Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFH4210DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4210DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 44 A, 850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 255A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 255A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4210DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 44 A, 850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4226TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 25V,70A 2.4 mo, 16nC,PQFN5x6
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+150.02 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF
Код товару: 98278
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 63W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Dual N-Ch 1.10mOhm 44nC 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 63W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 31W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+107.89 грн
8000+98.59 грн
16000+91.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+107.89 грн
8000+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.24 грн
10+148.80 грн
100+103.24 грн
500+78.61 грн
1000+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.70 грн
500+65.13 грн
1000+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.08 грн
10+103.46 грн
100+74.70 грн
500+65.13 грн
1000+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+95.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+95.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.62 грн
10+150.16 грн
100+91.47 грн
500+76.11 грн
1000+72.62 грн
2000+71.22 грн
4000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+164.19 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.72 грн
111+128.70 грн
250+123.54 грн
500+114.83 грн
1000+102.85 грн
2500+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 105A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBF/BKNInfineon TechnologiesDescription: IRFH4255DTRPBF/BKN
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4257DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V FastIRFET 4x5 POWER BLOCK PKG
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4257DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 68A/111A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4257DTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+96.86 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004PbFInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TR2
Код товару: 99482
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Uds,V: 40 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4490/73
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 73nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TR2
Код товару: 99483
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 4,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4175/69
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.80 грн
125+113.40 грн
133+106.78 грн
500+91.12 грн
1000+78.89 грн
2000+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInternational RectifierMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.26 грн
10+152.34 грн
100+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.53 грн
108+132.30 грн
132+107.73 грн
200+97.50 грн
1000+80.07 грн
2000+71.68 грн
4000+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.45 грн
10+150.16 грн
100+104.74 грн
500+86.59 грн
1000+71.22 грн
2000+66.96 грн
4000+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TR2
Код товару: 99484
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4290/65
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+43.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 65nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.68 грн
500+87.75 грн
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.85 грн
10+144.19 грн
100+115.68 грн
500+87.75 грн
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010PbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TR2
Код товару: 99485
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Uds,V: 100 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 9,0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/65
Монтаж: SMD
у наявності: 38 шт
  • 28 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+145.00 грн
10+137.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 100A 9.0mOhm 65nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.78 грн
500+106.01 грн
1000+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.72 грн
121+117.18 грн
130+109.62 грн
200+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 65nC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.64 грн
10+132.50 грн
100+92.87 грн
500+76.11 грн
1000+66.27 грн
2000+62.71 грн
4000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TR2
Код товару: 99486
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Uds,V: 150 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 31 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/33
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+43.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 56A 31mOhm 33nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.40 грн
100+148.45 грн
250+142.50 грн
500+132.45 грн
1000+118.64 грн
2500+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]