Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.24 грн
10+76.52 грн
100+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.65 грн
100+47.17 грн
500+34.83 грн
1000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25N8TADiodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL 60V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.28 грн
10+66.10 грн
100+44.80 грн
500+34.14 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.25 грн
17+49.75 грн
50+34.46 грн
200+25.51 грн
500+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.46 грн
200+25.51 грн
500+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GQTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT223 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GQTADiodes Inc./ZetexN-Channel 70 V 2.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.20 грн
12+68.40 грн
25+67.73 грн
100+49.90 грн
250+45.73 грн
500+34.49 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedMOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.48 грн
10+55.53 грн
100+32.89 грн
500+27.45 грн
1000+23.41 грн
2000+21.18 грн
5000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.40 грн
209+67.73 грн
274+51.75 грн
277+49.39 грн
500+35.93 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.53 грн
2000+22.46 грн
3000+21.54 грн
5000+19.81 грн
7000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
на замовлення 7186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+54.87 грн
100+34.13 грн
500+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KZETEX07+ DPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+59.93 грн
100+39.65 грн
500+29.04 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC
Код товару: 185461
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCZETEX09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.21 грн
290+48.78 грн
332+42.66 грн
335+40.72 грн
500+33.07 грн
1000+28.40 грн
3000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.09 грн
5000+23.25 грн
7500+22.29 грн
12500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.10 грн
14+59.74 грн
100+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedMOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.32 грн
10+64.10 грн
100+42.78 грн
500+33.79 грн
1000+27.03 грн
2500+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.98 грн
16+49.21 грн
25+48.78 грн
100+41.13 грн
250+37.71 грн
500+31.75 грн
1000+28.40 грн
3000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNA01F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNA14F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TA
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP1017E6TA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.46 грн
100+37.30 грн
500+27.28 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 806mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 806mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.32 грн
500+29.44 грн
1500+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.93 грн
6000+21.35 грн
9000+20.49 грн
15000+18.32 грн
21000+17.78 грн
30000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
11+40.59 грн
50+31.95 грн
100+29.44 грн
500+25.16 грн
1000+22.90 грн
1500+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 806mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.17 грн
50+61.13 грн
100+40.32 грн
500+29.44 грн
1500+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTA
Код товару: 194601
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW
на замовлення 55380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.54 грн
10+59.21 грн
100+34.00 грн
500+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.61 грн
13+32.29 грн
50+24.32 грн
100+21.89 грн
500+17.11 грн
1000+15.60 грн
1500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodesMOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 100 Volt 0.7A
на замовлення 18918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.64 грн
10+43.11 грн
100+24.18 грн
500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 5014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.60 грн
500+18.79 грн
1500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 5014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.24 грн
50+39.42 грн
100+25.60 грн
500+18.79 грн
1500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTADIODES/ZETEXP-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω ZXMP10A13FTA Diodes TZXMP10A13F
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTA-50Diodes Zetex100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTA-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23 (Type DN)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTCDiodes IncorporatedMOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTCDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16ZETEXTO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
на замовлення 41123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+62.42 грн
100+41.53 грн
500+30.57 грн
1000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.77 грн
5000+23.91 грн
7500+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.66 грн
10+60.97 грн
100+36.30 грн
500+29.33 грн
1000+26.96 грн
2500+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+44.88 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.85 грн
15+57.79 грн
100+38.37 грн
500+27.85 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 145964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.25 грн
100+36.47 грн
500+26.63 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.04 грн
10+56.73 грн
100+32.75 грн
500+25.64 грн
1000+23.27 грн
3000+19.93 грн
6000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.33 грн
6000+20.80 грн
9000+19.95 грн
15000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.37 грн
500+27.85 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.35 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
50+67.06 грн
100+44.38 грн
500+32.08 грн
1500+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.3A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
10+58.12 грн
50+41.43 грн
100+35.81 грн
250+30.02 грн
500+27.00 грн
1000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V
на замовлення 24007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+46.95 грн
100+30.89 грн
500+22.49 грн
1000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]