+110.04 грн
100+92.33 грн
500+78.06 грн
1000+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.4A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6.4A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.08 грн
129+110.04 грн
154+92.33 грн
500+78.06 грн
1000+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.4A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.62 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.62 грн
10+115.38 грн
100+79.43 грн
250+73.85 грн
500+67.37 грн
1000+60.55 грн
3000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 0.42 Ohm 8.5A MDmesh M5
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL12P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.86 грн
500+33.44 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12P6F6STMicroelectronicsMOSFETs P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.02 грн
10+56.17 грн
100+36.37 грн
500+29.33 грн
1000+26.68 грн
3000+23.34 грн
6000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.57 грн
100+38.77 грн
500+28.40 грн
1000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL12P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.05 грн
100+41.86 грн
500+33.44 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.41 грн
15+51.36 грн
25+50.87 грн
100+41.14 грн
250+37.72 грн
500+34.30 грн
1000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL12P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+51.36 грн
279+50.87 грн
332+42.67 грн
335+40.73 грн
500+35.73 грн
1000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N4LF8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL130N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 124 A, 3300 µohm, PowerFLAT 3.3x3.3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 3.3x3.3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.74 грн
11+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N4LF8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL130N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 124 A, 3300 µohm, PowerFLAT 3.3x3.3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Verlustleistung: 64W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 124A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N4LF8STMicroelectronicsSTL130N4LF8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N4LF8STMicroelectronicsMOSFETs N-channel logic level 40 V, 2.3 mOhm max., 124 A STripFET F8 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.05 грн
180+78.83 грн
183+77.60 грн
200+70.65 грн
1000+64.49 грн
2000+60.53 грн
3000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.93 грн
10+98.35 грн
100+84.54 грн
500+71.93 грн
1000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
на замовлення 19979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.90 грн
10+133.81 грн
100+80.12 грн
500+64.73 грн
1000+61.10 грн
3000+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
10+117.82 грн
100+81.09 грн
500+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.44 грн
163+87.08 грн
165+85.72 грн
168+81.34 грн
250+74.09 грн
500+69.96 грн
1000+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.44 грн
10+87.08 грн
25+85.72 грн
100+81.34 грн
250+74.09 грн
500+69.96 грн
1000+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.54 грн
500+71.93 грн
1000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.64 грн
10+142.62 грн
100+94.75 грн
500+82.21 грн
1000+76.64 грн
3000+69.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.76 грн
111+128.33 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
на замовлення 9986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
10+144.09 грн
100+100.39 грн
500+81.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.76 грн
10+128.33 грн
100+116.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL131A120CHEaton ElectricalPower Meters & Energy Meters 20A,13T METER SOCKET W/ PREWIRED TEST SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL135N8F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL135N8F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.17 грн
10+161.85 грн
100+98.24 грн
500+86.39 грн
1000+82.91 грн
3000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL135N8F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL135N8F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL135N8F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.84 грн
100+106.76 грн
500+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13DP10F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13DP10F6STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.31 грн
10+123.48 грн
100+84.94 грн
500+64.26 грн
1000+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.09 грн
10+133.00 грн
100+79.43 грн
500+64.10 грн
1000+59.85 грн
3000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]