Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFF9210IOR
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 200V 1.5A Automotive 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9211International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9211CAN
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9212IR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9213CAN
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9213International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9220IRTO-39
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9220Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9220PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9220RHARRIS
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9221International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+155.84 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9221IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9221Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9221RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9222IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9222Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+145.71 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9222RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9223CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230IOR
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9231International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+325.68 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9231CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9232Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+121.57 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9232CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9233International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+116.85 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9233CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9310IOR
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9310RHARRIS
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9321IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9321RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9322IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9322RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9330IOR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9330RHARRIS
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFG110Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFG4PC30FIR07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFG4PC40SIRMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFG9110IR01+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702PbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 16A 7.1mOhm 9.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.20 грн
10+42.66 грн
100+27.85 грн
500+20.16 грн
1000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 7.1mOhms 9.6nC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3600+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 12A 12.4mOhm 5.4nC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TR2PBF (транзистори)
Код товару: 54545
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.22 грн
10+31.01 грн
100+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+71.31 грн
500+44.22 грн
1000+30.86 грн
2000+27.49 грн
4000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF
Код товару: 158440
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 12A PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4209DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+149.35 грн
1000+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4210DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 44 A, 850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4210DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 44 A, 850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.58 грн
500+149.35 грн
1000+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4226TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 25V,70A 2.4 mo, 16nC,PQFN5x6
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF
Код товару: 98278
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 63W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+107.41 грн
8000+98.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 63W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+107.41 грн
8000+98.15 грн
16000+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Dual N-Ch 1.10mOhm 44nC 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]