Продукція > VS-

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VS-GT140DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 652 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT140DA60UVishay SemiconductorsIGBTs 600 Volt 140 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 372A INTA-PAK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 372 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 789 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6824.64 грн
15+5078.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 372A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150TS065SVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 280A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 280A
Case: INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 750A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150YG120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150YG120NTVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: ECONO3
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 675A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT175DA120UVishayIGBT Modules Output & SW Modules - SOT-227 IGBT
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT175DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 288A 1087W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 288 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT180DA120UVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT180DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 281A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3432.38 грн
10+2492.60 грн
100+2200.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT180DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: 1.087kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.087kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 281A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 281A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TP065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TP065NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065NVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT200TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 193A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 193 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 517 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5754.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065NVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 144A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 144A
Case: INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 1kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 476A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 476 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7046.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065SVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 378A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 378A
Case: INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 810A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT250SA60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT250SA60SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT250SA60S - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 359 A, 750 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 359A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 359A 750W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.16V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 359 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2888.59 грн
10+2078.97 грн
160+1788.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300FD060NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300FD060NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 379A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Dual INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 379 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 23.3 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300TD60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.47V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 466 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 882 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300YH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300YH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 341A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 341 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1042 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300YH120NVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 720A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: Dual INT-A-Pak
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400LH060NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 492A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 492 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1363 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400LH060NVishayIGBT Modules INT-A-PAK 600V 400A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 711A INT-A-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 711 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1364 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 600A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2119 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TH120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 750A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2344 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51.2 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TH60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 530A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TH60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50LA65UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 59A 163W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 163 W
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50LA65UFVishayIGBT Modules SOT227 650V 50A LS CHOPPR
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50LA65UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT50LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 59 A, 163 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 59A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 100A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 405 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.24 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 208 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50YF120NTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 64A 231W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8405.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50YF120NTVishay SemiconductorsIGBTs ECONO-4PACK IGBT MODULE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT51YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55LA120UXVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227-LOW SIDE CHOPPER IGBT
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55LA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 291 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2310.10 грн
10+1794.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55LA120UXVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT55LA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 291W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 68A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 291 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2310.10 грн
10+1794.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55NA120UXVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT55NA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 291W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 68A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55NA120UXVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227-HI SIDE CHOPPER IGBT
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT600TH060SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75LA60UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT75LA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 231W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 81A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75LA60UFVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75LP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 150A 543W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75NA60UFVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75NA60UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT75NA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 231W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 81A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75NP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120NTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10974.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120UTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9762.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120UTVishay SemiconductorsIGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT76YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2732.02 грн
10+1960.20 грн
100+1669.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 658W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 139A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120UVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 80A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 170A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120UVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA60UVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 123A 454W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 454 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA120UVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT +
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA120UVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 106A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 106A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 350A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 169A 781W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 169 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 781 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3296.62 грн
10+2391.66 грн
100+2106.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 781W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 169A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA60UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90DA60U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 146 A, 446 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 146A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA60UVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 146 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 446 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90SA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90SA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 781W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 169A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90SA120UVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90SA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 169A 781W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 169 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 781 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2939.50 грн
10+2252.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.67 грн
75+63.30 грн
150+57.67 грн
525+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60S-M3VishayDiode Switching 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60S-M3VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 4A; 17ns; DPAK; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 25A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 17ns
Max. forward impulse current: 25A
Manufacturer standard package: 75pcs.
Max. forward voltage: 1.4V
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.98 грн
10+68.50 грн
50+59.50 грн
75+57.36 грн
150+53.81 грн
525+47.54 грн
1050+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60S-M3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SHM3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 4 Amp 600 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SL-M3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SLHM3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SPBFVishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching RECOMMENDED ALT 78-VS-HFA04SD60S-M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SR-M3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SRHM3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SRHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.