Продукція > irf

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.39 грн
10+	42.17 грн
100+	27.53 грн
500+	19.93 грн
1000+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3702TRPBF

Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH3702TRPBF

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3702TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3600+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 3600 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3702TRPBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH3702TRPBF

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3702TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 7.1mOhms 9.6nC

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TR2PBF

MOSFET MOSFT 30V 12A 12.4mOhm 5.4nC

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1200 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TR2PBF (транзистори)
Код товару: 54545

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.62 грн
10+	30.65 грн
100+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TRPBF

Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	71.31 грн
500+	44.22 грн
1000+	30.86 грн
2000+	27.49 грн
4000+	25.28 грн

Мінімальне замовлення: 227 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 12A PQFN Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TRPBF
Код товару: 158440

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TRPBF

на замовлення 1135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH3707TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC

на замовлення 2343 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4201TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4201TRPBF

MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

на замовлення 1735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4201TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4209DTRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

213+	165.82 грн
500+	149.35 грн
1000+	137.59 грн

Мінімальне замовлення: 213 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210DTRPBF

Description: INFINEON - IRFH4210DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 44 A, 850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210DTRPBF

International Rectifier HiRel Products

Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	117.86 грн

Мінімальне замовлення: 170 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

213+	165.82 грн
500+	149.35 грн

Мінімальне замовлення: 213 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210DTRPBF

Description: INFINEON - IRFH4210DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 44 A, 850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210DTRPBF

MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4210TRPBF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4213DTRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4213DTRPBF

MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4213TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4213TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4226TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4226TRPBF

MOSFET MOSFET, 25V,70A 2.4 mo, 16nC,PQFN5x6

на замовлення 2725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4226TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4226TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	157.58 грн
500+	149.35 грн
1000+	141.12 грн

Мінімальне замовлення: 224 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4234TRPBF
Код товару: 98278

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4234TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4234TRPBF

MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

на замовлення 439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4234TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4251DTRPBF

MOSFET 25V Dual N-Ch 1.10mOhm 44nC 45A

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4251DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	107.41 грн
8000+	98.15 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4251DTRPBF

Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 63W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4251DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	107.41 грн
8000+	98.15 грн
16000+	91.32 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4251DTRPBF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	94.72 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	236.18 грн
10+	148.14 грн
100+	102.78 грн
500+	78.26 грн
1000+	74.45 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	95.17 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	111.36 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

MOSFETs 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4253DTRPBF

на замовлення 2008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4255DTRPBF

International Rectifier HiRel Products

MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

на замовлення 3803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4255DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

206+	171.70 грн
500+	163.46 грн
1000+	154.06 грн

Мінімальне замовлення: 206 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4255DTRPBF

Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 105A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH4255DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	134.12 грн
111+	128.13 грн
250+	122.99 грн
500+	114.32 грн
1000+	102.40 грн
2500+	95.39 грн

Мінімальне замовлення: 106 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4255DTRPBF/BKN

Description: IRFH4255DTRPBF/BKN

на замовлення 1229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4257DTRPBF

International Rectifier HiRel Products

MOSFET 25V FastIRFET 4x5 POWER BLOCK PKG

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH4257DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 68A/111A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

261+	135.24 грн
500+	122.30 грн
1000+	112.25 грн

Мінімальне замовлення: 261 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH4257DTRPBF

Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	96.43 грн

Мінімальне замовлення: 209 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004PbF

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004TR2
Код товару: 99482

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4490/73
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

1+	46.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004TR2PBF

MOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004TRPBF

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004TRPBF

Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	88.73 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004TRPBF

Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	82.87 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004TRPBF

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5004TRPBF

MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 73nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TR2
Код товару: 99483

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,1 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4175/69
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

1+	46.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TR2PBF

MOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TR2PBF

MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	132.97 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	140.18 грн
125+	112.90 грн
133+	106.31 грн
500+	90.72 грн
1000+	78.54 грн
2000+	73.46 грн

Мінімальне замовлення: 101 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC

на замовлення 5337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	94.43 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 9814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	144.88 грн
108+	131.71 грн
132+	107.25 грн
200+	97.07 грн
1000+	79.72 грн
2000+	71.37 грн
4000+	69.51 грн

Мінімальне замовлення: 98 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5006TRPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TR2
Код товару: 99484

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4290/65
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

1+	43.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TRPBF

MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 65nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TRPBF

Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 3940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TRPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TRPBF

Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	136.42 грн
500+	122.30 грн
1000+	113.23 грн

Мінімальне замовлення: 259 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TRPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TRPBF

Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5007TRPBF