Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFB9N65AInternational RectifierN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65A
Код товару: 191888
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65AVishayN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.99 грн
10+136.86 грн
100+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF
Код товару: 100724
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
Монтаж: THT
у наявності: 30 шт
  • 22 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+99.00 грн
10+89.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.58 грн
10+175.86 грн
25+129.18 грн
100+117.31 грн
500+96.36 грн
1000+88.68 грн
5000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PPBFInfineonMOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PPBF
Код товару: 186516
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.05 грн
10+269.01 грн
100+191.33 грн
500+164.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1405IR2003 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1405PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1405PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1405PPBF
Код товару: 59553
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1405PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA22N50AVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 24 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA22N50AТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA22N50APBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 24 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA22N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
Packaging: Tube
Package / Case: Super-220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA35N60CInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA3803PIR2003 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA90N20DInternational RectifierIRFBA 90 N 20 D SUPER220 IRF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA90N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA90N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-273AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA90N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-273AA Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA90N20DPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 98A 23mOhm 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA90N20DPBF
Код товару: 48871
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBADBOYIOR2007
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20International RectifierN-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC20LPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20LPBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC20L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.07 грн
50+102.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.26 грн
10+91.54 грн
100+63.68 грн
5000+62.43 грн
10000+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF
Код товару: 34302
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.31 грн
50+107.15 грн
100+96.79 грн
500+73.78 грн
1000+68.30 грн
2000+63.69 грн
5000+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.19 грн
10+103.46 грн
100+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.41 грн
50+49.68 грн
100+44.30 грн
500+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
10+89.13 грн
100+50.97 грн
500+40.43 грн
1000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20SPBF
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.35 грн
10+177.47 грн
100+111.03 грн
500+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30
Код товару: 18143
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+26.00 грн
10+23.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30SiliconixN-MOSFET 3.6A 600V 74W 2.2Ω IRFBC30 TIRFBC30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30(94-4966)
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30A
Код товару: 106982
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.89 грн
10+122.86 грн
100+72.62 грн
500+61.87 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.27 грн
100+16.17 грн
500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.92 грн
5+101.70 грн
10+79.85 грн
50+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.48 грн
10+123.83 грн
100+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+96.48 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.74 грн
10+115.63 грн
100+74.72 грн
2000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+96.95 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.09 грн
50+130.32 грн
100+118.01 грн
500+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBF-BE3VishayPower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.30 грн
10+115.63 грн
100+69.06 грн
500+58.24 грн
1000+53.00 грн
2000+48.67 грн
5000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.09 грн
10+168.54 грн
100+118.01 грн
500+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC30ASPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]