Продукція > FGA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGA6065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6065ADFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6065ADFON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6065ADFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDonsemi FSPIGBT TO3PN 60A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTUON-SemiconductorIGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+460.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.97 грн
10+412.82 грн
100+316.87 грн
450+283.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTU
Код товару: 101205
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDON-SemiconductorIGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+260.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+287.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+390.17 грн
3+329.06 грн
10+279.20 грн
30+244.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.14 грн
10+259.34 грн
100+237.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.01 грн
48+296.57 грн
100+265.98 грн
120+251.30 грн
450+231.74 грн
510+215.38 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.17 грн
30+270.01 грн
120+226.38 грн
510+182.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDONS/FAITrans IGBT Chip N-CH 650V 120A TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDonsemiIGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.93 грн
10+288.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD
Код товару: 60090
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.43 грн
10+352.72 грн
100+294.25 грн
120+282.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.86 грн
10+297.25 грн
100+266.58 грн
120+251.88 грн
450+232.26 грн
510+215.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+391.34 грн
120+361.32 грн
270+347.99 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6530WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 176 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 37.4 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 960µJ (on), 162µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6530WDFON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS3 650V SHD prolferation
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6530WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6530WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6540WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6540WDF
Код товару: 183278
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6540WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+192.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6540WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/54.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 55.5 nC
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6540WDFonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6540WDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max: 306 W
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDFonsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.54 грн
10+308.03 грн
100+216.77 грн
450+191.91 грн
900+164.30 грн
2700+154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+281.14 грн
500+266.96 грн
1000+251.61 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGA6560WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+281.14 грн
500+266.96 грн
1000+251.61 грн
10000+228.95 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDFonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 26790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+172.76 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA66XABMDQuectelMultiprotocol Modules Wi-Fi 6 (2.4GHz/5GHz), IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax, BLE 5.4, Thread 802.15.4, Antenna 1 1 (1T1R), 2 antennas, Wi-Fi application: SDIO 3.0, -40C +85C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA70N30TDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+150.61 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA70N30TDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL
Power - Max: 201 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Gate Charge: 125 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+126.22 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA70N30TTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+215.04 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA70N30TTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 300V, N-CHANNEL
Power - Max: 201 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Gate Charge: 125 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+180.72 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA70N33BTDLDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA70N33BTDTUON SemiconductorDescription: IGBT 330V 149W TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N30DTUonsemi / FairchildMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers TBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N30DTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
на замовлення 70390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+156.87 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N30DTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGA90N30DTU - IGBT, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N30DTUonsemiDescription: IGBT 300V 90A 219W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N30TUonsemiDescription: IGBT 300V 90A 219W TO3P
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 219 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Gate Charge: 87 nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N30TUonsemi / FairchildMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers TBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N30TUFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATDonsemi PTTIGBT TO3PN 90A 330V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH 330V 90A TO3P
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 95 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATDTU
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATDTUonsemi / FairchildIGBTs 330V 90A PDP Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATTUonsemiDescription: IGBT TRENCH 330V 90A TO-3P
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Gate Charge: 95 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33ATTU
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N33TFAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF20N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns
Switching Energy: 452µJ (on), 141µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF20N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600 V 40 A 62.5 W
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF20N60SMDFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+165.12 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF20S65AQonsemiIGBT Transistors 650V 20A FS4 SA IGBT
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+200.85 грн
120+142.90 грн
510+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF20S65AQONSEMIDescription: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF20S65AQonsemiDescription: IGBT 650V 20A TO-3PF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDON-SemiconductorIGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+306.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+211.08 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDONS/FAIIGBT 600V 80A 79W TO-3PF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+212.78 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.76 грн
30+210.43 грн
120+174.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDonsemiIGBTs 600 V 80 A 79 W
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.70 грн
10+224.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.61 грн
30+251.05 грн
120+240.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+263.42 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFON SemiconductorON Semiconductor PTPIGBT TO3PF 40A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+186.96 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTUON Semiconductor
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors Ultrafast
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTUON Semiconductor
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+139.72 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTUonsemiIGBTs 40A/600V/ IGBT
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.88 грн
10+169.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V
MSL: -
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+172.36 грн
100+157.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTUonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.00 грн
30+159.37 грн
120+131.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQONSEMIDescription: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.13 грн
10+128.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQON SemiconductorDescription: 650V 40A FS4 SA IGBT
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQonsemiIGBTs 650V 40A FS4 SA IGBT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.15 грн
10+147.66 грн
120+103.55 грн
510+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12