Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFD120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+101.12 грн
164+86.75 грн
200+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF (DIP4-300, IR)
Код товару: 28377
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.50 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Код товару: 156294
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+32.00 грн
10+29.00 грн
100+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Код товару: 148947
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+24.50 грн
10+22.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF/IRIR08+;
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120S2497Harris CorporationDescription: 1.3A, 100V, 0.300 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD121Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD121HARRISIRFD121
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.18 грн
1000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD122Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 19804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+108.14 грн
1000+99.73 грн
10000+85.74 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123VishayTrans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin HVMDIP IRFD123 IRFD123 TIRFD123
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 39639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 8443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+108.14 грн
1000+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123HARRISIRFD123
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
500+108.14 грн
1000+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF
Код товару: 26821
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HD-1
Uds,V: 60 V
Idd,A: 1,1 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.94 грн
10+64.08 грн
100+38.96 грн
500+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z0
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3HARRISIRFD1Z3
на замовлення 11664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.77 грн
549+64.59 грн
1000+59.57 грн
10000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3HARRIS1997
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD1Z3Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 12328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210IRFD210 Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Harris CorporationDescription: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1001.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210HARRISIRFD210
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.39 грн
500+113.78 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.82 грн
10+92.87 грн
100+91.24 грн
500+82.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V 1.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFMOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF
Код товару: 118708
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 5563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213HARRISIRFD213
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.96 грн
500+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD213HARRISIRFD213
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.96 грн
500+80.07 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214IR09+
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.45A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD214PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.8A@T=25C, Id=0.5A@T=100C, Rds=0.8 R, P=1.0W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220Harris CorporationDescription: 0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220VishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220(94-2188)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.75 грн
10+97.97 грн
100+80.30 грн
500+49.02 грн
2500+40.22 грн
25000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.47 грн
10+91.31 грн
100+61.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF
Код товару: 22410
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HD-1
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,8 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+21.00 грн
10+18.60 грн
100+17.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFMOSFET N-CH 200V 0.8A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.57 грн
18+47.90 грн
100+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD223
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.54 грн
10+135.02 грн
100+104.91 грн
500+83.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.35 грн
10+67.45 грн
100+47.76 грн
500+42.04 грн
1000+38.48 грн
5000+36.66 грн
10000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD224PBF. - MOSFET N, HEXDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD3055
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310Harris CorporationDescription: 0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310HARRISIRFD310
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+154.74 грн
1000+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 350 mA, 3.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 350
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishay / SiliconixMOSFET 400V N-CH HEXFET HEXDI
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.06 грн
10+76.21 грн
100+54.33 грн
500+50.83 грн
1000+44.76 грн
2500+39.87 грн
10000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.68 грн
10+97.66 грн
100+66.26 грн
500+49.56 грн
1000+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD311Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+99.74 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD311HARRISIRFD311
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.39 грн
500+125.21 грн
1000+115.25 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD313HARRISIRFD313
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+115.16 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD313Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD320PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+141.65 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD3202002 DIP-4
на замовлення 15621 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320HARRISIRFD320
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+198.45 грн
500+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.92 грн
206+68.86 грн
250+68.17 грн
500+61.32 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.32 грн
10+117.48 грн
100+80.50 грн
500+60.70 грн
1000+55.93 грн
2000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.63 грн
10+101.76 грн
100+82.56 грн
250+78.82 грн
500+64.97 грн
1000+56.28 грн
2000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.48 грн
10+77.92 грн
100+68.86 грн
250+65.74 грн
500+56.78 грн
1000+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD320PBF - N CHANNEL MOSFET, 400V, 490mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 490
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.48 грн
169+83.96 грн
250+83.12 грн
500+71.35 грн
1000+59.61 грн
2000+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]