Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB7546PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.96 грн
21+37.38 грн
100+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7546PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7546PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 7300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 99W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7546PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7546PBF транзистор
Код товару: 196359
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.10 грн
10+186.81 грн
50+144.81 грн
100+123.21 грн
500+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.74 грн
250+198.23 грн
500+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF
Код товару: 168558
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.96 грн
87+163.30 грн
100+151.21 грн
500+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.37 грн
50+181.60 грн
100+164.56 грн
500+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.38 грн
50+189.35 грн
100+170.12 грн
500+137.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.51 грн
75+189.48 грн
100+170.24 грн
500+137.20 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInternational RectifierN-CH 75V 195A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 246A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.88 грн
10+143.91 грн
50+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.45 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.45 грн
10+194.80 грн
100+185.44 грн
500+169.74 грн
1000+78.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 168830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.06 грн
500+121.13 грн
1000+111.28 грн
10000+95.66 грн
100000+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 183A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 183A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.06 грн
500+121.13 грн
1000+111.28 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 197950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.06 грн
500+121.13 грн
1000+111.28 грн
10000+95.66 грн
100000+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+95.75 грн
500+86.18 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+95.75 грн
500+86.18 грн
1000+79.48 грн
10000+68.32 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 85 A, 0.0073 ohm, TO-2220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 143
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+95.75 грн
500+86.18 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7740PBFInfineon
на замовлення 106800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7746PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7746PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7746PBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7746PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3049 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7787Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.50 грн
12+67.19 грн
25+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7787PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7787PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 76 A, 8400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7787PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7787PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB812PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB812PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB812PBF - IRFB812 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB812PBFInfineon / IRMOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N30AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N30APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60A
Код товару: 36734
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60A-PBFIRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.65 грн
10+124.44 грн
50+107.51 грн
100+99.89 грн
250+91.42 грн
500+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.28 грн
75+189.67 грн
100+176.49 грн
250+156.22 грн
500+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF
Код товару: 143119
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.83 грн
10+167.38 грн
50+129.21 грн
100+109.72 грн
500+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.36 грн
50+157.04 грн
100+137.45 грн
500+127.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.49 грн
90+157.15 грн
103+137.54 грн
500+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65AInternational RectifierN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65AVishayN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65A
Код товару: 191888
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF
Код товару: 100724
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 8,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,95 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1417/48
Монтаж: THT
у наявності: 28 шт
  • 20 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+99.00 грн
10+89.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PPBF
Код товару: 186516
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PPBFInfineonMOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBA1404PPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]