Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW
на замовлення 38402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 806mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTA
Код товару: 194601
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.73 грн
18+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 100 Volt 0.7A
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES/ZETEXP-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω ZXMP10A13FTA Diodes TZXMP10A13F
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodesMOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 5014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -500mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES/ZETEXP-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω ZXMP10A13FTA Diodes TZXMP10A13F
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 660 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTA-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (Type DN)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTA-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTCDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -3.1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTCDiodes IncorporatedMOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16ZETEXTO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V
на замовлення 41123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+62.42 грн
100+41.53 грн
500+30.57 грн
1000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+44.88 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.77 грн
5000+23.91 грн
7500+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.25 грн
100+36.47 грн
500+26.63 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.33 грн
6000+20.80 грн
9000+19.95 грн
15000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.04 грн
6000+16.95 грн
9000+16.25 грн
15000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Chanl UMOS
на замовлення 43603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
на замовлення 24007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+46.95 грн
100+30.89 грн
500+22.49 грн
1000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.27 грн
25+69.62 грн
50+57.98 грн
100+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 73000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.2A, 6V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.61 грн
8000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Chnl UMOS
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) TO-261AA T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GTADIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 450mOhm; 2,4A; 3,9W; -55°C ~ 150°C; ZXMP10A17GTA TZXMP10a17g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.69 грн
25+57.97 грн
50+48.14 грн
100+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) TO-261AA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17KZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.12 грн
100+49.65 грн
500+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18ZETEXTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.90 грн
2000+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.25 грн
2000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.31 грн
2000+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Chnl UMOS
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+109.22 грн
500+86.98 грн
1000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes Inc./ZetexMOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+116.09 грн
100+79.60 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KQTCDiodes ZetexP-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.